存储专题系列2_如何看待此轮存储周期的不同_21页_856kb

存储行业分析与投资建议总结

核心内容

本报告分析了当前存储行业的周期性变化及AI对存储需求的推动作用，认为本轮存储周期由AI驱动，不同于以往由消费电子主导的周期，其需求增长更为强劲且持续时间更长。随着AI训练和推理对算力需求的提升，数据中心对HBM、大容量DDR5及企业级SSD的需求快速增长，行业景气度持续提升。同时，海外存储大厂的产能扩张有限，且主要向高端存储产品倾斜，导致供需紧张状况持续至2027年。国内存储公司有望受益于行业景气度提升，建议关注兆易创新、北京君正、普冉股份、东芯股份、恒烁股份、江波龙、佰维存储、德明利等。

主要观点

• AI驱动存储需求：AI推理需求爆发成为存储需求的主要驱动力，预计2026年全球CSP资本支出将超7100亿美元，同比增长约61%。AI对存储需求拉动明显高于消费电子下滑的影响。
• 存储行业进入成长周期：行业周期属性逐步弱化，存储供需紧张持续至少至2027年，价格持续上涨。
• 供需格局变化：2026年海外存储厂商扩产有限，新增产能主要在2027年H2释放，导致2026-2027年NAND和DRAM供需缺口分别为-5.26%和-7.22%。
• 技术升级与产品迭代：海外存储大厂持续推进制程和技术升级，重点布局HBM、DDR5、企业级SSD等高端产品，同时探索HBF等新型存储技术。
• 国内存储厂商受益：随着海外存储厂商逐步退出利基市场，国内公司有望受益于价格上升和市场空间扩展。

关键信息

需求端

• AI推理需求爆发：成为存储需求的主要驱动力，预计2026年全球AI服务器NAND需求为133EB，同比增长156%。
• 消费电子需求承压：智能手机和PC出货量预计分别下降12.9%和11.3%，但AI服务器和企业级SSD需求持续增长。
• HBM市场增长：预计2030年HBM市场空间将达到980亿美元，CAGR为33%。2024年HBM市场为170亿美元，2025年预计达340亿美元。

供给端

• 海外存储厂商扩产有限：2026年主要扩产集中在NAND和DRAM，而HBM和DDR5产能主要在2027年H2释放。
• 产能分配：NAND和DRAM产能向高端产品倾斜，如HBM3E、HBM4、1b nm DRAM等，传统产品产能逐步减少。
• 库存水平低：海外存储大厂库存周转天数处于较低水平，表明市场供需紧张。

价格端

• 存储价格持续上涨：预计2026年全年存储价格上涨，特别是NAND和DRAM合约价格将分别增长70-75%和58-63%。
• 价格传导效应：大容量产品价格上涨较快，逐渐传导至中小容量产品。

投资建议

重点推荐

• 兆易创新：全球领先的NOR Flash、SLC NAND、利基DRAM和MCU厂商，受益于存储涨价趋势。
• 北京君正：专注于车规DRAM和SRAM，受益于AI对存储需求的提升。
• 普冉股份：通过收购SHM丰富产品矩阵，提升市场竞争力。
• 东芯股份：提供NAND、NOR、DRAM等存储芯片完整解决方案，受益于行业景气度提升。
• 恒烁股份：布局NOR Flash、MCU和AI芯片，具备较强的技术实力。
• 江波龙：国内存储龙头，受益于AI算力与存储模组涨价。
• 佰维存储：布局FOMS和CMC技术，满足大容量存储和存算合封需求。
• 德明利：提供企业级SSD国产化方案，助力SSD国产化进程。

风险提示

• 终端消费电子需求不及预期：若消费电子需求下滑超预期，可能影响存储行业需求。
• 资本开支不及预期：若AI应用进展缓慢，可能影响CSP资本开支，进而影响存储需求。
• 行业竞争加剧：若海外和国内厂商扩产超预期，可能导致供大于求，影响行业景气度。
• 技术发展不及预期：若HBM、HBF等技术发展滞后，可能影响相关公司业绩。

投资要点总结

附录：图表与数据来源

• 图1-3：全球智能手机、PC出货量及海外科技龙头资本支出
• 图4-9：HBM市场空间、HBF架构及AI服务器需求增长
• 图10-13：NAND与DRAM资本开支及库存情况
• 表1-8：海外存储厂商扩产情况、供需测算及盈利预测与估值

数据来源：TrendForce、IDC、各公司公告、wind、兴业证券经济与金融研究院整理