2017-光通信行业深度报告-硅光子行业进入爆发前期_25页_2mb
报告摘要
硅光子技术深度分析报告总结
核心内容
本报告聚焦于硅光子技术的发展前景及其对光通信行业的深远影响,重点分析了硅光子技术在数据中心和通信领域的应用潜力、技术突破、行业竞争格局以及投资建议。
主要观点
- 数据中心流量增长推动硅光子需求:数据中心流量正以指数级增长,预计到2020年将达2015年的5倍。随着数据传输需求的提升,传统铜线传输已接近物理极限,光进铜退成为必然趋势。
- 硅光子技术具备颠覆潜力:硅光子技术结合了CMOS工艺的高集成度和光子技术的高速率、低功耗优势,是应对摩尔定律失效的重要技术路径。
- 行业进入爆发前期:硅光子技术已进入集成应用阶段,激光器和功耗问题正在逐步解决,预计未来两年将出现行业爆发。
- 技术突破推动市场发展:IBM、Intel、Acacia等公司已实现硅光子技术的商用化,如Intel在2016年推出100G硅光模块,Acacia在2016Q3营收达1.35亿美元。
- 产业链布局加速:硅光子技术逐渐从“设计-制造-封装”环节向中上游发展,电子大厂如Intel、IBM、华为、Facebook等已深度参与研发和制造,推动行业格局重塑。
关键信息
1. 数据中心流量增长
- 全球数据中心流量预计在2020年达到14.1ZB,是2015年的5倍。
- 数据中心内部网络流量占全球通信流量的70%以上。
- 未来数据中心将向200G、400G甚至更高传输速度演进。
2. 硅光子技术优势
- 成本优势:硅光子技术采用CMOS工艺,具备高密度、低成本等特性。
- 性能提升:根据Intel规划,硅光子技术在2019年可实现每秒峰值速度提升8倍、能耗降低85%、成本降低84%。
- 应用场景广泛:硅光子技术不仅用于光通信和数据中心,还将在超级计算、传感器、虚拟现实等领域发挥重要作用。
3. 技术发展与行业催化剂
- 激光器技术:III-V族与硅光混合集成已商用,纯硅激光器仍处于研发阶段。
- 功耗问题:IBM在2013年推出32nm工艺硅光收发器,功耗约1pJ/bit,2025年目标降至200fJ/bit以下。
- 行业催化剂:PAM-4调制被400G以太网采纳,硅光产品开始批量出货,行业进入爆发前夜。
4. 市场空间预测
- YOLE预测:2018年全球硅光芯片及封装市场将达1.2亿美元,2024年将超7亿美元,年复合增长率38%。
- 市场应用:除了光通信和数据中心,硅光子技术在超级计算、军工、医疗、传感器等领域的市场空间巨大。
行业竞争格局
- 行业尚处于初步发展阶段,尚未形成稳定的竞争格局,设计-制造-封装各环节均存在机会。
- 电子属性增强:越来越多的电子公司(如Intel、IBM、华为、Facebook)参与硅光子技术研发和制造,推动行业向半导体属性转变。
- 下游厂商切入中上游:华为、Facebook、Ciena等公司已参与硅光子技术研发和产品开发,成为行业的重要推动者。
投资建议
重点推荐公司
| 股票名称 | EPS 16E | EPS 17E | PE 16E | PE 17E |
|---|---|---|---|---|
| 光迅科技 | 1.51 | 2.07 | 55.1 | 40.1 |
| 中际装备 | 0.39 | 0.56 | 61.7 | 42.7 |
| 长电科技 | 0.20 | 0.63 | 94.7 | 29.7 |
| 通富微电 | 0.21 | 0.35 | 55.8 | 33.9 |
建议关注方向
- 光器件厂商:如光迅科技、中际装备(拟收购苏州旭创),具备光通信产品、产能平台、客户资源等优势。
- 半导体厂商:如中芯国际、长电科技、通富微电,拥有资金、产线、半导体工艺等优势,具备较强的行业话语权。
风险提示
- 技术研发不及预期:硅光子技术发展可能因技术瓶颈或研发进度滞后而受阻。
- 与III-V族材料竞争失败:硅光子技术可能在与传统III-V族材料的竞争中失去优势。
- IDC业务发展不及预期:数据中心业务增长放缓可能影响硅光子行业需求。
行业发展趋势
- 硅光子技术正从技术探索转向商用落地,预计未来两年将迎来行业爆发。
- 集成度和性能提升:硅光子技术在设计-制造-封装环节逐步成熟,未来将实现更高集成度和更低功耗。
- 行业协同效应:随着技术成熟,硅光子产品将实现规模化生产,推动光通信行业整体升级。
未来展望
硅光子技术将对光通信行业进行深刻重塑,推动芯片层面光进铜退,并成为超级计算、虚拟现实、传感器等领域的核心技术。随着Intel、IBM、华为、Facebook等大厂的持续投入,行业将迎来快速发展,投资机会逐步显现。
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