2017-关键电子化学品系列报告之光刻胶：雄关漫道真如铁（38页）银河证券_39页_3mb

光刻胶行业分析报告总结

核心内容

光刻胶是半导体集成电路制造中的关键材料，其质量和性能直接影响芯片的性能、成品率及可靠性。光刻工艺成本占芯片制造成本的35%，时间占比达40%-60%。因此，光刻胶是半导体制造的核心材料。

主要观点

• 技术壁垒高：光刻胶技术壁垒极高，国内企业与国际先进水平存在显著差距，尤其是高端光刻胶领域。
• 国产化进展缓慢：目前，国内光刻胶企业主要集中在低端市场，如磺化橡胶类光刻胶和g/i线光刻胶，而248nm和193nm光刻胶仍主要依赖进口。
• 重点企业：国内光刻胶领域主要企业包括苏州瑞红、北京科华，以及苏州晶瑞、南大光电、强力新材等。其中，苏州晶瑞持有苏州瑞红54.6%的股权，南大光电持有北京科华31.4%的股权，是最佳标的。
• 发展方向：随着半导体行业的发展，光刻胶市场将持续增长，尤其在PCB、LCD和半导体三大领域。
• 解决方案：建议通过建立共享的国家级光刻胶研发平台和跨国并购来突破技术壁垒，加快国产化进程。

关键信息

1. 光刻胶的定义与分类

• 光刻胶又称光致抗蚀剂，由感光树脂、增感剂和溶剂组成。
• 按化学反应机理分为正像光刻胶和负像光刻胶。
• 按曝光波长可分为紫外光刻胶、深紫外光刻胶、电子束光刻胶、离子束光刻胶、X射线光刻胶等。

2. 光刻胶的技术参数

• 分辨率：衡量光刻胶区分硅片表面图形特征的能力，关键尺寸（CD）是其衡量标准。
• 对比度：衡量光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度，影响图形清晰度。
• 敏感度：光刻胶在一定波长光照射下形成良好图形所需的最小能量值。
• 粘滞性：衡量光刻胶的流动性，影响光刻胶的均匀性和成膜效果。
• 粘附性：衡量光刻胶与衬底的粘附能力，对后续工艺有重要影响。
• 抗蚀性：光刻胶需在刻蚀过程中保护衬底表面。
• 表面张力：影响光刻胶的流动性和覆盖性。
• 存储和传送：需在密闭、低温、不透光的环境中存储，避免性能下降。

3. 光刻胶的发展历史

• 紫外负型光刻胶：1958年Kodak公司开发，用于2μm以上集成电路，但分辨率受限。
• 紫外正型光刻胶：1950年左右开发，适用于0.35μm以上集成电路，分辨率高。
• 248nm深紫外光刻胶：采用化学增幅技术，分辨率更高，但存在曝光后需立即烘烤的问题。
• 193nm深紫外光刻胶：采用浸没式光刻技术，分辨率进一步提升，但国内尚未实现量产。
• EUV光刻胶：用于5nm以下集成电路，技术难度高，目前全球仅有少数企业掌握。

4. 光刻胶的应用领域

• 半导体：光刻胶是光刻工艺的核心，用于制造集成电路。
• 液晶显示（LCD）：光刻胶用于TFT-LCD阵列制程，是彩色滤光片制造的核心材料。
• 印刷电路板（PCB）：光刻胶用于PCB的光刻工艺，分为干膜光刻胶、湿膜光刻胶和光固化阻焊油墨。

5. 中国光刻胶产业现状

• 市场规模：2014年中国光刻胶市场需求增长迅速，但高端产品仍依赖进口。
• 主要企业：苏州瑞红、北京科华、苏州晶瑞、南大光电、强力新材等。
• 发展瓶颈：受限于光刻机和原材料成膜树脂，技术差距较大。
• 国产化趋势：随着12寸晶圆厂产能向中国转移，光刻胶市场需求增加，国产化进程加快。

6. 投资建议与催化剂

• 投资标的：苏州晶瑞、南大光电、强力新材是光刻胶行业的首选。
• 催化剂：电子产品升级换代加速，人工智能、可穿戴设备、虚拟现实等产业的发展将带动光刻胶需求增长。
• 主要风险：电子产品需求增长低于预期，技术进步和进口替代进程低于预期。

重点企业与技术发展

• 苏州晶瑞：持有苏州瑞红54.6%的股权，是国内光刻胶领域的重要企业。
• 南大光电：持有北京科华31.4%的股权，是国内光刻胶研发的领先企业。
• 强力新材：虽不直接生产光刻胶，但已进入国际供应链体系，可分享光刻胶行业红利。
• 光刻胶研发方向：未来将关注193nm、EUV等高端光刻胶技术，以满足更小工艺节点的需求。

市场规模与趋势

• 全球市场：光刻胶市场需求持续增长，尤其是LCD和PCB领域。
• 中国市场：中国已成为全球最大的PCB和LCD市场，光刻胶需求不断上升。
• 发展趋势：光刻胶将向更高分辨率、更小工艺节点发展，推动半导体行业向高端化迈进。

总结

光刻胶作为半导体制造的核心材料，其技术壁垒高，国内发展相对滞后。随着12寸晶圆厂产能向中国转移，以及国家对半导体材料国产化的重视，光刻胶行业将迎来重要发展机遇。建议关注苏州晶瑞、南大光电和强力新材等企业，同时考虑通过跨国并购和建立国家级研发平台来加快国产化进程。未来，光刻胶行业将向更高分辨率、更小工艺节点发展，推动中国半导体产业的全面升级。