半导体行业：供需缺口难纾解，功率半导体迎来持续景气周期-20180903-中泰证券-63页-5mb

半导体行业深度报告总结

核心内容概述

本报告主要聚焦于功率半导体行业，分析其供需格局、技术发展趋势及市场前景。报告指出，功率半导体行业正迎来持续的景气周期，主要受供需缺口影响，尤其是MOSFET和IGBT等关键器件面临严重缺货。同时，第三代化合物半导体（如SiC和GaN）作为未来功率器件的发展方向，受到广泛关注。此外，国内企业在功率半导体领域加速突破，有望实现国产化替代。

主要观点

1. 供需缺口难纾解，景气周期持续

• 供给端：硅片短缺传导至8寸晶圆，限制产能释放。8寸晶圆设备已停产，产能释放受限，导致功率器件供应紧张。
• 需求端：汽车电子化和新能源汽车的发展大幅增加对功率器件的需求。一辆纯电动汽车/混合动力汽车使用的功率半导体器件价值为265美元，是传统燃油车的15倍。
• 市场前景：MOSFET和IGBT等功率器件市场景气度有望持续到2020年，国内企业有望在中低端市场实现替代。

2. MOSFET与IGBT：关键功率器件

• MOSFET：广泛应用于高频电源领域，如LED照明、智能手机快充、物联网等。由于产能受限，交货周期延长，行业景气度提升。
• IGBT：作为新能源汽车电机驱动系统的核心元件，IGBT占整车成本的7-10%。预计到2020年，中国新能源汽车使用的IGBT市场规模将达到87亿元。

3. 第三代化合物半导体：未来增长新一极

• SiC与GaN：SiC适用于高压领域，具有更高的转换效率和能量密度；GaN适用于低压高频应用，具备更低的开关损耗和更高的频率能力。
• 市场增长：全球SiC市场预计2022年将突破11亿美元，CAGR达40%。GaN市场也在快速发展，特别是在汽车和消费电子领域。

4. 国内企业加速突破，国产化替代可期

• 国内企业在中低端功率器件市场已有所突破，但在高端领域仍落后国际大厂1-2代。
• 士兰微、扬杰科技、华微电子等企业正在加速研发，有望实现国产替代。同时，海外龙头如英飞凌、安森美等正通过并购和剥离业务来提升核心竞争力。

关键信息

1. 市场规模

• 全球功率分立器件市场：2023年预计达到188亿美元，年复合增长率CAGR为3.4%。
• 中国功率半导体市场：2017年市场规模为2170亿元，占全球市场近40%。
• IGBT市场：2020年全球市场预计达到62亿美元，其中新能源汽车市场占比近50%。
• SiC市场：2022年预计突破11亿美元，CAGR为40%。

2. 行业趋势

• 小型化、集成化：功率器件向小型化和集成化发展，通过封装技术实现多芯片集成。
• 高频、高温、高功率：第三代化合物半导体（SiC和GaN）在高频、高温、高功率、高能效等方面表现优异，成为未来功率器件发展的方向。
• 国产化替代：国内企业正加快研发，有望在中低压MOSFET和IGBT领域实现替代。

3. 海外龙头动态

• 英飞凌：全球功率器件领头羊，2017年市占率26.6%，通过收购IR和Innoluce等公司扩展产品线。
• 安森美：2016年收购仙童半导体，成为全球第二大功率器件供应商。
• 威世：受益于8/6寸晶圆高景气，扭转营收下滑趋势。
• 强茂：专注于二极管领域，积极发展车规级产品。

4. 风险提示

• 项目建设不及预期：新产能建设进度可能影响行业增长。
• 国产化替代进展不及预期：国内企业在高端功率器件领域仍面临技术挑战。

行业展望

• 长期增长：功率半导体行业预计将持续增长，尤其是在新能源汽车、工业控制、消费电子等领域。
• 技术突破：第三代化合物半导体技术不断成熟，SiC和GaN将成为未来增长的新引擎。
• 国产替代：国内企业在中低压MOSFET和IGBT领域有望实现替代，推动国产化进程。

重点公司概况

总结

功率半导体行业正迎来持续的景气周期，供需缺口导致MOSFET和IGBT等关键器件缺货严重，价格和交货周期均显著提升。随着新能源汽车、物联网、工业控制等领域的快速发展，功率半导体市场需求持续增长。第三代化合物半导体（SiC和GaN）因其优异性能，成为未来发展的重点方向。国内企业正在加速突破，有望在中低压MOSFET和IGBT领域实现替代，提升行业竞争力。