2017-长江证券：看好国内存储器行业，关注新型存储技术_27页-4mb

报告摘要

电子元件行业分析报告总结

核心内容概览

本报告聚焦于国内存储器行业的发展现状及新型存储技术（如相变存储器PCM、3D Xpoint）的产业化机遇。报告认为，随着存储器技术瓶颈的显现，相变存储器因其在速度、可靠性、功耗和存储密度上的优势，将成为未来存储器市场的重要发展方向。国内企业在相变存储器领域已取得一定技术突破，具备产业化潜力，同时也有望受益于全球存储器产业的转移和升级。

主要观点

存储器是国之重器，国内主要企业如紫光国芯和武汉新芯已推出产业发展蓝图，预计未来几年将获得大量投资支持。
相变存储器（PCM） 是一种具有潜力的新型存储技术，其速度优于Flash，且在存储密度上优于DRAM，能够在速度与容量之间找到平衡。
国外巨头如三星、美光、Intel、IBM等已投入大量资源研发相变存储器技术，并在某些方面取得突破性进展。
国内研究机构如华中科技大学武汉光电国家实验室和中科院上海微系统所，在相变存储器领域已具备一定成果，且专利布局较为全面。
相变存储器的产业化可依托现有CMOS生产线进行改造，从而降低投入成本，提升效率。
存储器封测需求增加，推动了国内封测企业如深科技和长电科技的发展，尤其是长电科技通过收购星科金朋，成为国内封测龙头。
南大光电和艾派克在相变存储器产业链中占据重要位置，前者提供新型MO源，后者拥有PCM IP授权，具备商业化潜力。
七星电子和鼎龙股份在设备制造和CMP抛光垫领域具有发展潜力，受益于国内存储器产业的扩张。

关键信息

存储器行业现状

存储器分为易失性（如DRAM）和非易失性（如Flash）。
DRAM市场由三星、海力士、美光主导，占比超90%。
NAND FLASH市场三星占据35.1%的份额，相变存储器的出现为解决传统存储器技术瓶颈提供了新方向。

国内外相变存储器布局

三星：2008年推出512Mb PCM芯片，2014年发布产业报告，技术节点已进入20nm。
美光：2009年推出1Gb PCM芯片，2011年发布首款PCM SSD，2015年与Intel联合推出3D Xpoint。
IBM：2011年发布多值PCM操作算法，2014年推出6位多值存储技术，2016年进入90nm工艺。
Intel：与美光合作推出3D Xpoint，采用交叉点阵列结构，实现高存储密度和快速读写。
国内：华中科技大学和中科院上海微系统所分别开发出1Mb和8Mb的PCM芯片，具备一定的技术积累。

相变存储器技术瓶颈与突破

技术瓶颈：传统闪存面临物理极限，如可靠性、擦写速度、有效擦写次数等问题。
相变存储器优势：读写速度是Flash的1000倍，存储密度是DRAM的8-10倍，耐用性是Flash的两倍。
多值存储：IBM在多值存储领域取得突破，有望降低存储成本。
三维堆叠：Intel和美光重点突破该技术，提升存储密度。

国内相变存储器产业化机遇

武汉新芯：计划5年内投资240亿美元，月产能达30万片，为新型存储器发展奠定基础。
CMOS工艺：相变存储器外围电路可利用现有CMOS生产线，成本较低，便于快速量产。
专利布局：国内在相变存储器领域专利占比约14%，在结构和电路方面具有优势。

公司名称	核心优势
紫光国芯	全方位布局存储器产业，收购西安华芯，具备DRAM和NAND生产能力
深科技	涉足存储器封装，拥有高端磁头制造技术，具备多领域发展潜力
长电科技	收购星科金朋，布局高端封测，受益于国内存储器产业转移
南大光电	拉动新型MO源需求，具备全球领先的MO源生产能力
艾派克	拥有PCM IP授权，推动PCM商业化，具备全产业链布局
七星电子	设备领域受益于国内存储器产业扩张，布局半导体设备和动力电池设备
鼎龙股份	CMP抛光垫领域新秀，具备较大增长空间