中微公司-高端半导体设备领军者，研发实力加速国产替代进程-200503_51页__4mb

高端半导体设备领军者，研发实力加速国产替代进程

核心内容

中微公司作为中国高端半导体设备的领军企业，专注于刻蚀设备和MOCVD设备的研发与生产。公司技术实力与国际龙头比肩，已广泛应用于65纳米至5纳米工艺，并在氮化镓基LED MOCVD设备市场占据全球60%以上的份额。公司凭借高研发投入和核心技术团队，实现了在刻蚀和MOCVD设备领域的技术突破，推动了业绩的快速增长。

主要观点

• 技术领先：中微公司在刻蚀设备领域已涵盖CCP、ICP和深硅刻蚀设备，技术达到国际先进水平，并在MOCVD设备领域成为全球氮化镓基LED市场的龙头。
• 研发投入高：2019年公司研发投入占营收的21.8%，研发人员占比38%，推动产品持续创新。
• 国产替代加速：公司产品在国内晶圆厂中的市占率不断提升，2020年Q1在长江存储刻蚀设备中市占率提升至22%，且在半导体产业链向中国转移的背景下，迎来发展良机。
• 客户结构丰富：公司客户包括台积电、中芯国际、长江存储、三安光电等国内外主流企业，产品在全球市场获得广泛认可。
• 盈利预测乐观：预计2020-2022年公司归母净利润将分别达到2.58亿元、3.94亿元和5.32亿元，首次覆盖给予“持有”评级。

关键信息

技术与产品

• 刻蚀设备：公司刻蚀设备包括CCP、ICP和深硅刻蚀设备，已应用于65纳米至5纳米工艺，且在3D NAND制造中表现优异。
• MOCVD设备：公司MOCVD设备已应用于LED制造，占据全球氮化镓基LED市场的60%以上，且正在研发适用于Mini/Micro LED和UV LED的设备。
• 其他设备：公司通过参股和控股的方式，向CVD、检测设备和环保设备领域延伸，实现多元化布局。

市场表现

• 收入与利润：2019年公司营业收入为19.5亿元，同比增长18.8%；归母净利润1.9亿元，同比增长107.5%。
• 毛利率与净利率：2019年公司毛利率为34.9%，净利率为9.7%，均稳步提升。
• 市场结构：2019年公司大陆地区收入占比达83.0%，台湾地区占比13.8%。

财务与运营

• 研发投入：2019年研发投入占营收比重21.8%，研发投入资本化比重为41.3%。
• 费用控制：公司销售费用率、管理费用率和财务费用率逐年下降，2019年三费率降至15.7%。
• 人均产值：2019年公司人均产值为269.3万元，持续增长。

发展战略

• 技术发展路径：公司刻蚀设备从桶式、平行板式向RIE/CCP、ME-RIE/CCP、ICP等更先进的形式发展，提升刻蚀精度与效率。
• 产品布局：公司通过自主研发和产品多样化，逐步构建起涵盖刻蚀、MOCVD、环保设备等的全面产品线，应对行业波动。
• 资本支持：公司获得国家集成电路产业投资基金（大基金）4.8亿元注资，股权结构相对分散，但大基金持股比例达17.45%。

投资与市场前景

• 盈利预测：预计2020-2022年公司营业收入分别为25.78亿元、34.49亿元和43.53亿元，归母净利润分别为2.58亿元、3.94亿元和5.32亿元。
• 市场前景：随着半导体产业链向中国转移，公司有望在刻蚀和MOCVD设备市场持续扩大市场份额，推动国产替代进程。

风险提示

• 行业周期波动：半导体行业受周期性影响较大，可能对公司的业绩产生波动。
• 新产品客户验证：新产品需要时间进行客户验证，存在不及预期的风险。
• 知识产权风险：公司在技术研发过程中可能面临知识产权纠纷或侵权风险。

