半导体设备行业系列研究十：存储器扩产浪潮已至，国产设备千帆竞发广发证券-27页_1mb

报告摘要

国内存储器投资进入增速向上拐点：2020年迎来投资增长，中长期具备巨大潜力，长江存储与合肥长鑫将进入产能爬坡期，推动设备需求大幅增长。
本土存储器厂积极引入国产设备：由于对成本敏感及IDM模式带来的设备自主权提升，国产设备有望加速发展，预计2021年国产化率有望达到15%~20%，带动国产装备市场突破百亿空间。
存储器发展对半导体设备需求趋势影响显著：刻蚀设备投资占比提升、3D NAND推动高深宽比与ICP刻蚀需求增加、测试设备因存储器建设而快速增长、过程工艺控制设备因高深宽比结构面临良率控制难题。

存储器产业特点：
- 存储芯片技术标准化程度高，产品性能差异小，成本成为核心竞争力。
- 存储器厂商通过提升制造工艺和扩大产能来降低成本，从而在市场中取得优势。
国内存储器厂发展情况：
- 长江存储：总投资240亿美元，2019年Q4产能为2万片/月，预计2020年底扩产至7万片/月，2023年达30万片/月。
- 合肥长鑫：总投资1500亿元，一期产能12万片/月，目前2万片/月，预计2020年第一季度末达4万片/月。
- 紫光集团：在南京、成都、重庆建设集成电路基地，投资规模达千亿级别，有望对半导体设备需求形成有力支撑。
设备投资测算：
- 2019-2022年国内存储器厂设备投资分别为321.7亿元/495.0亿元/806.0亿元/1116.3亿元，其中本土存储器厂投资分别为88.3亿元/291.9亿元/519.7亿元/860.4亿元，2020年同比增速达231%。
- 国产设备市场空间测算：若2020年国产化率为10%~15%，则市场空间为29.2亿元~43.8亿元；若2021年达15%~20%，则有望突破百亿。

趋势一：投资占比提升：
- 3D NAND的发展推动刻蚀设备投资占比上升，其资本开支占比达50%，远高于传统NAND的15%。
- 2015年后，刻蚀设备在全球半导体设备销售额中占比超过薄膜沉积设备，2017年后进一步超过光刻机。
趋势二：高深宽比刻蚀需求增加：
- 3D NAND制造要求更高的深宽比（40:1~60:1），介质刻蚀成为重点。
- CCP刻蚀适用于硬材料，而ICP刻蚀适用于软、薄材料，随着工艺发展，ICP刻蚀比例逐步增加。
趋势三：刻蚀精度提升推动ICP刻蚀设备发展：
- ICP刻蚀设备能实现离子轰击速度与浓度的分开控制，提升刻蚀精度与速率。
- 随着特征尺寸缩小，选择比要求更高，ICP设备因具备低离子能量和高均匀性成为优选。

关注以下优质国内半导体设备厂商：中微公司、精测电子、至纯科技、芯源微、盛美半导体、长川科技、华兴源创、晶盛机电。
标*表示与广发电子、电新等小组联合覆盖。

股票简称	股票代码	货币	最新收盘价（元）	最近报告日期	评级	合理价值（元/股）	EPS(元) 2019E	EPS(元) 2020E	PE(x) 2019E	PE(x) 2020E	EV/EBITDA(x) 2019E	EV/EBITDA(x) 2020E	ROE(%) 2019E	ROE(%) 2020E
中微公司	688012	CNY	205.48	2019/11/26	买入	74.70	0.37	0.51	555.7	403.1	191.57	100.40	5.1	6.7
精测电子	300567	CNY	68.05	2020/2/5	买入	70.22	1.11	1.76	58.6	37.0	40.19	27.75	19.1	23.2
华兴源创	688001	CNY	55.33	2019/6/21	-	-	0.75	1.00	73.4	55.0	-	-	13.5	15.4
北方华创	002371	CNY	146.4	2020/2/4	买入	136.2	0.68	1.26	215.3	116.2	94.91	64.66	5.5	9.5
芯源微	688037	CNY	144.7	2019/12/6	-	-	0.33	0.50	438.5	289.4	-	-	3.7	5.3
晶盛机电	300316	CNY	22.01	2020/2/12	买入	24.52	0.53	0.82	41.8	27.0	32.40	21.39	14.4	18.6