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电子行业深度报告总结：从NOR Flash产业进阶看利基市场机遇

核心内容

电子行业作为全球半导体市场的重要组成部分，其中存储行业占比接近三分之一。然而，国内存储产业整体实力较弱，2020年国产化率仅为1%。随着国内NOR Flash产业的崛起，国内企业逐渐在细分市场中占据一席之地，为利基市场带来新的机遇。

主要观点

• 国内NOR Flash产业进阶路径：通过成本优势和市场机遇，国内企业逐步从低到高替代，抓住SPINOR渗透率提升和消费电子机遇，实现快速成长。
• 利基市场机遇：DDR3与SLC NAND市场面临新的增长空间，国内企业有望通过技术积累和成本优势，获得市场份额。
• 国内企业布局：兆易创新、北京君正、东芯股份等企业在NOR Flash、DRAM和SLC NAND领域积极布局，逐步向高附加值产品延伸。
• 投资建议：重点关注兆易创新、北京君正和东芯股份，其在NOR Flash、DRAM和SLC NAND等利基市场具备较强的竞争力。

关键信息

国内NOR Flash产业进阶

• 兆易创新：从NOR Flash起步，逐步拓展至MCU和DRAM，出货量从2019年的28.75亿颗增长至2021年的32.88亿颗，位居全球第二。
• 普冉股份：利用SONOS工艺的成本优势，出货量超过26亿颗。
• 新兴企业：集中成立于2014-2016年，主要承接中低容量产品，复合增速超过行业平均水平。

DDR3市场机遇

• 市场规模：2021年预计约75亿美元，预计2022年增长至84亿美元。
• 市场变化：三星等头部厂商退出DDR3市场，释放约26-27亿美元市场份额。
• 国内企业优势：国内晶圆代工技术成熟，成本优势明显，2022年兆易创新采用17nm工艺生产DDR3，具备竞争力。

SLC NAND市场机遇

• 市场需求：在通信、汽车电子、物联网等新兴场景中，SLC NAND需求持续上升。
• 市场增长：预计2024年全球SLC NAND市场规模将达23.24亿美元，复合增长率约6%。
• 国内企业布局：东芯股份基于24nm/38nm工艺量产SLC NAND，兆易创新与北京君正也布局相关产品。

企业产品策略

• 兆易创新：NOR Flash与MCU双轮驱动，DRAM产品覆盖DDR3与DDR4，具备19nm工艺优势。
• 北京君正：通过收购ISSI进入车规市场，产品线涵盖DRAM、NOR Flash、SRAM等。
• 东芯股份：以SLC NAND为主，兼顾NOR和DRAM，产品线覆盖多个领域。

行业趋势与投资逻辑

• 行业景气变化：供需关系变化带来资源再分配，国内企业有机会通过技术积累和成本优势占据市场。
• 产品迭代：NOR Flash与DDR3市场变化相似，国内企业有望复制NOR Flash成长路径。
• 技术突破：国内晶圆代工企业技术不断成熟，为Fabless企业提供了产能保障和成本优势。

风险提示

• 行业竞争加剧，供需关系失衡，国内产业竞争力仍需提升。

投资建议

• 关注兆易创新（603986.SH）、北京君正（300223.SZ）和东芯股份（688110.SH），这些企业在NOR Flash、DRAM和SLC NAND等利基市场具备较强竞争力。