存储芯片_自主可控推升政策空间_大数据及NAND_FLASH拉动存储爆发_31页_2mb

存储芯片：自主可控推升政策空间，大数据及NAND FLASH拉动存储爆发

核心内容

存储芯片作为半导体基础产品，与数据相伴而生，是信息安全的重要保障。随着大数据、物联网等新兴技术的发展，存储芯片市场空间巨大，全球总产值约800亿美元，其中DRAM市场占比最大，达到457亿美元，NAND FLASH市场306亿美元，NOR FLASH市场33亿美元。存储芯片具有技术差距大、行业集中度高、周期性强、资金投入大的四大特性，使得国产化任务艰巨，但国家意志正强力推进存储芯片国产化进程。

主要观点

1. 存储关乎安全：存储芯片是信息安全的关键，一旦被攻击，可能导致信息泄露，影响多个行业。目前我国几乎100%依赖进口，亟需实现国产替代。
2. 存储芯片技术壁垒高：全球存储厂商掌握大量专利，技术保密性强。中国厂商需通过技术合作和自主研发双管齐下，突破技术瓶颈。
3. 存储产业周期性强：存储厂商通过扩产或减产影响全球供需，导致价格波动。当前全球存储厂商正进行新一轮扩产，未来3-4年可能打破平衡。
4. NAND FLASH前景广阔：3D NAND FLASH技术将推动中国实现弯道超车。SSD替代HHD是长久趋势，预计2022年全球SSD市场规模将达2295亿美元，年均复合增长率40.7%。
5. DRAM市场需求稳中有升：移动和企业端需求提升，DRAM市场格局有望被打破，中国厂商正加快布局。

关键信息

• 技术差距：我国存储芯片制造工艺与国外相比差距显著，NAND FLASH和DRAM技术尚处初期阶段。
• 行业集中度：全球DRAM市场由三星、SK海力士、美光三家企业占据90%的份额，形成寡头垄断。
• 资金投入：2015年存储芯片行业资本支出占半导体产业的38%，三星、美光等厂商投资力度大。
• 国家支持：紫光集团、武汉新芯、福建晋华、合肥兆基科技等企业已获得巨额投资，推进存储芯片国产化。
• 投资建议：推荐深科技，其旗下的沛顿科技具备国际一流的存储封测技术，受益于国产化趋势；紫光国芯、兆易创新、华天科技、长电科技等企业也值得关注。

国家战略与产业布局

• 紫光集团：计划投入600亿元建设存储芯片工厂，未来5年投资300亿美元主攻存储器芯片制造。
• 武汉新芯：240亿美元打造存储器基地，计划2018年量产，2020年实现月产能30万片。
• 福建晋华：与联电合作，投资370亿元开发32纳米制程的利基型DRAM。
• 合肥兆基科技：投资460亿元建设DRAM工厂，预计2018年下半年量产。

NAND FLASH发展

• 应用领域：NAND FLASH主要用于智能手机、平板电脑、SSD等大容量存储设备，是SSD核心组件，占SSD总成本的70%-80%。
• 3D NAND技术：从2D到3D转型，使存储密度和成本下降，成为未来趋势。三星、美光、英特尔等厂商已开始量产。
• 市场需求：SSD替代HHD是长久趋势，预计未来8年SSD市场规模将增长至2295亿美元。

DRAM市场

• 应用领域：DRAM广泛应用于PC、智能手机、服务器等设备，2014年全球DRAM市场中，PC占比31%，智能手机占比32%，服务器占比12%。
• 国产化进展：紫光国芯、武汉新芯、福建晋华、合肥兆基科技等企业正在推进DRAM项目，有望打破市场格局。

投资策略

• 首推深科技：其旗下沛顿科技具备强大的存储封测能力，为金士顿和美光提供配套服务，技术国际一流。
• 关注标的：
  • 存储芯片产业领导者：紫光国芯
  • 封装配套企业：深科技、华天科技、长电科技、通富微电
  • 材料与设备企业：七星电子、上海新阳
  • 其他：兆易创新（IPO获通过）、浪潮集团（收购奇梦达西安研发中心）

评级标准

• 推荐：未来6-12个月，行业或公司指数超越市场平均回报20%及以上。
• 谨慎推荐：行业或公司指数超越市场平均回报10%-20%。
• 中性：行业或公司指数与市场平均回报相当。
• 回避：行业或公司指数低于市场平均回报10%及以上。

结论

存储芯片产业在国家政策推动下，正迎来快速发展期。通过技术合作与自主研发，结合国家资金支持和产业链整合，中国有望在NAND FLASH和DRAM领域实现技术突破和市场格局的改变。深科技作为封测领域领先企业，成为当前重点推荐标的。