20240707-甬兴证券-电子行业存储芯片周度跟踪_HBM产能售罄至2025年_美光1γDRAM试产顺利_10页_710kb

存储芯片周度跟踪报告摘要（20240701-20240705）

核心观点

1. NAND市场：本周颗粒价格小幅波动，平均涨跌幅-0.06%；三星首次在第9代V-NAND工艺中引入钼沉积技术，以提升晶体管电阻率和减少延时，并带动行业技术升级。
2. DRAM市场：价格环比波动较大，平均涨跌幅0.92%；美光推进1γ工艺EUV试产，计划2025年量产，其DRAM芯片全面采用DUV光刻。
3. HBM市场：需求受AI、HPC推动，通用市场占比升至15%；主要厂商产能已售罄至2025年，HBM4技术迭代加速，接口与堆叠密度提升。
4. 整体市场：库存去化持续，渠道抢单激烈；SSD与内存条价格下行，嵌入式市场成交冷淡，需求复苏需等待Q3终端回暖。
5. 投资建议：重点布局HBM产业链、存储芯片行业复苏主线，推荐关注赛腾股份、东芯股份等，风险包括贸易摩擦和终端需求放缓。
6. 风险提示：中美贸易冲突、终端需求不及预期、国产替代进度延迟。

市场动态精要

• NAND价格多数稳中有跌，三星钼技术应用或成行业趋势。
• DRAM价格波动扩大，美光1γ工艺试产顺利，EUV量产预期提振市场信心。
• HBM产能全面售罄至2025年，HBM4技术或加速AI、数据中心等高性能应用需求。
• 整体存储市场供需矛盾突出，渠道抢单普遍，低端库存消纳缓慢，需求复苏依赖下游终端带动。