华润微-公司深度报告：国内半导体IDM龙头，立足功率半导体聚焦特色工艺-200526_32页__1mb

华润微（688396）公司深度报告总结

核心内容概览

华润微电子是国内半导体IDM（集成器件制造）龙头，业务涵盖半导体设计、制造、封测及掩膜制造，专注于功率半导体领域，同时布局智能传感器与智能控制业务。公司具备完整的BCD工艺平台，在MOSFET、IGBT、功率IC、功率二极管等方面具有较强的市场竞争力和技术实力。公司2020年在科创板上市，首次覆盖给予“推荐”投资评级。

主要观点

• 盈利能力持续提升：公司近年来毛利率和净利率持续提高，受益于产品结构优化、行业复苏以及产线折旧到期等因素。2020年Q1，公司营收和净利润同比大幅增长，预计未来随着产品结构优化、产能释放及市场需求回暖，公司业绩将稳步增长。
• 功率半导体市场前景广阔：全球功率半导体市场规模接近400亿美元，中国作为最大市场，占全球36%。目前国产化率较低，高端市场被国外垄断，国产替代空间巨大。
• 第三代半导体带来新增长点：公司已储备硅基GaN与SiC功率器件的设计、加工和封装测试技术，预计在太阳能逆变器、电动汽车、智能电网等领域实现对传统Si器件的替代，成长潜力巨大。

关键信息

市场数据

• 当前股价：40.6元
• 总市值：493.67亿元
• 流通市值：96.28亿元
• 总股本：121,593万股
• 流通股本：23,714万股
• 12个月最高/最低价：55.00元/31.77元

盈利预测（2020-2022年）

• 归母净利润：4.73亿元、6.01亿元、7.02亿元
• EPS（每股收益）：0.39元、0.49元、0.58元
• PE（市盈率）：104.60X、82.16X、70.34X

技术能力

• BCD工艺平台：电压覆盖范围宽（5-700V），具备高密度BCD、高压BCD和SOI基BCD三种技术，与全球主流晶圆制造厂处于相当水平。
• 第三代半导体：公司已储备硅基GaN与SiC器件的设计、加工和封装测试技术，具备600V-6500V IGBT工艺能力，并在MOSFET、功率IC、封装测试等方面拥有较强的技术积累。
• MOSFET产品：公司是国内领先的MOSFET厂商，产品覆盖-100V至1500V，具备多种器件结构（如沟槽栅MOS、平面栅VDMOS、超结MOS等），技术领先国内同行。
• IGBT产品：公司已建立国内领先的Trench-FS工艺平台，产品电压范围为600V-1200V，技术参数与国际水平相当。

产能与业务结构

• 晶圆制造：6英寸年产能247万片，8英寸年产能133万片。
• 封装测试：年封装能力约62亿颗，具备主流封装技术（如IPM封装、Copper Clip Bond、倒装技术等）。
• 掩膜制造：年产能2.4万块。
• 2020年IPO募集资金30亿元，用于8英寸高端传感器和功率半导体建设项目、前瞻性技术及产品升级研发、产业并购及整合等。

客户与应用领域

• 主要客户：包括海尔、美的、TCL、创维、航嘉、光宝等，客户集中度较低。
• 下游应用：覆盖消费电子、电源、工业、电动自行车等多个领域。
• 市场趋势：随着5G、汽车电动化、工业自动化等的发展，功率半导体市场需求持续增长，国产替代空间巨大。

风险提示

• 功率半导体需求不及预期：若行业复苏不及预期，可能影响公司业绩。
• 研发进度不及预期：若第三代半导体研发进展缓慢，可能影响公司竞争力。

投资建议

公司作为国内半导体IDM龙头，产品聚焦于功率半导体领域，具备较强的技术优势与市场竞争力。预计2020-2022年业绩持续增长，首次覆盖给予“推荐”评级。

附录

• 盈利预测表：包含2018-2022年营业收入、营业成本、归母净利润等数据。
• 图表目录：包括公司发展历程、业务结构、收入占比、毛利率变化、研发费用情况、产能布局、市场趋势等图表。

重点业务板块

产品与方案

• 核心产品：MOSFET，占产品与方案业务收入的90%。
• 其他产品：包括IGBT、SBD、FRD、功率IC、智能传感器与智能控制等。
• 技术优势：依托IDM模式，具备全链条制造能力，产品结构优化与产能提升将推动业绩增长。

制造与服务

• 主要业务：晶圆制造、封装测试、掩膜制造。
• 产能结构：晶圆制造占比最大（约75%），封装测试占比约22%，掩膜制造占比约3%。
• 工艺技术：拥有BCD、MEMS、CMOS、RF、功率器件等技术平台，其中BCD工艺国内领先。

市场前景与行业趋势

• 全球功率半导体市场：2018年为391亿美元，预计2020年市场规模为367亿美元，2022年有望增长至70亿美元。
• 中国功率半导体市场：2019年市场规模达145亿美元，占全球36%，预计2022年市场规模将达180亿美元。
• 行业驱动因素：包括5G建设、汽车电动化、工业自动化、新能源发展等，推动功率半导体需求持续增长。
• 国产替代趋势：中国功率半导体国产化率较低，高端市场依赖进口，公司具备技术实力与产能优势，有望在国产替代中受益。

技术发展与未来规划

• BCD工艺：已发展至第六代（0.13微米），未来将向高压、高功率、高密度方向发展。
• 第三代半导体：公司已进入GaN和SiC研发阶段，计划开发650V硅基GaN器件、SiC JBS器件和SiC MOSFET产品。
• 产能扩张：8英寸线产能将提升，预计新增约19.2万片BCD和MEMS工艺产能。

公司竞争优势

• IDM模式：具备从设计、制造、封测的全链条整合能力，有利于技术沉淀与产品多样化。
• 技术积累：在BCD、MOSFET、IGBT等核心领域具备国内领先技术。
• 市场拓展：产品广泛应用于消费电子、汽车电子、工业控制等领域，客户群体丰富，市场潜力大。