20250401-国元证券-功率半导体行业报告_供需结构改善_碳化硅加速上车_19页_1mb

IGBT供需结构改善，碳化硅加速上车行业报告总结

核心内容概述

本报告分析了功率半导体行业，重点探讨了IGBT和碳化硅（SiC）的供需结构变化、技术发展和市场前景。报告指出，IGBT行业已从衰退阶段逐步回暖，碳化硅行业则进入供过于求阶段，价格持续下滑。同时，中国企业在IGBT和碳化硅领域正加速发展，有望提升全球市场份额。

主要观点

IGBT行业回暖

• IGBT出货量从2023年第四季度开始出现边际改善，2024年第二季度实现正向增长，标志着行业性衰退接近尾声。
• IGBT价格在2024年第一季度同比下滑近30%，当前处于相对底部，未来随着下游需求复苏，价格有望回暖。
• 中国IGBT自给率较低，但随着产能扩张和技术突破，自给率将逐步提高，预计到2024年达到3900万只，CAGR为20.27%。
• 新能源汽车和工业控制等领域的持续增长将推动IGBT市场需求回升。

碳化硅加速发展

• 2024年全球碳化硅行业将进入供过于求阶段，产能增速远超需求增速，推动价格持续下滑。
• 2024年，中国SiC衬底产能较2022年提升3倍，达到348万片，预计2028年国内衬底均价将下探至2300元/片，较全球均价形成900-1000元的显著价差。
• 2025年将成为碳化硅8英寸衬底量产的重要节点，海外厂商如Wolfspeed、Rohm、Onsemi等均计划在该年度实现8英寸衬底量产。
• 随着8英寸衬底量产和良率提升，预计2026年碳化硅模组与IGBT模组价差将收窄至1.5倍以下，有望打开规模化应用空间。

关键信息

IGBT需求端

• 中低端新能源汽车销量占比提升，将带动IGBT需求增长。
• 30万以上纯电动车型比重提升，推动400V向800V升级，带动对高效率IGBT的需求。
• 中低端车型短期内仍以IGBT为主，碳化硅应用有限。

碳化硅需求端

• 800V高压平台加速渗透，成为碳化硅应用的核心场景。
• 碳化硅在新能源汽车中主要应用于主驱逆变器、OBC、DC/DC转换器等关键系统，预计2029年全球碳化硅市场规模将达98.73亿美元，CAGR为24%。
• 新能源汽车电动化和智能化趋势，推动碳化硅应用进一步扩大。

产能与价格趋势

• IGBT产能：中国IGBT产能持续增长，但自给率仍较低，未来有望提升。
• SiC产能：2024年全球SiC产能增长超过50%，中国产能增速高于全球水平，预计2028年形成显著价差。
• SiC价格：2024年4月，1200V/40mΩ碳化硅价格较2023年9月下跌35%，未来价格仍有下行空间。

竞争格局

• IGBT市场由海外厂商主导，CR10约为87%，英飞凌、富士电机、意法半导体占据主要市场份额。
• 中国厂商如士兰微、斯达半导、时代电气等市场份额逐年提升，斯达半导从2019年的2.5%提升至2022年的4.3%，时代电气从2021年的2.5%提升至2022年的4.1%。
• 碳化硅衬底市场由海外厂商主导，市场份额超86%，其中Wolfspeed占45%，Rohm占20%。
• 中国厂商如天科合达、天岳先进、三安光电等逐步提升市场份额，瀚天天成在碳化硅外延片市场排名全球第三。

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风险提示

上行风险

• 下游景气度加速提升
• IGBT价格加速回暖
• 各厂商产能释放加速

下行风险

• 产品价格持续下滑
• 各厂商产能释放不及预期
• 其他系统性风险

投资评级说明

总结

IGBT行业已进入回暖阶段，供需结构趋于平衡，价格处于相对底部。随着新能源汽车和工业控制等领域的需求复苏，IGBT市场有望持续增长。碳化硅行业则面临供过于求，价格持续下滑，但随着8英寸衬底量产和良率提升，未来有望打开规模化应用空间。中国企业在IGBT和碳化硅领域持续扩张，技术突破加速，有望提升全球市场份额。建议关注斯达半导、时代电气、士兰微、华润微、三安光电、捷捷微电、扬杰科技、新洁能、东微半导等公司。