图表与数据

• 图1：公司发展历程
• 图2：公司前五大客户丰富度不断提升
• 图3：大基金持有公司17.45%的股权
• 图4：未来10-15年公司通过三个维度生长成为国际一流微观加工设备公司
• 图5：2019年公司研发投入营收占比达21.8%
• 图6：2019年公司研发人员276人，占员工总数的38%
• 图7：16-19年公司营收CAGR为47.2%
• 图8：17-19年公司归母净利润CAGR为151.0%
• 图9：公司收入以刻蚀设备和MOCVD设备为主
• 图10：19年大陆地区收入占比83.0%，台湾地区收入占比13.8%
• 图11：2019年公司净利率9.7%，不断提升
• 图12：2018年刻蚀设备毛利率为47.5%
• 图13：公司三费率从16年的31.3%下降到19年的15.7%
• 图14：2019年公司人均产值为269.3万元
• 图15：刻蚀设备占晶圆制造设备的24%
• 图16：晶圆制造涉及刻蚀、薄膜沉积、光刻多次循环
• 图17：湿法刻蚀难以控制化学反应方向，目前多用于清洗
• 图18：刻蚀设备和沉积设备在晶圆制造设备投资中的占比不断提升
• 图19：10纳米多重模板工艺依托刻蚀设备和薄膜沉积设备的多次配合
• 图20：等离子刻蚀发展方向：向低压、高密度演变
• 图21：桶式刻蚀机偏向各向同性
• 图22：平行板式刻蚀机容易引起器件损伤
• 图23：RIE/CCP设备改进了上一代缺陷
• 图24：ME-RIE/CCP通过外加磁场的方式，使等离子密度更大
• 图25：电容性刻蚀兼顾高刻蚀速率和高选择比
• 图26：3D NAND存储器遇到的工艺挑战包括极高深宽比和硬掩膜版刻蚀
• 图27：硬掩膜版刻蚀是极高深宽比刻蚀的前一步
• 图28：HAR接触孔/互联孔的结构剖面图
• 图29：阶梯刻蚀涉及多次刻蚀
• 图30：双大马士革工艺较单大马士革工艺可以减少约20%的流程
• 图31：基于金属硬掩膜先沟槽双大马士革工艺集成方案
• 图32：PTFMHM已成为大马士革工艺主流
• 图33：Bosch工艺实现ICP深硅刻蚀中侧壁钝化
• 图34：钝化膜刻蚀实现封装过程中的引脚外接
• 图35：后道封装需要刻蚀芯片表面的钝化膜
• 图36：薄膜沉积可以看成是与刻蚀相反的反应
• 图37：半导体设备生产商top5市占率78%
• 图38：泛林半导体占据刻蚀机市场份额半壁江山
• 图39：泛林半导体的Flex和Kiyo设备可以解决3D NAND中的多项技术难点
• 图40：泛林半导体以刻蚀为着力点向前端薄膜沉积；后端清洗拓展
• 图41：泛林半导体70%的业务服务于存储芯片生产
• 图42：19年泛林半导体营业收入659.0亿元
• 图43：19年泛林半导体净利润151.6亿元
• 图44：19年泛林半导体研发费用81.32亿元，占收入的12.34%
• 图45：19年泛林半导体人均产值264.2万元
• 图46：19年泛林半导体经营活动现金流为81.3亿元
• 图47：19年泛林半导体ROE为40%
• 图48：19年AMAT半导体系统、应用材料全球服务、显示及相关市场占比62%、27%、11%
• 图49：19年AMAT营业收入1006.6亿元
• 图50：19年AMAT实现净利润186.5亿元
• 图51：近十年AMAT研发费用始终保持在收入10%以上
• 图52：19年AMAT人均产值457.6万元
• 图53：19年AMATROE为37%
• 图54：AMAT经营活动现金流长期为正
• 图55：19年TEL平板显示业务占91%
• 图56：19年TEL营收778.0亿元
• 图57：19年TEL利润151.1亿元
• 图58：2009-19近十年TEL研发费用投入平均占比为11.6%
• 图59：19年TEL人均产值为607.6万元
• 图60：19年TEL经营现金流为114.8亿元
• 图61：19年TELROE为30%
• 图62：半导体产业链转向中国
• 图63：大基金一期重点布局IC制造
• 图64：公司双反应台的刻蚀设备能帮助客户降低成本
• 图65：2019年LED下游市场规模超7500亿元
• 图66：2019年LED芯片CR3市占率达71%
• 图67：Micro-LED继承了LCD和OLED屏幕所有的优点
• 图68：Mini-LED弥补了LCD屏幕的部分缺点
• 图69：2018年全球MiniLED市场规模为128.1亿元，国内Mini-LED市场规模达56.9亿元
• 图70：UVLED下游应用广泛，2020年我国UVLED市场规模将达25亿元

表格与数据

• 表1：公司刻蚀设备和MOCVD设备已在一线客户的先进工艺中获得认证和重复订单
• 表2：公司客户涵盖台积电、长江存储等晶圆厂商和LED厂商
• 表3：公司核心技术人员均曾经在泛林半导体、应用材料等公司担任要职
• 表4：后道封装刻蚀步骤
• 表5：全球半导体设备市场集中度高，美、日、欧垄断市场
• 表6：全球营收前十五半导体设备公司业务分布广泛
• 表7：中微公司与三家国际刻蚀龙头相比增长空间大
• 表8：政策推动国内半导体产业发展
• 表9：国内晶圆厂投资扩产加速
• 表10：19年国内刻蚀设备市场规模为226亿元
• 表11：公司CCP刻蚀设备技术国际领先
• 表12：公司深硅刻蚀技术国际领先
• 表13：公司ICP刻蚀技术国际领先
• 表14：公司刻蚀设备在长江存储、华力集成等晶圆厂多点开花
• 表15：公司MOCVD技术领先
• 表16：公司MOCVD技术具体表征
• 表17：公司多项MOCVD技术正在研制中
• 表18：分业务收入及毛利率
• 表19：可比公司估值
• 附表：财务预测与估值