存储器结构性分道篇：重内存_23页_3mb

半导体行业研究总结 - 创新技术与企业服务研究中心

核心内容概览

本报告分析了全球半导体行业，特别是DRAM内存市场的发展趋势与投资机会。尽管短期内受到全球疫情、市场衰退及供需变化的影响，但从长期来看，DRAM内存产业正进入一个黄金发展期。报告重点分析了市场需求、供给结构、库存状况及价格预期等方面，并提出了投资建议与风险提示。

主要观点

1. 需求篇：DRAM进入黄金时代

• 人工智能服务器的兴起显著增加了对**HBM（高频宽内存）**的需求，预计到2030年，HBM在服务器存储器位元量中占比将从5-10%提升至15-20%。
• 服务器CPU的快速迭代，从DDR4到DDR5，以及从8通道到12通道内存模组的升级，将带动服务器DRAM需求增长，预计未来10年DRAM营收复合增长率可达21-22%。
• **自动驾驶（L3-L5）**的发展将大幅拉动车载内存需求，预计每辆车内存容量将从2021年的3.5-4.0GB提升至2030年的50-55GB，带动整体内存需求增长。
• 中低容量特殊利基型DRAM需求超过供给，尤其是由于力积电等厂商减少产能，而需求仍稳定增长，预计长期价格将保持相对稳定。

2. 供给篇：EUV光刻机扩大产业进入障碍

• EUV光刻机的高成本与获取难度显著提高了DRAM制造的门槛，预计未来10年DRAM位元产能复合增长率将从20%降至17%。
• 三星、海力士等厂商开始全面采用EUV光刻机生产先进制程DRAM，导致资本开支与折旧费用上升，影响利润率。
• 由于EUV光刻机短缺，未来10年全球DRAM行业将长期处于供给不足状态，预计仅有2-3次短期供过于求的下行周期。

3. 库存篇：库存转移成为新常态

• 全球内存/闪存大厂库存月数在2021年二季度降至2.9个月，但渠道商及系统厂商库存月数上升至4.2个月，成为库存转移的主因。
• 由于疫情影响，渠道商及系统厂商愿意承担更高库存，导致内存大厂库存向下游转移。
• 未来10年，存储器大厂库存预计维持在3.5-4.0个月，渠道商维持在3.5-3.8个月，系统厂商维持在2.0-2.5个月，成为新常态。

4. 价格篇：短期下跌，长期稳定

• DDR4现货价格在2021年三季度开始下跌，预计未来2-3个季度进一步跌破2美元。
• 合约价格也将从高点下调，预计影响DRAM大厂的营业利润率。
• 长期来看，由于位元密度需求增长加速，DRAM价格将趋于稳定，反映高资本开支与技术升级。

关键信息

投资建议

• 重点关注公司包括：
  • 镁光：因其不依赖高折旧EUV光刻机，生产成本较低。
  • 兆易创新：受益于合肥长鑫的产能与利润支持。
  • 澜起科技：受益于服务器内存通道数增加及HBM需求增长。
  • 北京君正：受益于自驾车对存储器芯片容量的大幅提升。

风险提示

• 新冠疫情可能导致全球半导体库存不降反增，影响价格走势。
• 中美技术竞争加剧，可能影响供应链与市场格局。
• 需求减弱：如笔电、Chromebook、平板、TV、游戏机、大尺寸手机等产品需求可能无法持续，影响DRAM及NAND的短期增长。

行业趋势

• DRAM需求增长：从过去五年18%提升至未来十年20-21%。
• EUV光刻机成本：单台售价1.5亿美元，远高于193nm ArF浸润式光刻机。
• 服务器内存通道数：从8通道提升至12通道，推动内存位元容量增长。
• HBM需求：人工智能服务器推动HBM需求，预计占服务器存储器位元量的15-20%。
• 车载内存：自动驾驶推动每辆车内存容量增长至50-55GB，带动内存需求增长。

未来展望

• 长期增长：DRAM内存产业预计在未来10年进入黄金时代，营收复合增长率达21-22%。
• 供给不足：由于EUV光刻机及良率问题，DRAM供给将长期不足。
• 库存管理：库存转移将成为常态，存储器大厂、渠道商及系统厂商库存将维持在较高水平。

总结

本报告认为，尽管短期内DRAM市场面临挑战，但长期来看，随着技术升级、需求增长及产业链调整，DRAM内存产业将进入一个增长较快的黄金时代。投资者应关注具备技术优势及产能保障的公司，如镁光、兆易创新、澜起科技及北京君正，同时警惕新冠疫情、中美技术竞争及短期需求波动带来的风险。