20220116-申港证券-2022年1月第2周策略周报_美联储冲击走向平缓_半导体全面复苏继续驱动科技复苏行情_41页_4mb

文档总结

核心内容概述

本报告为2022年1月第2周的策略周报，主要围绕A股市场表现、美联储货币政策调整对市场的影响，以及第三代半导体材料（碳化硅和氮化镓）的全面扩张与技术落地情况进行分析。

A股市场表现

主要指数涨跌

• A股在2021年度开年表现较弱，指数全部下跌。
• 科创板和创业板表现优于大盘。
• 周内涨幅较大的指数有：科创50、创业板综、创成长。
• 周内跌幅较大的指数有：上证50、上证180、中证100、沪深300等。

资金流向情况

• 主要资金流入行业：医药生物、基础化工、农林牧渔。
• 主要资金流出行业：食品饮料、非银金融、机械设备。
• 北向资金总体净流入，净买入额为74.45亿元。
• 北向资金净买入前5的个股：国电南瑞（24.38亿元）、药明康德（15.58亿元）、紫金矿业（10.92亿元）、华友钴业（10.77亿元）、兴业银行（9.86亿元）。
• 北向资金净流出前5的个股：贵州茅台（-85.24亿元）、恒瑞医药（-45亿元）、伊利股份（-26.55亿元）、中国中免（-18.97亿元）、海螺水泥（-17.34亿元）。

全球市场核心观察

美联储紧缩货币政策将会被疫情拖慢

• 市场对2022年全年加息次数的预期更加确定，加息3次的概率为28.4%，加息4次的概率为30.4%，加息5次及以上的概率为23.8%。
• 美联储一月议息会议临近，加息预期有所衰减。
• 海外变异病毒持续扩散，对全球疫情防控造成压力，可能拖慢美联储的紧缩进程。

中观核心观察 - 第三代半导体材料全面扩张

碳化硅（SiC）应用

• 碳化硅具有较高的热导率和禁带宽度，适用于高电流密度、高击穿场强和高工作温度的场景。
• SiC MOSFET相比Si MOSFET具有更低的导通电阻和开关损耗，适用于更高工作频率。
• 住友金属矿山开始量产SiC晶圆，预计2025年实现月产1万片，可大幅降低电力损耗。
• 英飞凌开发了CoolSiC™沟槽栅碳化硅功率MOSFET，显著提高了系统性能和可靠性。

氮化镓（GaN）技术

• 氮化镓具有更好的热导率和更高的温度承受能力，有助于电源小型化、节能和降低成本。
• 氮化镓在光电、功率、射频三大领域具有应用潜力，其中硅基氮化镓可用于功率器件和小功率射频。
• Navitas Semiconductor 开设新设计中心，推进氮化镓在电动汽车、数据中心和太阳能领域的应用。
• 鸿海计划发展第三代半导体技术，建立机器人制造平台，以提升其在电动车、数字健康和机器人三大产业的竞争力。

技术落地与可靠性分析

英飞凌SiC MOSFET

• 器件需要额外的可靠性试验，包括材料缺陷、带隙影响、电场增强和高压快速开关等。
• 工业级SiC MOSFET的栅极氧化层可靠性得到显著改善，使其能够进入大众市场。
• 阈值电压漂移可能影响长期运行，需关注其对设计余量的影响。
• SiC MOSFET的抗宇宙射线能力与硅技术差异较小。
• SiC MOSFET抗短路能力较弱，但部分设计可提升至与IGBT相当的水平。
• SiC器件可能出现双极退化效应，但若缺陷在允许范围内，不会对长期运行造成影响。

质量认证与标准

• 英飞凌对SiC MOSFET进行产品级别的质量认证，包括HTRB、HTGS等。
• 为确保可靠性，英飞凌对所有标准试验进行至少3000小时的测试。
• 英飞凌推动设立JEDEC下的SiC分委员会（JC-70.2），制定相关质量认证标准。

全球半导体行业动态

台积电2021年度业绩报喜

• 台积电2021年度业绩显著增长，第四季度收益情况良好，不同制程和平台贡献的营业收入显示其业务结构持续优化。

风险提示

• 海外流动性风险
• 国内货币政策收紧风险

关键信息

• A股市场整体表现疲软，但科创板和创业板表现较强。
• 美联储加息预期有所变化，全年加息次数中枢上移。
• 碳化硅和氮化镓作为第三代半导体材料，正加速在电动汽车、光伏、数据中心等高功率领域应用。
• 英飞凌、Navitas Semiconductor、住友金属矿山等企业正在推动SiC和GaN技术的商业化落地。
• 鸿海计划发展第三代半导体技术，提升其在电动车、机器人等领域的竞争力。
• 半导体行业对可靠性和性能的要求日益提高，推动新的技术标准和测试方法的建立。