20160826-招商证券-电子：半导体行业深度专题之六：技术迎变革，新型存储器助中国弯道超车_52页_3mb

报告摘要

半导体存储器行业深度分析总结

核心内容

半导体存储器行业正面临技术变革，传统DRAM和NAND存储器技术已接近瓶颈，新型存储器如3D NAND、3D XPoint和PCRAM等成为未来发展的重点。中国在新型存储器领域投入巨资，有望实现技术上的弯道超车。

主要观点

传统存储器瓶颈：
- DRAM：易失性，容量小，速度虽快但成本高。
- NAND：非易失性，成本低，但写入和擦除速度慢，寿命有限。
- NOR：读取速度快，但写入和擦除速度慢，容量小。
新型存储器的优势：
- 3D NAND：在性能、成本和容量上都有显著提升，采用垂直堆叠技术，突破平面微缩限制。
- 3D XPoint：结合NAND和DRAM的优点，具有低延迟和高密度，预计2016年底开始量产。
- PCRAM：非破坏性读写，寿命长，功耗低，具有良好的抗辐射能力，适合用于国防和航天。
- RRAM：具有高速、高耐久性和多位存储能力，适合用于物联网和消费电子。
- MRAM：非易失性，速度快，适合用于需要快速读写和低功耗的应用场景。
全球市场格局：
- 存储器市场呈现寡头垄断状态，三星、海力士、美光等公司在DRAM和NAND市场占据主导地位。
- NAND市场由三星、东芝/闪迪、美光、海力士四家占据99%的市场份额。
- NOR市场主要由美光、飞索、旺宏、三星、华邦等公司主导。
中国存储器产业进展：
- 紫光集团与武汉新芯合作成立长江存储，推动国内存储器产业发展。
- 福建晋华与台湾联电合作发展DRAM。
- 合肥政府也在布局DRAM产业。
- 中国在PCRAM领域已取得一定突破，拥有自主知识产权。
投资机会：
- 重点推荐紫光国芯、兆易创新、华天科技、深科技、七星电子、上海新阳、兴森科技、南大光电、太极实业等公司。
- 这些公司有望受益于新型存储器的快速发展和国产化趋势。

关键信息

市场规模：2015年全球半导体存储器市场规模约为772亿美元，占全球半导体市场约23%。
中国市场规模：2015年中国大陆地区半导体存储器市场规模为2843亿元（约400亿美元）。
技术进展：
- 三星于2016年8月量产64层3D NAND。
- 英特尔和美光计划于2016年底或2017年初量产3D XPoint。
- 中国在PCRAM领域已实现千万颗年出货量。
风险提示：存储器投资进度不及预期、新型存储器量产进度不及预期等。

重点公司财务指标

公司	股价	16EPS	17EPS	18EPS	16PE	17PE	PB	评级
紫光国芯	37.63	0.67	0.81	0.98	56.2	46.5	7.8	强烈推荐-A
兆易创新	53.93	2.28	3.11	4.07	23.7	17.3	5.1	强烈推荐-A
华天科技	12.06	0.40	0.52	0.67	30.3	23.2	2.7	强烈推荐-A
七星电子	41.00	0.26	0.52	0.80	157.7	78.8	5.3	强烈推荐-A
兴森科技	25.73	0.45	0.73	1.07	57.2	35.2	5.7	强烈推荐-A
上海新阳	45.81	0.34	0.54	0.82	134.7	84.8	7.7	审慎推荐-A
南大光电	42.25	0.39	0.60	0.91	108.3	70.4	5.2	审慎推荐-A
深科技	10.88	0.29	0.33	0.39	37.8	33.1	3.1	审慎推荐-A
太极实业	9.05	0.17	0.23	0.28	54.5	40.2	6.5	审慎推荐-A

结论

中国半导体存储器行业正处于技术变革的关键时期，新型存储器的发展为实现弯道超车提供了机遇。通过加大投资力度和技术研发，中国有望在3D NAND、3D XPoint和PCRAM等领域实现突破。重点推荐的公司有望在这一过程中受益，实现业绩增长和市场份额提升。然而，也需关注技术发展和量产进度不及预期的风险。

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