20160817-中国银河-关键电子化学品系列报告之光刻胶_雄关漫道真如铁_38页_2mb

光刻胶行业深度研究报告总结

核心内容

光刻胶是半导体集成电路制造中的核心材料，其质量和性能直接影响芯片的性能、成品率和可靠性。光刻工艺成本约占整个芯片制造工艺的 35%，耗时占 40%-60%，因此光刻胶在半导体制造中具有关键地位。

主要观点

• 技术壁垒高：光刻胶技术壁垒极高，国内企业在这一领域与全球先进水平存在较大差距，尤其是在高端光刻胶如248nm、193nm及EUV光刻胶方面。
• 国内领先企业：目前，国内光刻胶行业主要由 北京科华 和 苏州瑞红 领先，但其营收规模较小。
• 上市公司标的：推荐关注 苏州晶瑞、南大光电 和 强力新材。其中，苏州晶瑞持有苏州瑞红 54.6% 的股权，南大光电持有北京科华 31.4% 的股权，强力新材虽不直接生产光刻胶，但其原料已进入国际供应链。
• 解决瓶颈的方法：为突破技术瓶颈，建议采取 建立国家级光刻胶研发平台 和 跨国并购 两种方式。通过共享设备降低研发成本，或通过并购获取国际先进技术。
• 国际并购目标：筛选出 6家市值在100亿人民币以下 的国际光刻胶企业，包括 台湾长兴化学、日本东京应化、日本东洋油墨、日本ADEKA、韩国锦湖化学。

关键信息

光刻胶的技术参数

• 分辨率：关键尺寸（CD）越小，分辨率越高。
• 对比度：越陡峭的侧壁表示更好的对比度。
• 敏感度：单位为毫焦/平方厘米，对于深紫外和极紫外光刻胶尤为重要。
• 粘滞性/黏度：影响光刻胶的均匀性和流动性。
• 粘附性：光刻胶与衬底的结合强度，影响后续工艺。
• 抗蚀性：光刻胶在刻蚀工序中需保护衬底。
• 表面张力：影响光刻胶的流动性和覆盖性。
• 存储与传输：需在密闭、低温、不透光环境中储存，避免光刻胶性能下降。

光刻胶的发展历史

• 紫外负型光刻胶：1958年由Kodak公司开发，用于 5μm以上 集成电路，但因分辨率低逐渐被取代。
• 紫外正型光刻胶：1950年左右开发，用于 0.35μm以上 集成电路，分辨率高，是当前国内主力产品。
• 248nm深紫外光刻胶：采用化学增幅技术，分辨率提高，但存在酸扩散问题。
• 193nm深紫外光刻胶：使用湿浸式技术，分辨率可达到 32nm以下，但国内尚未实现量产。
• EUV光刻胶：用于 22nm以下 工艺，对光刻胶性能要求极高，但目前仍处于技术探索阶段。

光刻胶的应用领域

• 半导体：光刻胶是制造集成电路的核心材料，用于 涂胶、曝光、显影 等关键工艺。
• LCD：用于 TFT-LCD 的阵列制程，包括彩色光刻胶和黑色光刻胶。
• PCB：用于 电路图形刻蚀，主要产品包括干膜光刻胶、湿膜光刻胶和光固化阻焊油墨。

市场规模

• 全球市场规模：2014年，光刻胶市场中，PCB 占 24.5%，LCD 占 26.6%，半导体 占 24.1%。
• 中国市场规模：中国是全球最大的 PCB 市场，光刻胶需求占全球 51%，但高端光刻胶仍依赖进口。
• 国内光刻胶市场：中国半导体光刻胶市场复合增长率达 22.14%，但高端产品如 248nm 和 193nm 光刻胶国产化率低。

中国光刻胶产业瓶颈

• 光刻机限制：中国厂商无法获得先进的光刻机，导致光刻胶研发受限。
• 原材料限制：成膜树脂的制造难度高，需保证分子量分布一致性。
• 技术代差：国内光刻胶技术落后 3代以上，仅能生产低端产品。

国内主要企业

• 苏州晶瑞：拟上市公司，持有苏州瑞红 54.6% 的股权，有望突破 248nm 光刻胶技术。
• 南大光电：持有北京科华 31.4% 的股权，是国内技术领先的企业。
• 强力新材：虽不直接生产光刻胶，但已进入国际供应链，可分享行业成长红利。

结论

光刻胶行业面临技术壁垒高、国产化进程缓慢等挑战。随着中国半导体产业的发展和12寸晶圆厂产能的提升，光刻胶市场需求将大幅增长。建议关注国内领先企业及通过并购获取国际技术，以推动光刻胶国产化进程。同时，建立共享的国家级研发平台也是突破技术瓶颈的重要手段。