20240521-甬兴证券-存储芯片周度跟踪_NAND_DRAM价格小幅波动_HBM两巨头敲定合作_10页_779kb

存储芯片行业周度分析总结

核心观点

半导体行业周报聚焦于NAND、DRAM和HBM市场动态，分析当前价格趋势，并评估影响因素。

NAND市场

• NAM市场呈现反弹趋势，合约价预计Q2季涨幅达到15~20%。
• 上周现货价格变动范围为-209%至340%，整体环比小幅增长0.21%。
• 铠侠在24年Q1实现扭亏为盈，产品价格环比回升，预期供需平衡持续改善，推动价格继续上行。

DRAM市场

• DRAM价格小幅波动，上周18个品类价格环比走势介于-87%至62%，平均环比跌幅0.25%。
• 合约价季度涨幅估计达到13~18%，存储市场可能在经历价格谈判瓶颈后重新调整价格。

HBM市场

• HBM因对原厂产能的挤占，造成传统存储如DDR5产品的供给约束，市场出现“紧平衡”状态。
• SK海力士与台积电已合作敲定下一代HBM量产计划，以7nm制程制造HBM4基片。
• 三星预告HBM3将于第二季度量产，进一步凸显HBM在高端内存市场的主导地位。

市场动态

• 潜在产能冲突：HBM产品制程用晶圆量高于DDR5约2-3倍，且需TSV封装导致生产周期延长，影响存今劣势芯片出货。
• 中国市场表现周情：部分手机存储制造商为应对成本压力降低存储配置；手机厂商对价格涨幅接受度较低，价格谈判进展缓慢。

投资建议

• 推荐关注HBM产业链相关企业：赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；
• 推荐关注存储芯片领域：东芯股份，关注恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等公司。

风险提示

• 中美贸易摩擦加剧可能影响部分企业的经营；
• 终端需求变化可能对下游公司业绩造成波动；
• 国产替代进展未达预期将影响国内企业业绩表现。

公司动态

• 兆易创新预期第二三季度利基DRAM价格温和上涨；
• 澜起科技称DDR5内存接口单价提升，预计年中下游渗透率或超50%；东芯股份使用etox技术，普冉股份观察NORFlash市场周期变化。

行业新闻重点

• SK海力士提前计划量产HBM4，三星抢占HBM3E量产优势；
• 存储厂商与客户合约价格因季度需求疲软，再次调降报价。

报告指出，尽管面临需求和产能冲突，但先进算力芯片推动HBM需求增长，看好相关产业链的发展趋势。

以上总结报告内容基于周度分析，反映了当前市场动态，并对未来趋势进行了审慎预判。