深度报告-20230217-开源证券-异质结行业深度报告_HJT系列报告二_硅片薄片化+吸杂_可较好实现HJT电池降本增效_16页_1mb

电力设备行业深度报告总结：HJT电池降本增效路径及产业链受益分析

核心内容

本报告分析了HJT（异质结）电池在2023年的降本增效方式及产业链受益情况，重点探讨了硅片薄片化和吸杂技术对HJT电池成本和效率的影响。同时，报告对相关产业链公司进行了分析，并提出了投资建议。

主要观点

• HJT电池降本增效方式：HJT电池降本增效主要通过“三减一增”+提效实现，包括减少银浆消耗、减少主栅线银耗、减少硅料用量、增加光吸收量以及提升转换效率。
• 硅成本为HJT电池第一大成本项：截至2022年末，HJT电池成本中硅片成本占比约71%，是成本第一大项。通过硅片薄片化和吸杂工艺可有效降低硅成本并提升转换效率。
• HJT为低温工艺，适合薄片化：HJT电池的制造过程温度远低于PERC和TOPCon电池（最高不超过250°C），因此更适用于硅片薄片化，减少硅片翘曲风险。
• 吸杂技术提升硅片品质与电池效率：吸杂技术通过高温扩散去除硅片表面杂质，降低硅料采购成本并提升电池转换效率，预计可使HJT组件成本降低约0.6分钱/W。
• 产业链受益公司：TCL中环、高测股份、宇晶股份、奥特维等公司有望受益于HJT电池的发展。

关键信息

硅片薄片化

• 成本降低：在多晶硅致密料价格约200元/kg时，每减薄10μm可降低硅成本约0.016元/W；若硅料价格回落至100元/kg，对应成本降低约0.008元/W。
• 适用性：由于HJT电池为对称结构和低温工艺，硅片薄片化更易实现，减少翘曲风险，提升经济性。
• 企业进展：TCL中环已推出130μm和140μm N型硅片，薄片化能力领先。

硅片吸杂技术

• 技术原理：通过管式扩P或链式涂覆P源后高温扩散，去除硅片表面杂质，提升硅片品质。
• 降本提效：吸杂技术可降低对高纯度N型硅料的需求，减少N-P硅片价差（约6%）；同时提升HJT电池转换效率约0.15%，增强整体经济性。
• 成本影响：导入吸杂工艺预计可使HJT组件成本降低约0.6分钱/W。

产业链受益公司分析

投资建议

• 投资标的：TCL中环、高测股份、宇晶股份、奥特维。
• 投资逻辑：HJT电池通过硅片薄片化和吸杂技术实现降本增效，产业链相关企业将受益。
• 盈利预测（2022/2023/2024E）：
  • TCL中环：EPS分别为2.25、2.86、3.45，PE分别为19、15、12。
  • 高测股份：EPS分别为3.06、4.17、5.50，PE分别为24、18、13。
  • 奥特维：EPS分别为4.37、6.45、8.40，PE分别为46、31、24。

风险提示

• 光伏终端需求不及预期：若市场需求下降，可能影响HJT电池的推广和应用。
• 硅片薄片化不及预期：技术或成本限制可能导致薄片化进程放缓。
• HJT接受度不及预期：若HJT电池在市场上的应用不及预期，将影响产业链相关企业的收益。

附录：图表与数据来源

• 图1：HJT降本增效方式主要包含“三减一增”+提效
• 图2：2022年末硅片成本为HJT成本最大项（元/W）
• 图3：2022年末HJT电池硅片成本占比71%
• 图4：HJT电池为对称结构
• 图5：HJT电池制备工艺主要有4步
• 图6：HJT电池制备过程温度低于PERC和TOPCon电池
• 图7：两面温度不一致会引起硅片翘曲
• 图8：200元/kg硅料价格下210硅片每减薄10μm可节约成本1.6分钱/W
• 图9：HJT电池制备可利用低质量硅片增加吸杂工艺制备
• 图10：吸杂可降低硅片金属杂质浓度
• 图11：目前N型硅片占比较小
• 图12：150μm厚度G12N-P硅片价差约6%
• 图13：TCL中环硅片产能快速扩张（GW）
• 图14：TCL中环210N型硅片价格随减薄降低（元/片）
• 图15：TCL中环182N型硅片价格随减薄降低（元/片）
• 图16：高测股份2022年上半年金刚线和硅片及切割加工收入占比分别为24%、23%
• 图17：宇晶股份2022年上半年金刚线收入占比21%
• 图18：奥特维营业总收入快速增长
• 图19：奥特维归母净利润快速增长
• 表1：导入吸杂工艺可提升HJT经济性
• 表2：时创能源募集资金用于扩充链式退火设备产能（万元）
• 表3：受益标的估值表

总结

HJT电池作为新一代高效光伏技术，通过硅片薄片化和吸杂工艺实现降本增效，有望在新能源行业景气度提升的背景下迎来发展机遇。硅片薄片化降低硅成本，吸杂技术提升硅片品质与电池效率，两者共同推动HJT组件经济性提升。TCL中环、高测股份、宇晶股份、奥特维等公司因在硅片薄片化及吸杂环节具备技术优势和产能布局，将成为HJT产业发展的主要受益者。然而，光伏终端需求不及预期、硅片薄片化进度缓慢及HJT接受度不足仍是潜在风险。