20170222-华泰证券-LED芯片行业深度报告：结构失衡显现，产业中心转移加速_40页_2mb

LED芯片行业深度报告总结

核心内容

本报告聚焦于LED芯片行业的供需结构变化、技术发展、市场趋势以及政策支持对行业的影响，分析了2016-2017年行业的发展情况，并对未来的增长潜力进行了展望。

主要观点

1. 供给端变化显著

• 价格战与产能调整：2015年LED芯片供过于求比例高达22%，导致价格大幅下跌，主流芯片价格跌幅超过30%。随着价格战的持续，行业竞争格局逐步改善。
• 国际大厂退出中国市场：飞利浦、欧司朗、GE等国际大厂在2016年陆续退出中国照明市场，为国内厂商提供了更大的发展空间。
• 台厂聚焦四元芯片：晶电、华上光电等台系厂商积极扩产四元LED芯片，而晶电、Cree则缩减GaN产能，推动GaNLED产业中心向大陆转移。
• 国内厂商扩产：三安光电、乾照光电、华灿光电等国内龙头厂商加大GaN芯片产能投入，预计2017年新增MOCVD设备约135台，推动行业集中度提升。

2. 需求端增长迅速

• 小间距LED市场爆发：小间距LED在2016年实现70%的增速，预计2017年将新增约26台MOCVD设备，带动RGB芯片需求几何级增长。
• Micro-LED成为未来重点：Micro-LED因高亮度、高效率、高可靠性等优势，成为显示技术的未来方向，尽管尚未商业化，但已吸引苹果、Sony等企业的关注。
• IRLED市场高增长：随着安防摄像头、虹膜识别、ADAS等新兴应用的兴起，IRLED市场持续增长，预计2020年全球IRLED产值将达7.11亿美元。
• 照明工程与财政扩张周期：财政扩张周期推动照明工程需求增长，加上LED灯泡价格下降，消费者接受度提高，补库存需求进一步推升行业景气度。

3. 技术发展与制造工艺

• LED芯片制造流程：LED芯片加工流程是典型的半导体制造工艺，包括外延生长、切割、刻蚀、电极制作等步骤。
• 蓝宝石衬底为主流：蓝宝石是目前GaNLED的主要衬底材料，其优点包括透明、高温稳定性好，但存在晶格不匹配和导电性差的问题。
• PSS技术提升性能：图形化蓝宝石衬底（PSS）通过提升光提取率、减少位错密度、改善晶体生长质量，成为提升LED性能的重要技术。
• MOCVD为核心技术：MOCVD是实现GaN外延生长的核心技术，设备数量直接反映产能变化，2017年全球新增设备有限，国内增长低于11%。
• 封装技术选择：COB和SMD是LED阵列封装的主流技术路径，SMD具有较高的发光效率，而COB则在散热和可靠性方面表现更优。

关键信息

行业现状

• 2016年需求结构变化：通用照明占比47.6%、景观照明13.5%、背光应用12.1%、显示屏12.8%、汽车照明1.4%，显示和照明应用成为主要增长点。
• 2016年国内LED产业链产值：芯片产值145亿元、封装734亿元、应用3697亿元，整体行业呈现增长态势。
• 行业库存与盈利能力：15Q3至16Q3，行业库存周转天数降至102.92天，为2009年以来最低水平，补库存需求将提升行业景气度。

市场趋势

• LED芯片涨价：17年1月三安光电上调部分白光产品价格8%，显示LED芯片供需结构失衡，涨价由RGB向白光蔓延。
• 政策支持与补贴：2016年上半年国内LED芯片厂商共获得政府补贴5.25亿元，推动产业中心向大陆转移。
• LED应用领域扩展：LED应用从传统照明向显示、汽车、安防等领域扩展，带动需求结构变化。

投资建议

• 重点公司：建议关注三安光电（全色系LED芯片龙头）、乾照光电（四元LED芯片龙头）、木林森（LED芯片封装龙头）、聚飞光电（LED背光模组龙头）、利亚德、洲明科技等。
• 风险提示：下游新兴应用增速低于预期、GaN芯片国产替代速度低于预期。

结构与图表目录

1. LED产业链构成

• 图表13：LED产业链构成
• 图表14：国内LED产业链中芯片、封装、应用产值情况

2. LED发光原理

• 图表1：LED发光原理示意图
• 图表2：典型的直插式封装LED结构示意图
• 图表6：三基色混合示意图
• 图表7：RGB全彩色显示的单像素布局示意图

3. LED封装技术

• 图表20：GaNLED芯片制作的前段制程
• 图表21：垂直型和倒装型是高功率LED芯片级封装的两大技术路径
• 图表22：SMD和COB在性能指标上各有优劣

4. LED应用市场

• 图表12：2016年国内LED各细分市场市占比情况
• 图表40：小间距LED行业持续高增长
• 图表41：福州GUCCI店小间距LED宣传屏
• 图表42：石家庄海澜之家小间距LED宣传屏
• 图表43：不同规格的小间距LED产品对应的每平米灯珠、芯片需求量计算

5. LED芯片制造

• 图表16：三种GaNLED衬底材料的优缺点对比
• 图表17：图形化蓝宝石衬底工艺示意图
• 图表18：PSS可以提高LED光提取率
• 图表19：基于MOCVD工艺的GaN生长过程示意图
• 图表23：三安光电在2014年收到的政府补贴同比增长43.56%

6. 行业竞争格局

• 图表24：15年至16年初LED芯片、封装价格普遍出现了大幅下跌
• 图表25：LED灯泡价格长期下滑
• 图表26：15年上半年全国LED照明行业亏损企业数为579家
• 图表27：15年上半年全国LED照明行业累计亏损额占比情况
• 图表28：国际LED照明大厂陆续退出中国市场
• 图表29：晶电扣非后归母净利润16Q3结束了连续6季度的亏损
• 图表30：晶电的毛利率、净利率在16年出现持续好转
• 图表31：主要台系四元LED厂商运营状况
• 图表32：GaN产能结构型供需失衡，LED芯片捉襟见肘
• 图表33：中国MOCVD设备保有量稳步提升
• 图表34：2014年全球MOCVD产能分布
• 图表35：2015年全球MOCVD产能分布
• 图表36：16年上半年政府扶持力度持续，推动产业中心转移
• 图表37：16年国内主要LED芯片厂商MOCVD设备保有量
• 图表38：16年国内LED芯片市场份额
• 图表39：2016前三季度ANXTRON在手订单充裕
• 图表44：LuxVue有源矩阵MicroLED Display专利
• 图表45：VerLASE的MicroLED阵在近眼显示上的应用
• 图表46：主要参与MicroLED开发的企业
• 图表47：不同波长的IRLED的应用
• 图表48：2015-2020全球IRLED产值持续高增长

结论

LED行业正处于结构型供需失衡和需求端快速增长的双重驱动下，产业中心向大陆转移趋势明显。随着小间距LED、Micro-LED、IRLED等新兴应用的兴起，以及政策支持带来的产能扩张，LED行业未来有望持续增长。然而，也需警惕下游需求不及预期、GaN芯片国产替代速度放缓等风险。