20191016-国信证券-电子元器件行业重大事件快评：当前国内集成电路半导体产业现状分析及应对措施_16页_1mb

证券研究报告总结：国内集成电路半导体产业现状及应对措施

核心内容概览

本报告从产业政策、现状、竞争格局及应对措施等方面，全面分析了我国集成电路半导体产业的发展情况。报告指出，尽管我国在芯片设计、制造、封测等环节取得了显著进展，但整体仍面临技术落后、人才短缺、设备依赖进口等问题，需通过政策支持、技术攻关和产业链协同来推动产业持续发展。

主要观点

1. 政策支持与历史发展

• 1956年：国务院将半导体技术列为科研重点，但因资金、人才和体制问题，发展缓慢。
• 90年代：启动“908”和“909”工程，推动了华虹和海思等企业的成长。
• 2012年：发布《国家集成电路产业发展推进纲要》，明确2020年目标，包括销售收入年均增速超20%、16/14nm制造工艺规模量产等。
• 2015年：《中国制造2025》提出2020年芯片自给率40%，2025年达70%。
• 2016年：《“十三五”国家战略性新兴产业发展规划》推动半导体设备国产化。
• 2018年：出台多项税收优惠政策，支持芯片设计、制造和封测企业。

2. 产业现状

• 设备：半导体设备全球被日美企业垄断，国产化率低，但部分设备已实现突破，如28nm刻蚀机、14nm部分设备等。
• 设计：中国芯片设计产业增长迅速，2018年产业规模达2519亿元，同比增长21%，但高端设计仍依赖国外EDA工具。
• 制造：中芯国际、华虹半导体已进入14nm量产阶段，但与国际先进水平仍有差距，目前主要依赖进口设备。
• 封测：封测行业国产化率较高，国内企业如长电科技、华天科技已掌握先进封装技术，有望进一步扩大市场份额。

关键信息

1. 半导体产业链结构

• 包括设计、制造、封测三大核心环节，以及配套的设备、材料等辅助环节。
• 晶圆制造设备占新建产线资本支出的65%，其中光刻机占比30%。

2. 设备国产化现状

• 光刻机：国产化率<10%，上海微电子实现90nm国产化，有望向65nm和45nm延伸。
• 刻蚀机：国产化率6%，中微半导体打入台积电7nm制程，北方华创进入中芯国际。
• PVD/CVD设备：国产化率10%-15%，北方华创实现28nm PVD设备突破。
• 离子注入设备：国产化率<10%，凯世通和中科信具备研发能力。
• 检测设备：国产化率<20%，长川科技等企业主要集中在中低端市场。

3. 材料国产化情况

• 硅片：国产化率6英寸为50%，8英寸为10%，12英寸尚未量产，依赖进口。
• 光刻胶：国内企业如北京科华、苏州瑞红主要集中在低端市场，高端光刻胶仍需依赖进口。
• 湿电子化学品：全球市场规模约11.1亿美元，国内企业逐步实现部分国产替代。
• 靶材：高纯度靶材主要用于PVD工艺，国内企业正在逐步突破。

4. 芯片设计现状

• 2018年中国芯片设计企业1362家，其中11家进入全球前50强。
• EDA工具：国产EDA仅占市场10%，Synopsys、Cadence、Mentor占据主导。
• 设计能力：数字设计技术较为成熟，模拟芯片设计能力较弱，需加强材料物理知识和跨学科人才储备。

5. 制造环节

• 全球格局：台积电、三星为全球领先制造企业，中芯国际、华虹半导体进入14nm量产阶段。
• 技术差距：国内制造能力落后国际先进企业5-6年，制程差距2-2.5代。
• 应对措施：需引进高端人才，加大研发投入，提升设备和材料国产化水平。

6. 封测行业

• 全球份额：中国封测行业占全球约59%，是目前最有可能实现全面国产替代的环节。
• 技术能力：长电科技、华天科技、通富微电掌握多项先进封装技术，未来有望抢占更多市场。

应对措施建议

1. 加强研发投入

• 国家应推动重大专项支持，降低企业研发压力。
• 企业需持续加大研发投入，尤其是在高端制程和先进封装领域。

2. 提升国产化率

• 政府应出台税收优惠、补贴政策，鼓励使用国产设备和材料。
• 鼓励企业与高校、科研机构合作，推动技术突破。

3. 重视人才引进与培养

• 引进国际顶尖人才，提升企业技术水平。
• 政府应牵头推动人才培养，支持产学研结合，提高人才待遇。

4. 政策引导与资源整合

• 政府应统筹政策资源，避免多头管理。
• 建立统一的产业政策框架，促进上下游协同发展。

结论

我国半导体产业虽已取得一定进展，但仍面临设备、材料、人才等方面的瓶颈。通过政策扶持、技术突破和产业链协同，有望逐步缩小与国际先进水平的差距，实现从“引进消化”到“自主创新”的转变。未来，封测行业可能率先实现全面国产化，而设计和制造环节则需长期投入和积累。