半导体设备行业跟踪报告-半导体制造技术进步-原子层沉积（ALD）技术是关键-光大证券_20页_1mb

ALD技术作为半导体薄膜沉积的核心工艺，具有高度可控的沉积厚度、优异的均匀性和三维保形性，特别适用于先进制程中的复杂结构薄膜沉积。其技术原理通过交替脉冲引入前驱体，并利用化学吸附的自限制特性逐层沉积原子，确保薄膜致密无孔洞。ALD在High-K栅介质层、金属栅、铜扩散阻挡层及微型电容器等关键工艺中应用广泛，尤其在28nm以下制程中，因器件结构更精细，ALD技术优势更加显著。

全球ALD设备市场由ASMI高度垄断，2020年其市占率达55%，而国内ALD设备国产化率仅8%（2020年），且中高端设备占比低。尽管国内企业如拓荆科技、微导纳米在ALD领域取得进展，但整体仍依赖进口。拓荆科技已实现PEALD设备产业化应用，TALD设备获客户订单；微导纳米的TALD设备在逻辑芯片High-K栅介质层实现产业化，PEALD设备在新型存储器及化合物半导体领域获得订单。两家公司均在推进技术验证和市场拓展。

ALD设备市场规模增速远超其他薄膜沉积技术。根据SEMI和MaximizeMarketResearch数据，2017-2020年全球薄膜沉积设备市场规模年均复合增长率达112%，预计2025年将达340亿美元。ALD设备CAGR预计达263%（2020-2025年），主要受益于先进制程产线扩张和晶圆厂产能提升。中国大陆和中国台湾合计新增约50%的全球300mm Fab厂，国内晶圆厂对国产设备需求增加，推动ALD市场发展。

当前半导体设备市场整体保持增长，2020年全球设备销售额约172亿美元，占晶圆制造设备投资的25%。随着3D器件结构演进，ALD设备在高深宽比沟槽沉积中的需求持续攀升。国内ALD设备企业面临技术突破和产业化验证双重挑战，但政策支持和技术进步为行业提供了发展机遇。重点公司需克服产品验收周期长、高端人才短缺及市场竞争等问题，以实现更大市场份额。