2020年中国存储器芯片行业概览_28页_1mb

2020年中国存储器芯片行业总结

核心内容

中国存储器芯片行业在2020年持续增长，主要受益于PC及移动端内存容量扩大、可穿戴设备市场扩张、大数据云计算技术发展等多重因素。存储器芯片作为电子系统的核心硬件单元，其性能直接影响电子设备的运行效率，主要分为DRAM、NOR Flash和NAND Flash三类。

主要观点

• 存储器芯片具有大宗商品属性，技术指标标准化程度高，品牌化程度弱，用户粘性低。
• 中国存储器芯片行业在国产替代方面有较大潜力，尤其是在NOR Flash领域已实现基本进口替代，而在DRAM和NAND Flash领域仍存在较大差距。
• 5G、物联网、云计算等新兴技术推动存储芯片市场需求增长，尤其是NAND Flash和DRAM。
• 头豹研究院指出，中国存储器芯片市场增速高于全球市场，预计到2024年市场规模将突破522.6亿美元，占全球市场约14%。

关键信息

市场规模

• 2014年：45.2亿美元
• 2019年：123.8亿美元
• 2024年预测：522.6亿美元
• 年复合增长率（2019-2024）：28.6%

主要存储器类型

• DRAM：主要用于内存条，市场领先参与者包括华邦、旺宏、兆易创新、Cypress、美光等。2020年市场规模约20-30亿美元。
• NOR Flash：用于系统启动代码存储、密码存储等，市场领先参与者包括三星、SK海力士、美光、南亚、华邦等。2020年市场规模约20-30亿美元。
• NAND Flash：主要用于大容量数据存储，市场领先参与者包括三星、SK海力士、英特尔、美光、西数、铠侠等。2020年市场规模约20-30亿美元。

技术发展

• NOR Flash：技术相对成熟，中国厂商已具备一定竞争力。
• DRAM：中国厂商技术落后，自给率仅为15%左右。
• NAND Flash：中国厂商如长江存储已实现64层3D NAND闪存的小规模量产，预计未来将实现128层技术突破。

产业链分析

• 上游：半导体材料与设备，大基金二期重点支持，中国厂商在该领域具备较大的国产替代空间。
• 中游：存储芯片制造，中国厂商在封测环节已实现全球领先水平，但在高端制程领域仍需提升。
• 下游：消费电子、汽车电子、云计算等领域，市场需求不断增长，推动存储芯片行业快速发展。

国内主要企业

• 武汉新芯：专注于NOR Flash与XtackingTM技术，是紫光集团的核心企业，已实现12英寸芯片制造。
• 长江存储：专注于3D NAND闪存，已实现64层TLC 3D NAND闪存量产，未来将实现128层技术突破。
• 长鑫存储：专业从事DRAM制造，已建成12英寸晶圆厂，实现DDR4国产化突破。

市场趋势

• 5G手机：将大幅增加存储器用量，预计2020-2021年NAND Flash增长率超30%。
• 云服务器：因疫情推动在线业务增长，服务器用DRAM占比将提升至38%。
• 物联网：带动NOR Flash需求增长，因其性价比高，成为物联网设备首选存储方案。

政策支持

• 国家出台多项政策鼓励存储器芯片产业发展，如《国务院关于印发进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展若干政策的通知》等。
• 政策持续推动中国存储芯片行业技术升级与国产替代进程。

风险因素

• 新冠疫情：影响下游整机产能，导致存储芯片库存周期延长，产能爬坡困难。
• 技术封锁：制约中国存储器芯片技术发展，需加强IP创新与自主制造能力。

未来展望

随着5G、物联网、云计算等技术的进一步发展，中国存储器芯片行业将进入黄金发展期。预计到2024年，中国存储器芯片市场规模将突破522.6亿美元，占全球市场约14%。未来，随着国产替代进程的推进，中国存储器芯片行业将在全球市场中占据更加重要的位置。