20250422-申港证券-电子行业点评_存储供需好转_复苏有望延续_21页_1mb

存储行业投资摘要总结

核心内容

存储产品价格自2025年起呈现企稳回升趋势，主要受存储原厂减产及生产节奏调整影响，NAND和DRAM价格均出现不同程度的上涨。随着AI算力投资和端侧应用需求的增长，存储位元需求持续扩容，服务器市场成为存储需求的核心驱动力。同时，海外存储原厂库存逐步去化，国内模组和利基型存储行业库存亦显示见底回升迹象。

主要观点

• 存储价格回升：NAND闪存价格在2024Q4开始承压，但2025年有望逐步回升；DRAM价格在2023Q2-Q3见底后反弹，2025年高端产品如DDR5、HBM价格回升明显。
• 供需关系改善：存储原厂通过减产和调整资本开支，加速供需关系改善，推动价格和需求回升。
• AI驱动需求增长：AI算力投资和端侧应用需求带动存储产业复苏，特别是对HBM、大容量DDR5、企业级SSD等高端产品的需求。
• 技术升级与产品创新：存储行业正向更高堆叠和先进制程演进，QLC、HBM3E、HBM4等技术逐步落地，带来新增长机遇。
• 行业复苏节奏分化：NAND行业因市场集中度低，复苏节奏慢于DRAM，但预计2025年下半年将显著改善。
• 终端应用需求扩大：AIPC、AI手机及自动驾驶汽车的快速渗透带动存储需求增长，尤其是高性能存储产品。

关键信息

存储价格走势

• NAND价格在2024Q4开始承压，但预计2025年Q3-Q4将回升10-15%和8-13%。
• DDR5等高端DRAM产品2025年涨幅明显，全年综合涨幅预计达15-18%。

行业营收表现

• 存储行业2024年产值达到1670亿美元，创历史新高。
• 2024Q4DRAM和NAND行业营收同比增速分别为55.9%，其中DRAM表现优于NAND。
• 存储原厂毛利率自2024Q1以来逐步改善，部分厂商仍有提升空间。

供需关系改善

• 2025年存储原厂将减少旧产能，聚焦先进制程产品，如HBM、1c、1γ、QLC等。
• 海外存储原厂库存已从2023Q1-Q2的高峰显著回落，国内模组和利基型存储库存亦逐步下降。

技术与产品演进

• NAND向300层以上发展，QLC产能占比预计2025年达20%，企业级SSD和手机端应用潜力巨大。
• DRAM向1c、1γ等先进制程升级，HBM将从HBM3进入HBM3E，并在2026年推出HBM4。
• 新形态产品如LPCAMM、SOCAMM在数据中心领域不断涌现。

行业驱动力

• 服务器市场：2024年服务器NAND容量增长108%，DRAM和HBM分别增长24%和311%。预计2025年AI服务器占比将达14%，带动存储配置提升。
• AI手机：预计2025年AI手机占比达30%，推动存储容量和性能需求增长。
• 汽车存储：自动驾驶技术提升，汽车DRAM配置达200GB，比普通汽车高出20-30倍，带动存储带宽需求增长。

投资建议

• 关注存储模组公司：佰维存储、德明利、江波龙等。
• 关注端侧存储和芯片设计企业：兆易创新、北京君正、普冉股份、东芯股份、澜起科技、聚辰股份等。
• 投资评级：增持（维持）。

风险提示

• 贸易摩擦加剧
• 需求复苏不及预期
• 产能扩张不及预期
• 行业竞争加剧

图表与数据支持

• 存储价格指数变化、全球DRAM/NAND市场收入季度变化、DRAM现货价格走势等图表显示价格趋势。
• 存储原厂减产措施、资本支出调整、库存周转天数等数据反映行业调整方向。
• 服务器存储容量增长、AI服务器占比、HBM代际提升等数据展示行业驱动力。
• 存储行业营收增长趋势、DRAM和NAND位元需求增长预测等数据支撑行业复苏预期。

总结

存储行业正经历从价格承压到逐步回升的转变，主要受益于存储原厂控产、库存调整及AI等新兴应用带来的需求增长。NAND和DRAM价格在2025年将呈现分化回升态势，高端产品如DDR5、HBM、QLC等成为主要增长点。技术升级和产品创新推动行业复苏，建议投资者关注具备技术优势和市场潜力的存储模组及端侧存储企业。