20240527-甬兴证券-电子行业存储芯片周度跟踪_NAND_DRAM价格小幅波动_美光HBM产能维持高增速_10页_791kb

存储芯片市场周度总结（20240520-20240524）

市场概况

本周NAND和DRAM颗粒价格出现小幅波动，整体市场呈现调整态势。NAND市场18个品类价格环比涨跌幅在-367%至133%之间，平均下跌2.3%；DRAM市场18个品类价格环比涨跌幅在-127%至25%之间，平均下跌6.3%。消费类存储需求疲软，SSD和内存价格持续下调，部分闪存晶圆报价进一步下探。

NAND市场分析

NAND颗粒价格小幅波动，其中7个料号持平，6个上涨，9个下跌。展望未来，SLC NAND需求回暖可能晚于DRAM约一个季度，预计价格温和上涨。本周eMMC和UFS价格持平，但整体需求不佳，现货卖压增大。

DRAM市场分析

DRAM价格继续调整，16个料号下降，3个上涨。三星电子成功开发16层堆叠3DDRAM技术，采用垂直堆叠单元阵列晶体管(VS-CAT)设计，可能降低芯片尺寸约30%，推动下一代DRAM市场。

HBM市场动态

美光2025年HBM供应谈判基本完成，预计位元产能年复合增长率为50%，上调2024财年资本支出至80亿美元。12层堆叠的HBM3E样品已发布，容量提升50%，成为业绩增长来源。同时，AIPC推动标准内存需求增长40-80%。

市场展望与风险

消费端存储市场进入阶段性去库存期，预计需求短期内难好转。主要风险包括中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期，以及国产替代进展缓慢。

投资建议

推荐关注HBM产业链（如赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科）和存储芯片（如东芯股份、恒烁股份、佰维存储等），受益于AI发展和需求复苏，预计库存正常化和产能扩张将带动行业探底回升。

◼风险提示：中美贸易摩擦、需求下降、国产替代不及预期。