深度报告-20220511-东北证券-拓荆科技-688072.SH-国产薄膜沉积设备龙头_有望进入设备放量期_44页_4mb

拓荆科技（688072）公司深度报告总结

核心内容

拓荆科技是一家专注于薄膜沉积设备的国内半导体设备制造商，其产品包括PECVD、ALD和SACVD三大类，已广泛应用于14nm及以上制程，并正在开展10nm及以下制程的验证。公司在国内薄膜沉积设备市场中具有稀缺性，是唯一进入相关产线的国产设备供应商，与国际巨头直接竞争。

主要观点

• 市场空间大：薄膜沉积设备是半导体前道制造的三大核心设备之一，预计到2025年全球市场规模将达到340亿美元，其中PECVD+ALD市场空间约150亿美元。
• 增速快：化学薄膜沉积设备2011-2021年复合增速为13.41%，仅次于干法刻蚀设备。
• 竞争格局好：该领域技术门槛高，国内厂商主要在海外竞争对手的夹缝中发展，国产替代进程加快。

关键信息

市场与技术

• 薄膜沉积设备占前道设备投资的25%，2020年国内市场规模约为300亿人民币。
• 公司产品线覆盖PECVD、ALD和SACVD，已应用于中芯国际、长江存储等领先企业。
• 公司在多个工艺节点上实现了产品国产化，打破国际垄断。

研发与人才

• 公司研发费用率高达35%，研发投入费用化，技术团队具备丰富经验，且有八名外籍专家通过股权激励参与公司发展。
• 公司拥有八项核心技术，关键性能指标达到国际先进水平。

财务与业绩预测

• 2021年公司实现盈利，预计2022-2024年归母净利润分别为1.25亿、2.22亿和3.45亿。
• 2022年公司股票收盘价为128元，目标价为174.8元，首次覆盖给予“买入”评级。

增长驱动因素

• 国内需求增长：2020-2024年，大陆内资晶圆厂12英寸和8英寸潜在扩产产能分别约120万片/月和42万片/月。
• 先进制程推动：先进工艺和制程增加薄膜沉积材料和环节，推动设备需求增长。
• 产品验证进展：多款产品正在验证中，募投研发扩产有望形成新的增长点。

风险提示

• 新品验证不及预期
• 行业竞争加剧

产品应用与性能

PECVD

• 已实现产业化应用，适配180-14nm逻辑芯片、19/17nm DRAM及64/128层FLASH制造工艺需求。
• 产品型号包括PF-300T、PF-300TeX、PF-300TpX、PF-200T、NF-300H和TFLITE等。
• 能沉积SiO2、SiN、SiON、BPSG、PSG、TEOS、LokI、LokII、ACHM、ADCI等材料薄膜。

ALD

• 已适配55-14nm逻辑芯片制造工艺需求，具备精确的薄膜厚度控制和优异的台阶覆盖率。
• 产品型号包括FT-300T（PE）、FT-300T（Thermal）和FT-300H。
• 能沉积SiO2、SiN、Al2O3、AlN等材料薄膜。

SACVD

• 国内唯一产业化应用的集成电路SACVD设备厂商。
• 产品型号为SA-300T，可沉积BPSG、SAF等材料薄膜，适配40/28nm及以上的逻辑芯片制造工艺需求。

投资建议

• 估值：2022年对应PE为129倍，PS为13倍，2024年对应PE为47倍，PS为7倍。
• 评级：首次覆盖，给予“买入”评级。
• 目标价：6个月目标价为174.8元。

竞争格局

• 国际巨头垄断：全球薄膜沉积设备市场主要由AMAT、ASMI、Lam、TEL等国际公司主导。
• 国内厂商机会：随着国产替代进程加快，拓荆科技作为唯一国产设备供应商，具备良好的市场前景。

总结

拓荆科技凭借其在薄膜沉积设备领域的技术积累和市场表现，成为国内半导体设备行业的重要参与者。随着国内晶圆厂的持续扩产和先进制程需求的增加，公司有望在国产替代背景下实现快速增长。公司具备较强的稀缺性和技术优势，未来增长潜力较大。