20160817-中国银河-关键电子化学品系列报告之光刻胶:雄关漫道真如铁_39页_2mb
报告摘要
光刻胶行业深度研究报告总结
核心内容
光刻胶是半导体集成电路制造的核心材料,其质量和性能直接影响集成电路的性能、成品率及可靠性。光刻工艺成本约占整个芯片制造工艺的 $35%$,耗时占 $40% - 60%$,因此光刻胶在半导体制造中具有重要地位。
主要观点
- 技术壁垒高:光刻胶技术壁垒极高,国内企业在技术上与全球先进水平存在较大差距,主要差距体现在高端产品如 $248\mathrm{nm}$ 和 $193\mathrm{nm}$ 光刻胶。
- 国内领先企业:国内光刻胶企业中,北京科华和苏州瑞红技术相对领先,但营收规模较小。
- 优选标的:推荐关注苏州晶瑞、南大光电和强力新材三家企业,其中苏州晶瑞持有苏州瑞红 $54.6%$ 股权,南大光电持有北京科华 $31.4%$ 股权,强力新材虽不直接生产光刻胶,但其原料已进入国际供应链。
- 解决路径:为突破技术瓶颈,建议采取“建立国家级光刻胶研发平台”和“跨国并购”两种方式。
关键信息
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光刻胶分类:
- 按显影原理:正像光刻胶、负像光刻胶。
- 按曝光波长:紫外光刻胶、深紫外光刻胶、电子束光刻胶、离子束光刻胶、X射线光刻胶。
- 按化学反应机理:光聚合型、光分解型、光交联型。
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技术参数:
- 分辨率(CD):衡量光刻胶区分硅片表面图形的能力。
- 对比度:影响图形侧壁陡峭程度和分辨率。
- 敏感度:光刻胶产生良好图形所需的最小曝光能量。
- 粘滞性/黏度:影响光刻胶的均匀性和覆盖性。
- 粘附性:保证后续工艺如刻蚀和离子注入的稳定性。
- 抗蚀性:在刻蚀过程中保护衬底。
- 表面张力:影响流动性与覆盖性。
- 存储和传送:需在密闭、低温、不透光条件下储存。
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光刻胶发展历史:
- 1958年:紫外负型光刻胶开发。
- 1950年左右:紫外正型光刻胶出现。
- 1980年代:深紫外光刻胶开始应用。
- 2011年:EUV光刻技术成为主流。
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光刻胶应用:
- 半导体:用于电路图案的形成,是制造过程中的关键材料。
- LCD:用于彩色滤光片和黑色光刻胶的制造,是TFT-LCD产业链的重要组成部分。
- PCB:用于线路板制造,包括干膜光刻胶、湿膜光刻胶和光固化阻焊油墨。
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市场规模:
- 全球光刻胶市场中,LCD光刻胶占比约 $26.6%$,PCB光刻胶占比约 $24.5%$,半导体光刻胶占比约 $24.1%$。
- 中国光刻胶市场快速增长,但高端产品仍依赖进口。
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中国光刻胶发展瓶颈:
- 缺乏先进的光刻机,受制于瓦森纳协定。
- 成膜树脂等原材料技术尚未成熟。
- 国产化程度较低,尤其在高端产品上。
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未来趋势:
- 电子产品升级换代加速,带动光刻胶市场需求。
- 国家政策支持国产化,推动光刻胶技术突破。
- 产业向高附加值、高技术含量方向发展。
投资建议
- 股票价格催化剂:电子产品升级换代加速,人工智能、可穿戴设备、虚拟现实等产业的兴起。
- 推荐标的:苏州晶瑞、南大光电、强力新材。
- 主要风险因素:
- 电子产品需求增长低于预期。
- 技术进步和进口替代进程低于预期。
附录
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图目录:
- 图1:光刻胶工作原理示意图
- 图2:紫外负型光刻胶机理
- 图3:紫外正型光刻胶感光机理
- 图4:248nm光刻胶成像机理
- 图5:193nm浸没式光刻机原理
- 图6:2014年光刻胶下游应用格局分布
- 图7:集成电路光刻蚀刻工艺流程
- 图8:中国集成电路产值规模及增速
- 图9:中国半导体产业销售额
- 图10:2019年12寸晶圆厂产能
- 图11:光刻胶市场需求情况
- 图12:STN-LCD原理
- 图13:TFT-LCD原理
- 图14:TFT-LCD阵列制程工艺示意图
- 图15:LCD产业链
- 图16:液晶面板出货量及增速
- 图17:LCD产业链微笑曲线(毛利率情况)
- 图18:全球LCD光刻胶市场规模
- 图19:中国LCD光刻胶市场规模
- 图20:PCB应用类别及产值
- 图21:PCB行业产值
- 图22:PCB行业增速
- 图23:中国PCB光刻胶市场规模
- 图24:中国PCB光致抗蚀干膜进出口数量
- 图25:苏州晶瑞营业收入(百万元)
- 图26:苏州晶瑞研发投入费用(百万元)
- 图27:苏州晶瑞利润结构
- 图28:苏州晶瑞毛利率
- 图29:强力新材营业收入(百万元)
- 图30:强力新材研发投入费用(百万元)
- 图31:强力新材利润结构
- 图32:强力新材毛利率
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表目录:
- 表1:根据感光树脂的光刻胶分类
- 表2:根据曝光波长的光刻胶分类
- 表3:光刻技术与集成电路发展关系
- 表4:光刻胶的分类
- 表5:中国半导体光刻胶市场销售情况
- 表6:国内高世代线一览表 (部分)
- 表7:PCB 光刻胶在华外国产商
- 表8:光刻胶国产化进程
总结
光刻胶作为半导体制造的关键材料,其技术发展和国产化对整个行业至关重要。目前中国在高端光刻胶领域仍存在较大差距,需通过建立国家级研发平台和跨国并购等手段突破技术瓶颈。随着电子产品升级换代和国家政策支持,光刻胶市场需求将持续增长,相关企业有望从中受益。
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