电子行业深度报告-存储行业拐点已至-国产化主线确立-东吴证券_20页_973kb

存储行业深度分析报告总结（2023年9月28日）

一、行业周期判断

1. 存储行业周期触底回升，2023Q2全球DRAM市场规模环比增长204%，NAND增长74%，标志着行业回暖拐点确立。主要受益于需求复苏、单设备存储容量提升及备货潮。
2. 龙头企业如三星、美光、海力士稼动率持续下降，Q2分别为77%/74%/82%。其资本开支同比减少62%/40%，加速布局HBM新技术。
3. 国内厂商如长鑫存储（DRAM）、长江存储（NAND）技术追赶显著，市占率从2020年的3%/10%提升至2022年的18%/35%，国产化主线确立。

二、市场供需变化

1. 存储颗粒价格触底反弹：DRAM部分产品（如DDR4 16Gb）自8月底至9月初实现价格回升，NAND产品如256Gb TLC自5月起稳定上涨，Flash Wafer合约价已见底反弹。
2. 库存优化进展：多数模组厂库存周转天数环比下降，部分IC厂商库存商品减少，表明库存拐点到来。产业链库存水位逐步正常化，行业业绩有望恢复增长。

三、需求端驱动因素

1. 消费电子复苏：2023Q2笔电出货量同比恢复，智能手机降幅收窄，TWS耳机实现环比增长，可穿戴设备中国产品牌市占率提升至10%。
2. AI服务器需求爆发：2023年全球AI服务器存储市场规模76亿美元，预计2026年达492亿美元，CAGR达864%。单台AI服务器需500GB HBM，2023-2027年HBM市场CAGR达82%。
3. 车载存储增长：2021-2027年全球车载存储市场CAGR为20%，2027年市场规模将达125亿美元。智能驾驶舱和ADAS系统升级推动NAND/DRAM需求，国产替代加速。

四、投资逻辑与建议

1. 重点布局方向：
   • 龙头厂商：兆易创新（NOR Flash）、北京君正（车载存储）、江波龙（存储模组）
   • 国产化替代：万润科技（与长江存储合作）、东芯股份（SLC NAND）、德明利（主控芯片）、佰维存储等
   • 产业链配套：上游材料设备商、封测厂商及技术替代企业
2. 行业复苏催化剂：AI算力需求提升推动HBM、DDR5等高端存储产品增长；消费电子旺季及库存去化效果显现。

五、风险提示

1. 下游需求复苏不及预期
2. 存储价格反弹力度不足
3. 宏观经济波动影响行业景气度
4. 龙头企业减产力度不及预期

注：报告数据显示，存储行业已进入周期底部，预计2023Q4-2024H1价格将止跌回升。随着AI、新能源汽车等新需求及消费电子复苏，存储市场有望实现量价齐升，国产替代进程加速。