20191008-华泰证券-电子元器件深度研究：射频前端芯片国产化机会-受益5G终端需求增加_49页_3mb

行业研究报告总结：射频前端芯片国产化机会

核心内容

本报告聚焦于射频前端芯片行业，特别是5G技术带来的市场机遇与国产替代趋势。射频前端芯片是智能手机等移动终端通信系统的核心组件，包括功率放大器（PA）、低噪声放大器（LNA）、天线开关（Switch）、滤波器（Filter）和双工器（Duplexer）等，其性能直接影响通信质量。

随着5G商用进程的推进，射频前端芯片市场需求大幅增长。5G终端需要支持sub-6GHz和毫米波等频段，这不仅提升了射频前端芯片的价值量，还推动了其模组化封装的发展。Yole Development预测，全球射频前端芯片市场规模将在2023年达到350亿美元，年复合增长率（CAGR）达14%。其中，滤波器市场增长最快，预计从2017年的80亿美元增长至2023年的225亿美元，CAGR为19%。

主要观点

• 5G换机潮拉动需求：华为Mate30 5G手机发布，标志着5G终端进入市场。其价格低于预期，有助于推动5G换机潮，预计今明两年各大手机厂商将推出多款中高端5G手机，带动射频前端芯片需求增长。
• 国产替代正当时：目前射频前端芯片市场主要由Skyworks、Qorvo、博通、村田等国际巨头垄断，但随着华为、小米等国产手机厂商市场份额提升，国内厂商将获得更好的发展机会。射频前端芯片制造门槛相对较低，有利于国产厂商快速突破。
• 技术发展趋势：高频、集成化是射频前端芯片的两大发展方向。随着RF-SOI工艺的成熟，射频开关等关键器件将向SOI材料迁移，以实现更小体积、更低功耗和更高性能。
• 模组化封装：由于全面屏对体积的压缩需求，射频前端芯片将向模组化方向发展。国内厂商如卓胜微、三安光电等已在这一领域取得进展。
• 国产厂商崛起：卓胜微、汉天下、唯捷创芯等企业已在国内射频前端芯片市场占据一定份额，并在射频开关、LNA、PA等关键领域取得突破。

关键信息

5G对射频前端芯片的影响

• 频段增加：5G将支持sub-6GHz和毫米波，使射频前端芯片数量显著增加。
• 性能提升：5G在带宽、时延、同步等方面性能全面提升，对射频前端芯片的性能要求更高。
• 市场规模增长：Yole预计2023年全球射频前端市场规模将达350亿美元，其中滤波器市场增长最快，预计从80亿美元增至225亿美元。

国内厂商发展现状

• 卓胜微：全球第五大、国内第一大射频开关芯片设计公司，已打入三星、小米、华为等品牌供应链。
• 汉天下：国内最大的CMOS PA供应商，产品覆盖2G、3G、4G全系列，已实现大规模量产。
• 唯捷创芯：国内领先的射频IC设计公司，以GaAs工艺切入射频PA市场，4G PA出货量最大。
• 三安光电：国家大基金重点支持的化合物半导体制造企业，布局化合物半导体代工，具备SiGe工艺能力。

国际厂商竞争格局

• 主要厂商：Skyworks、Qorvo、博通、村田等国际大厂占据主导地位，其市场份额合计达86%。
• 技术优势：国际厂商在高频、集成度、工艺等方面具有领先优势，但国内厂商正通过技术积累逐步缩小差距。

射频前端芯片市场趋势

• 模组化：射频前端芯片将向高集成度模组发展，如PAMiD、LNA DivFEM等。
• 材料选择：GaAs、SiGe、SOI等材料在不同频段和应用场景中具有各自优势。
• 技术替代：GaN PA在5G基站中成为首选，其具有更高功率密度、更宽带宽和更小体积，适用于Massive-MIMO系统。

投资建议

• 关注国内龙头：建议重点关注卓胜微（射频开关、LNA）、三安光电（化合物半导体代工）、汉天下（CMOS PA）、唯捷创芯（GaAs PA）等。
• 关注海外领先企业：如村田（滤波器）、Qorvo（射频芯片）、Broadcom（FBAR滤波器）、Soitec（RF-SOI衬底）等。
• 技术与市场结合：关注具备先进封装技术的公司如华天科技、长电科技、环旭电子，以及拥有SiP技术的厂商。

风险提示

• 5G换机潮不及预期：若5G手机换机速度低于预期，将影响射频前端芯片市场需求。
• 中美贸易摩擦升级：可能对国内射频前端芯片厂商的海外业务造成影响。
• 国产技术进展不及预期：若国产射频前端芯片在技术上无法达到国际水平，将影响替代进程。

行业前景展望

射频前端芯片行业将在5G推动下迎来快速发展。随着国产替代的推进，国内厂商将逐步扩大市场份额。同时，高频、集成化和模组化是未来技术发展的主要方向，有利于提升芯片性能并降低终端体积。射频前端芯片市场将从2018年的150亿美元增长至2023年的350亿美元，增长潜力巨大。