2022-08-26-上交所-拓荆科技2022年半年度报告_162页_2mb
报告摘要
拓荆科技股份有限公司2022年半年度报告总结
公司概况
- 公司代码:688072
- 公司简称:拓荆科技
- 公司全称:拓荆科技股份有限公司
- 法定代表人:吕光泉
- 注册及办公地址:辽宁省沈阳市浑南区水家900号
- 公司网址:www.piotech.cn
- 电子信箱:ir@piotech.cn
核心内容概述
财务表现
- 营业收入:523,216,870.90元,同比增长364.87%
- 净利润:108,122,692.12元,实现扭亏为盈
- 扣除非经常性损益净利润:49,150,276.77元,同比增长1.17亿元
- 经营活动产生的现金流量净额:261,341,641.50元,同比增长2.94亿元
- 净资产:3,429,681,082.65元,同比增长187.58%
- 总资产:5,601,016,787.77元,同比增长122.46%
- 基本每股收益:1.03元/股,同比增长1.24元/股
- 研发投入占营业收入比例:22.46%,同比下降49.22个百分点
技术研发与产品
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主要产品:PECVD、ALD、SACVD设备
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产品特点:
- PECVD设备:可沉积多种介质薄膜材料,支持8英寸与12英寸晶圆,具备高产能和低生产成本优势
- ALD设备:用于高深宽比、极窄沟槽开口的薄膜沉积,应用于逻辑芯片、存储芯片及先进封装领域
- SACVD设备:用于沟槽填充工艺,适用于DRAM存储芯片制造等
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研发投入:本期研发投入为1.18亿元,同比增长45.66%,主要因研发直接投入和研发人员薪酬增加
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研发成果:累计申请专利625项,获得专利187项,其中发明专利107项
核心技术与竞争优势
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核心技术:
- 先进薄膜工艺设备设计技术
- 反应模块架构布局技术
- 高产能平台技术
- 等离子体稳定控制技术
- 反应腔关键件设计技术
- 气体输运控制系统
- 气体高速转换系统设计技术
- 反应腔温度控制技术
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核心竞争力:
- 技术优势:拥有丰富的技术储备和国际先进的核心技术,产品性能达到国际同类设备水平
- 研发团队:国际化、专业化的研发团队,具备深厚的专业知识和丰富的产线验证经验
- 市场地位:国内领先的半导体薄膜沉积设备厂商,打破国际厂商在高端设备领域的垄断
- 客户资源:与国内主要集成电路晶圆厂建立稳定合作关系,市场占有率不断提升
- 供应链优势:拥有稳定的供应链体系,运营成本相对较低
行业情况与市场前景
- 行业地位:半导体设备是半导体产业链的技术先导者,国内半导体设备市场主要依赖进口,国产替代空间广阔
- 行业增长:2022年全球半导体设备市场保持增长,中国大陆成为全球晶圆厂新增产能中心
- 薄膜沉积设备市场:
- 2021年全球市场规模约210亿美元,中国大陆市场占比约28.87%
- 2022年预计全球市场规模达到250亿美元,中国大陆市场持续增长
- 发展趋势:
- 芯片工艺进步推动薄膜沉积设备需求增加
- 28nm及以下制程设备需求增长显著,推动设备研发和产业化进程
- 3D NAND、DRAM等存储芯片制造对薄膜沉积设备依赖度提升
重要事项与风险提示
- 风险提示:公司已对可能存在的风险进行详细说明,但未提及重大风险
- 未出席董事情况:杨征帆董事无法取得联系,未委托他人代为行使职权
- 利润分配预案:无
- 公司治理:无特殊安排
- 前瞻性陈述:公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述不构成实质承诺
- 非经常性损益:非经常性损益合计58,972,415.35元,主要来源于政府补助及股份支付影响
产品与市场拓展
- 产品应用领域:
- 28nm及以上逻辑芯片、3D NAND FLASH、DRAM存储芯片制造
- 先进封装领域
- 订单增长:公司设备在客户端产线累计流片量增加至7100余万片,平均机台稳定运行时间超过90%
- 新产品布局:
- TS-300(多边形高产能平台)
- HDPCVD设备
- PE-ALD设备
- Thermal-ALD设备
- 深沟槽填充薄膜工艺设备
- 三维集成设备
研发投入与人员构成
- 研发投入:
- 费用化研发投入1.18亿元,同比增长45.66%
- 研发人员296人,占公司总人数的43.72%,其中硕士及以上学历占比55.41%
- 研发人员薪酬:本期合计4,153.92万元,同比增长1.88亿元
结论
拓荆科技在2022年上半年实现了显著的业绩增长,营业收入和净利润均大幅上升,主要得益于国内半导体行业的快速发展及公司产品竞争力的提升。公司核心技术达到国际先进水平,研发投入持续增加,产品线不断拓展,市场占有率稳步提升。同时,公司注重供应链管理和客户服务,增强了市场竞争力。未来,随着半导体行业向先进制程发展,拓荆科技有望在薄膜沉积设备领域继续扩大市场份额。
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