半导体行业深度二-存储拐点将至-新需求点亮曙光-国金证券_43页_5mb

存储技术在半导体行业中发挥关键作用，近期价格、供应和需求出现结构性变化。存储芯片包括DRAM、NAND、NOR等，其中DRAM和NAND占比超97%，2021年全球存储市场约1.67万亿美元，2027年预计达2630亿美元。需求端，AI和高性能计算带动HBM快速增长，2022-2026年CAGR达52%，2026年市场规模或达569亿元。供给端，原厂库存及模组厂商库存正在去化，NAND产能逐步收敛，预计2023年Q2-Q3库存见顶并出现价格反弹。
2021年DRAM全球市场占比56%，NAND占比41%，NOR仅占2%。NAND行业集中度高，2022Q3CR3达65%，CR6近95%。三星、海力士、美光等公司200层以上制程量产，Solidigm及铠侠/WDC工艺落后。3D堆叠技术成为突破存储密度瓶颈的核心，新增容量和带宽需求主导行业演进。HBM市场由海力士（50%）、三星（40%）、美光（10%）主导，未来将加速向4代HBM迭代。
中国存储产业链正形成完整格局，2021年存储厂商数量占全球22%，但营收贡献不足。随着全球数据量激增，中国半导体消费占比达53%，但自给率仅17.5%，国产替代空间巨大。兆易创新、东芯股份、普冉股份等厂商在NOR、SLC NAND等领域突破，2021年NOR市场占有率约23%。NOR市场在车机、物联网等新兴应用中受益，2028年市场规模或达607亿美元。
DRAM市场由三星（41%）、海力士（29%）、美光（26%）三家主营，合计占95%。2023年市场规模预计达596亿美元，需求端受AI算力提升推动，DDR5和HBM应用扩大。价格端，DRAM报价连续两年下跌，2023年跌幅达36%，但周期底部将逐步接近。NOR Flash需求因5G、TWS耳机等新技术复苏，国产厂商市占率稳步提升。
全球存储业面临海外经济衰退、库存积压、价格下跌及美国制裁等压力，但国内厂商在技术积累和政策支持下迎来机遇。重点推荐江波龙、兆易创新、澜起科技等企业，因其在3D NAND、HBM、车规存储及存储模组领域布局。未来中国半导体产业链将向高端化、自主化发展，2030年预期自给率40%，市场规模占比58%。技术层面，EUV光刻、3D堆叠等迭代将推动生产效率和性能提升，强化中国厂商竞争力。