20240603-甬兴证券-电子行业存储芯片周度跟踪（20240527-0531）_24Q1全球DRAM环比+8.7_预期2025HBM生产量翻倍_10页_784kb

存储芯片周度跟踪分析总结（20240527-20240531）

价格与供需动态

• NAND 市场：

  • 上周（0527-0531）NAND 颗粒价格波动较大，22 个品类现货价格涨跌幅区间为 -473% 至 +413%，平均跌幅 -0.59%。具体表现为 5 个料号价格上涨，9 个料号价格持平，8 个料号价格下跌。
  • 根据慧荣科技总经理苟嘉章透露，NAND Flash 涨势有望持续至 2025 年上半年，消耗减产效应，目标是将利润率拉回至 40%。产能增加预期需 6 个月时间见效，整体供给能力预计到 2025 年下半年才会上升。
  • 部分嵌入式市场竞争加剧，因原厂稀缺资源供应紧张，但部分厂商通过采用多叠 die 方案等方式保障供应，导致部分 eMMC 价格小幅下调。

• DRAM 市场：

  • 上周（0527-0531）18 个品类 DRAM 现货平均跌幅达 -0.51%。所有 18 个料号均有下降趋势，无上涨或持平料号。
  • 一季度全球 DRAM 市场规模达到 18756 亿美元，环比增长 87%，同比增长 965%。三星、SK 海力士、美光、南亚科技、华邦电子等主要厂商营收均有显著增长。

• HBM 市场：

  • 随着 NVIDIA GPU 平台（特别是 Hopper/H100）的需求推进，HBM 产量预期在 2025 年将翻倍。
  • HBM3e 单颗容量相比 HBM3 有 3 到 4 倍的增长（例如 B200 采用 288GB HBM3e）。

投资建议

• HBM 产业：看好受益于 AI 和高速计算需求增长的 HBM 产业链，相关公司将有望加速成长。推荐关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等公司。
• 存储芯片：受益于供需改善、库存调整以及 AI 驱动的 HBM、SRAM、DDR5 等需求增长。推荐关注东芯股份，并建议关注恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等公司。

风险提示

• 中美贸易摩擦可能升级。
• 下游终端需求（如消费电子、数据中心等）可能不及预期。
• 国产替代进程可能低于预期。

市场动态补充

• 存储现货市场整体处于下行周期，尤其是渠道 PCIe 4.0 SSD 价格本月跌幅显著。
• 原厂资源供应仍是支撑某些 NAND/UFS 嵌入式存储价格的关键因素。

内容摘要

本报告对上周（20240527-0531）全球存储市场，特别是 NAND、DRAM 和 HBM 的价格、供需关系、市场动态以及未来预期进行了分析。

NAND 价格上周出现较大波动，慧荣预计涨势有望延续至 2025 年上半年，主要受减产和利润率目标驱动，但实际产能提升需时间。部分嵌入式渠道价格受供应策略变化有所下调。

DRAM 市场上周除个别产品线外普遍下行，但由于一季度的整体优异表现（环比 / 同比大幅增长）和下游需求增长，原厂整体营收依然强劲。

HBM 方面，依托于 NVIDIA GPU（尤其是高端 H100，并逐步投资 H200，为 Blackwell 平台预热）的长足发展，单颗容量和整体市场产销量存在显著增长潜力，2025 年预期实现产量翻倍。

投资角度聚焦 HBM 和存储芯片两条主线。结合市场风向下的中美博弈、终端新需求不达预期以及国产替代进度等风险因素进行提示。

报告提供具体的公司推荐名单以及核心分析师的部分过往报告内容作为佐证。