20210328-天风证券-半导体行业研究周报_存储供需紧缺_整体迎来上涨周期_10页_1mb

半导体行业分析总结

核心内容

半导体行业在2021年第二季度迎来价格上涨周期，主要受存储器供需紧缺推动。DRAM和NAND Flash作为存储市场的主要细分，分别预计上涨13~18%和3~8%。同时，行业技术持续升级，为长期发展提供支撑。

主要观点

• 行业基本面：半导体行业成长性优于周期性，下游应用如5G、新能源汽车、云服务器等持续推动需求。中国大陆地区“国产替代”逻辑显著，成为投资重点。
• DRAM市场：2021年Q2DRAM价格涨幅预计为13~18%。服务器DRAM涨幅最大，预计20%；消费/利基型DRAM涨幅为15~18%；笔记本电脑DRAM涨幅为13~18%。供需缺口仍存，价格有望持续上涨。
• NAND Flash市场：2021年Q2NAND Flash价格涨幅预计为3~8%。尽管Q1价格小幅下跌5~10%，但Q2需求支撑下价格将回升。三星、海力士、长江存储等厂商将扩大产能。
• 技术升级：存储器技术不断进步，推动行业发展。三星计划在2021年下半年向DDR5过渡，其速度提升2倍，功耗降低13%。SK海力士预计推出176层3D NAND产品，性能较128层提升显著。
• 投资建议：建议关注半导体产业链上的设计、制造及设备材料企业，如中芯国际、长电科技、北方华创、圣邦股份、兆易创新等。

关键信息

存储供需情况

• DRAM：供需缺口大，价格涨幅预计13~18%。细分领域中，服务器DRAM涨幅最大（20%），消费/利基型DRAM次之（15~18%），笔记本电脑DRAM涨幅为13~18%。
• NAND Flash：需求持续吃紧，价格预计从Q1小幅下跌5~10%，转为Q2上涨3~8%。三星美国德州厂因暴风雪停产，影响Q2产能恢复。

技术发展

• DDR5：三星计划在2021年下半年开始过渡，预计2023年下半年取代DDR4。
• 3D NAND：SK海力士发布176层3D NAND技术，写入速度提升35%，读取速度提升20%，数据传输速度提升33%。

行业格局

• DRAM：全球市场由三星、海力士、美光三家企业垄断，CR3占比达94.6%。
• NAND Flash：全球市场由三星、铠侠、西部、海力士、美光、英特尔六大企业垄断，CR6占比达98.2%。

投资主线

1. 封测/制造：受益于需求拉动，ROE有望回升，建议关注中芯国际、长电科技等。
2. 制造设备：国内晶圆厂建设持续推进，建议关注北方华创、华特气体等。
3. 下游应用：5G、车用半导体、IoT和摄像头等领域带来新增长点，建议关注兆易创新、圣邦股份等。

风险提示

• 疫情继续恶化
• 贸易战影响
• 需求不及预期

行业评级

• 行业评级：强于大市（维持评级）

建议关注公司

• 设计/制造企业：ASM Pacific、长川科技、北方华创、雅克科技、华懋科技、晶瑞股份、洁美科技、卓胜微、思瑞浦、新洁能、中芯国际(港)、华虹半导体(港)
• 封测/制造：中芯国际、长电科技、闻泰科技、赛微电子、环旭电子、三安光电
• 设备材料：北方华创、华特气体（机械）、至纯科技、盛美半导体、精测电子、天通股份（有色）
• 下游应用：兆易创新、圣邦股份、北京君正、卓胜微、苏试试验（军工）

行情与个股表现

• DRAM价格变化：预计2021年Q2价格上涨，具体涨幅因应用类别而异。
• NAND Flash价格变化：预计Q2价格回升，受产能扩张及需求支撑影响。
• 主要半导体公司涨跌幅：部分公司表现较好，如国科微、圣邦股份、富瀚微等，也有部分公司表现不佳，如华天科技、通富微电等。

分析师声明

本报告观点为分析师个人看法，不构成投资建议，亦不与报酬挂钩。

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• 行业投资评级：强于大市、中性、弱于大市

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