20180903-中泰证券-半导体行业深度报告_供需缺口难纾解_功率半导体迎来持续景气周期_63页_5mb

半导体行业深度报告总结

核心内容概述

本报告聚焦于功率半导体行业，分析了供需缺口导致的景气周期、行业发展趋势、海外与国内龙头企业的动向以及第三代化合物半导体的前景。整体来看，功率半导体市场正面临供不应求的局面，尤其在MOSFET和IGBT领域，由于新能源汽车、物联网、LED照明等需求的快速增长，市场景气度持续提升，同时国内企业在国产化替代方面取得进展，未来增长潜力巨大。

主要观点与关键信息

1. 供需缺口导致景气周期持续

• 供给端：硅片短缺传导至8寸晶圆，导致产能受限。8寸设备停产，限制产能释放，使得部分产能无法满足市场需求。
• 需求端：汽车电子化、新能源汽车、物联网等推动功率器件需求激增，特别是MOSFET和IGBT。
• 市场预期：MOSFET缺货情况将持续至2020年，IGBT市场因新能源汽车发展而快速增长，未来三年景气度可期。

2. 功率半导体市场稳步增长

• 市场规模：2023年全球功率分立器件市场规模预计达到188亿美元，年复合增长率（CAGR）为3.4%。
• 中国市场：占全球约40%，2017年市场规模为2170亿元，同比增长3.93%。
• 应用领域：广泛应用于工业、交通、通信、消费电子、新能源系统等领域，且向“小型化”、“集成化”方向发展。

3. 新能源汽车推动功率器件需求

• 半导体价值提升：一辆传统汽车的半导体价值为355美元，而一辆纯电动汽车为695美元，增长近一倍。
• 功率器件需求：新能源汽车中，IGBT是电机驱动系统的核心元件，占整车成本7-10%。预计2020年中国新能源汽车使用的IGBT模组市场将达87亿元。
• IGBT应用：不仅在电机驱动系统，还应用于充电桩、工业控制、动车、地铁等领域。

4. 海外龙头公司调整策略提升竞争力

• 加法策略：通过并购扩展产品线，如英飞凌收购IR，安森美收购仙童半导体。
• 减法策略：剥离低利润业务，如恩智浦剥离标准产品业务，提升毛利率和减轻负债压力。
• 市场格局：全球功率半导体市场高度集中，前十大厂商占据60%市场份额，英飞凌、安森美、意法半导体等占据主导地位。

5. 第三代化合物半导体（SiC、GaN）是未来发展方向

• 性能优势：SiC与GaN相比硅基材料，在高频、高温、高功率、高能效等方面具有显著优势。
• 市场预测：2022年全球SiC市场将突破10亿美元，CAGR为40%；GaN市场同样快速增长，未来有望成为高功率、高频器件的首选。
• 国内进展：士兰微、扬杰科技、华微电子等公司正在加速研发，有望实现技术突破，实现国产化替代。

关键数据汇总

风险提示

• 项目建设不及预期：新产能建设可能受技术、资金等影响。
• 国产化替代进展不及预期：国内企业在高端功率器件领域仍与国际大厂存在代差。
• 市场波动：功率器件价格持续上涨，交货周期延长，短期难以缓解。

国内企业表现

行业展望与投资建议

• 行业前景：功率半导体行业将在未来三年保持景气，特别是MOSFET和IGBT领域。
• 投资建议：分析师建议增持，认为国内企业有望在中低端市场实现替代，并在高端领域逐步追赶。
• 技术趋势：第三代化合物半导体将成为未来增长的重要驱动力，尤其是SiC和GaN在新能源汽车、工业控制等领域的应用前景广阔。

总结

功率半导体行业正经历一个持续景气周期，受新能源汽车、物联网、LED照明等需求驱动，供需矛盾凸显，导致价格和交货周期上涨。海外企业通过并购和剥离业务提升竞争力，而国内企业则在中低端市场逐步实现替代，未来有望在高端市场突破。第三代化合物半导体（SiC、GaN）因其优异性能，将成为未来功率器件发展的主要方向，国内企业也在加速布局。整体来看，功率半导体行业具备长期增长潜力，值得重点关注。