2017-技术迎变革，新型存储器助中国弯道超车_51页-3mb

报告摘要

半导体存储器行业深度分析总结

核心内容

半导体存储器行业正经历重大技术变革，传统DRAM和NAND技术面临瓶颈，新型存储器技术（如3D NAND、3D XPoint、PCRAM等）成为未来发展的重点。中国正加快新型存储器的研发和产业化进程，希望通过技术突破实现“弯道超车”。本文重点推荐紫光国芯、兆易创新、华天科技、深科技、七星电子、上海新阳、兴森科技、南大光电、太极实业等公司，认为它们在新型存储器产业链中具有重要地位。

主要观点

全球半导体存储器市场规模庞大，但高度垄断
- 2015年全球半导体存储器市场规模接近800亿美元，占半导体市场总规模的23%。
- DRAM市场由三星、海力士、美光三家公司垄断95%以上，NAND市场由三星、东芝/闪迪、美光、海力士四家垄断99%。
- NOR市场相对分散，但三星、美光、飞索等企业仍占据主导地位。
传统存储器面临技术瓶颈
- DRAM：速度受限，需要周期性刷新，集成度高但成本高。
- NAND Flash：虽然非易失、成本低，但写入寿命有限，平面微缩技术面临物理极限。
- NOR Flash：读写速度快，但写入/擦除寿命短，且成本高。
新型存储器成为未来发展方向
- 3D NAND：通过垂直堆叠技术，突破平面微缩的物理限制，提升存储密度和性能，三星已量产64层3D NAND，预计2016年底开始量产。
- 3D XPoint：由英特尔和美光联合开发，兼具NAND和DRAM的优点，延迟介于两者之间，性能和成本优势明显。
- PCRAM：具备非易失性、低功耗、高寿命等优点，可应用于高端设备，如打印机、汽车电子等。
- RRAM：具有高读写速度、高耐久性、多位存储能力等优势，但面临丝状结构扩展难、串扰等问题。
- MRAM：非易失、写入速度快、功耗低，适合嵌入式系统和物联网应用。
- FRAM：具备非易失性和低功耗，适合需要频繁写入的场景。
中国在新型存储器领域有潜力实现弯道超车
- 中国拥有自主知识产权的PCRAM技术已取得突破，年出货量超千万颗。
- 紫光集团联合武汉新芯成立长江存储，推动国内存储器产业的发展。
- 中国在3D NAND、3D XPoint、PCRAM等新型存储器研发方面已取得一定进展，有望在技术上缩小与国外的差距。

关键信息

市场格局：全球存储器市场由三星、海力士、美光等寡头主导，中国是全球最大的存储器需求市场。
技术发展：传统存储器在微缩和性能上面临瓶颈，3D技术成为突破方向，同时新型存储器如3D XPoint、PCRAM、RRAM等在性能、成本等方面具有显著优势。
投资机会：新型存储器的发展为中国相关产业链企业带来机遇，重点推荐紫光国芯、兆易创新、华天科技等公司。
风险提示：存储器技术发展存在不确定性，量产进度可能不及预期。

重点公司财务指标（部分）

公司名称	股价（元）	16EPS	17EPS	18EPS	16PE	17PE	PB	评级
紫光国芯	37.63	0.67	0.81	0.98	56.2	46.5	7.8	强烈推荐-A
兆易创新	53.93	2.28	3.11	4.07	23.7	17.3	5.1	强烈推荐-A
华天科技	12.06	0.40	0.52	0.67	30.3	23.2	2.7	强烈推荐-A
七星电子	41.00	0.26	0.52	0.80	157.7	78.8	5.3	强烈推荐-A
兴森科技	25.73	0.45	0.73	1.07	57.2	35.2	5.7	强烈推荐-A
上海新阳	45.81	0.34	0.54	0.82	134.7	84.8	7.7	审慎推荐-A
南大光电	42.25	0.39	0.60	0.91	108.3	70.4	5.2	审慎推荐-A
深科技	10.88	0.29	0.33	0.39	37.8	33.1	3.1	审慎推荐-A
太极实业	9.05	0.17	0.23	0.28	54.5	40.2	6.5	审慎推荐-A