20160826-招商证券-电子_半导体行业深度专题之六_技术迎变革_新型存储器助中国弯道超车_51页_2mb

半导体存储器行业深度分析总结

核心内容

半导体存储器行业正经历技术变革，传统存储器技术如DRAM和NAND已面临瓶颈，新型存储器技术如3D NAND/DRAM、3D XPoint和PCRAM成为未来发展的重要方向。中国在新型存储器领域投入巨资，致力于实现技术突破，以期在存储器产业实现“弯道超车”。

主要观点

• 传统存储器技术瓶颈：DRAM和NAND在速度和成本方面难以满足日益增长的电子产品需求，且进入1x纳米制程存在技术和经济瓶颈。
• 新型存储器优势：3D NAND/DRAM、3D XPoint和PCRAM等新型存储器在性能、成本和可靠性方面具有显著优势，部分已实现量产。
• 市场格局：全球半导体存储器市场高度垄断，三星、海力士、美光等企业占据主导地位，但中国在新型存储器领域具备一定的追赶潜力。
• 中国布局：紫光集团联合武汉新芯成立长江存储，推动存储器产业发展。此外，福建晋华与台湾联电合作发展DRAM，合肥政府也积极布局DRAM产业。
• 投资机会：重点推荐紫光国芯、兆易创新、华天科技、深科技、七星电子、上海新阳、兴森科技、南大光电、太极实业等公司，认为它们在新型存储器产业链中具备重要地位。

关键信息

全球市场规模

• 2015年全球半导体存储器销售额为772亿美元，占全球半导体市场的23%。
• 全球DRAM市场销售额约为410亿美元，NAND Flash约为300亿美元，NOR Flash约为30亿美元。
• 存储器市场呈现寡头垄断格局，三星、海力士、美光等企业占据主导地位。

技术发展趋势

• 3D NAND：通过垂直堆叠技术实现更高密度和容量，三星、东芝、西部数据等公司已实现64层量产，预计2020年3D NAND将占NAND总量的70%。
• 3D XPoint：英特尔与美光联合开发，具有比NAND更快的速度和比DRAM更低的延迟，预计2016年底或2017年初量产。
• PCRAM：具有非易失性、高寿命和低功耗，三星、美光等公司已实现小规模量产，国内中科院和华中科技大学也有相关研究进展。
• RRAM：具有高写入速度、耐久性好、支持多位存储，Crossbar等公司已推出原型产品，国内中芯国际与Crossbar达成合作。
• MRAM：非易失、写入速度快、功耗低，适合嵌入逻辑芯片，未来有望在物联网、汽车电子等领域广泛应用。

中国发展现状

• 中国是全球最大的存储器需求市场，2015年市场规模约400亿美元。
• 中国在传统存储器领域存在明显差距，但在新型存储器方面具备一定技术积累。
• 国内企业如紫光国芯、兆易创新、华天科技等在新型存储器产业链中占据重要位置。

重点公司财务指标

未来展望

• 市场前景：半导体存储器市场空间巨大，预计未来几年内3D NAND、3D XPoint、PCRAM等技术将逐步取代传统存储器。
• 技术突破：3D NAND和3D XPoint技术已取得突破，部分产品开始量产，PCRAM和RRAM也具备商业化潜力。
• 投资建议：关注具备自主知识产权和较强技术实力的国内公司，如紫光国芯、兆易创新、华天科技等，它们有望在新型存储器领域实现突破，分享行业红利。

风险提示

• 存储器投资进度不及预期。
• 新型存储器量产进度不及预期。

技术挑战与机遇

• 技术挑战：新型存储器在量产、成本控制、热串扰、数据稳定性等方面仍面临挑战。
• 技术机遇：中国在新型存储器领域具备一定的技术基础，且政策支持力度大，有望实现技术突破和市场占有率提升。

总结

半导体存储器行业正经历由传统技术向新型技术的转型，中国在这一过程中具有重要的发展机遇。通过技术攻关和产业链布局，中国有望在新型存储器领域实现弯道超车，特别是在3D NAND、3D XPoint、PCRAM等技术方向。重点推荐的公司具备较强的技术实力和市场潜力，值得投资者重点关注。