20240702-甬兴证券-电子行业存储芯片周度跟踪_大厂NAND开工率升至70_SK海力士3D_DRAM良率尚佳_11页_697kb

报告摘要

存储芯片周度跟踪报告总结

NAND市场：上周NAND颗粒市场价格平均跌幅0.33%，生产开工率从20-30%上升至70%以上，推动韩国半导体材料供应商如Soulbrain和WonikMaterials扩大供应能力，预计营业利润增长。22个品类中，12个料号价格下跌，7个持平，3个上涨，整体需求由AI数据中心驱动。
DRAM市场：上周DRAM颗粒价格平均涨跌幅极小（-0.02%），但3D堆叠DRAM的产品性能不稳定，需要32-192层存储单元堆叠方能实现商业化，SK海力士的5层堆叠3D良率达561%，但面临性能挑战。
HBM市场：ASMPT与美光联合开发HBM4热压键合设备，热压键合机订单因三星和SK海力士增加HBM生产而增长，预期销量上升。HBM产能扩张支持高端计算应用，相关设备需求激增。
整体市场行情：存储现货价格处于底部盘整阶段，需求低迷，渠道厂商抢单竞争激烈，但议价空间小。eMMC和嵌入式存储部分价格小幅下跌，整体需求不及预期，库存压力大。
投资建议：推荐关注HBM产业链公司，如赛腾股份、壹石通、联瑞新材等，受益于算力芯片增长；存储芯片领域，如东芯股份、恒烁股份、佰维存储等，有利好于供应端涨价和库存正常化。行业整体看好半导体周期复苏。
风险提示：中美贸易摩擦可能影响部分公司运营；下游终端需求或国产替代不及预期，导致业绩波动。存储行业SSD和内存条价格上周保持稳定，但需警惕市场变化。