20150616-广发证券-三安光电-600703.SH-携手大基金_国家化合物半导体整合平台腾飞_11页_1mb

三安光电 (600703.SH) 总结

核心内容

三安光电通过与国家集成电路大基金、华芯投资、国开行等签订战略合作协议，获得350亿人民币以上的专项基金支持，旨在布局Ⅲ—V族化合物半导体领域，推动其在军工、无线通讯、光纤通信等关键领域的应用。公司通过股份转让和战略合作，不仅提升了在化合物半导体制造环节的竞争力，还进一步强化了其在半导体产业链中的地位，有潜力成长为“III—V族化合物半导体芯片界的台积电”。

主要观点

• 国家支持与资本运作：三安光电与国家大基金合作，获得重要资源支持，为公司发展提供资金保障和战略协同。
• 国产替代需求强烈：我国已成为全球功率半导体最大消费市场，占全球一半的份额，国内在砷化镓/氮化镓半导体领域存在强烈替代需求。
• 技术与市场潜力：III—V族化合物半导体具有高频率、高功率、低能耗等优势，是未来集成电路的重要发展方向，尤其在5G、军用、新能源等领域应用广泛。
• 行业增长空间大：砷化镓和氮化镓半导体市场前景广阔，全球市场预计在2017年达到百亿美元级别，国内需求增长迅速。
• 公司战略布局：通过设立专项基金，三安光电将加速海外并购与技术研发，推动国内化合物半导体产业链发展。

关键信息

合作与资金支持

• 三安集团将其持有的公司9.07%股份转让给国家大基金。
• 与华芯投资、国开行、三安集团签订战略协议，拟设立350亿人民币以上的Ⅲ—V族化合物集成电路发展专项基金。
• 该基金用于支持海外并购、技术研发和新建生产线。

III—V族化合物半导体

• III—V族化合物半导体包括砷化镓（GaAs）和氮化镓（GaN），是第二代和第三代半导体的代表。
• 砷化镓主要用于高频微波功率器件，氮化镓则因其宽禁带特性成为高温、高频、大功率器件的首选材料。
• 三安光电通过切入军工订单，实现砷化镓/氮化镓半导体制造环节的突破。

市场应用

• 无线通讯：砷化镓半导体在智能手机射频模组中广泛使用，4G和未来5G将推动需求增长。
• 军工应用：军用雷达、防撞系统等均依赖砷化镓/氮化镓半导体，国内供应链尚不完善，三安有望成为代工厂商。
• 光纤通讯：宽带中国战略带动光纤通讯需求，进一步推动砷化镓半导体应用。

盈利预测

• 2015-2017年EPS分别为0.87元、1.12元、1.38元。
• 公司营收和净利润预计持续增长，2015年营收达67.66亿元，净利润达21.24亿元。
• 市盈率（P/E）预计从2015年的34.6降至2017年的21.9，估值有望提升。

财务指标

增长与盈利能力

• 营收增长率预计从2015年的47.7%逐步放缓至2017年的21.9%。
• 净利润增长率预计从2015年的42.3%下降至2017年的22.6%。
• 毛利率和净利率保持稳定，显示公司盈利能力逐步提升。

风险提示

• 行业发展速度低于预期。
• 行业竞争加剧，可能影响公司市场份额和利润空间。

总结

三安光电凭借与国家大基金及多家金融机构的战略合作，获得了重要的资金与政策支持，推动其在III—V族化合物半导体领域的发展。公司有望成为国内化合物半导体制造的重要力量，特别是在军工和无线通讯领域。随着国家政策扶持和市场需求增长，三安光电具备良好的发展前景，盈利能力和估值有望持续提升，获得“买入”评级。