深度报告-20241119-天风证券-专用设备行业深度研究_HBM_堆叠互联_方兴未艾_37页_3mb

堆叠互联是高带宽存储器（HBM）制造的核心工艺，主要包括TSV（硅通孔）、Bumping/Stacking和KGSD测试三个环节。通过3D堆叠技术，HBM在垂直方向连接芯片，显著提升存储密度和带宽，互联技术（如TSV与微凸点互连）尤为关键。

TSV工艺涉及深孔刻蚀（干法刻蚀为主）、铜填充（难度最大）和CMP减薄，成本占比约30%，其中TSV制造占18%。混合键合技术未来可提升互联密度，减少封装厚度，目前金属热压键合（TCB）市场份额达88%，无焊剂键合技术有望实现更密集互连。此外，临时键合/解键合技术解决了超薄晶圆操作问题，激光解键合技术逐渐成熟。测试环节需关注逻辑芯片、TSV及高速性能等多维度测试。

与半导体设备相关的公司值得重点关注，如拓荆科技在混合键合设备、芯源微在临时键合设备、华海清科与长川科技在测试设备方面均有所布局，而赛腾股份收购日本OPTIMA，进一步增强高端检测能力。

风险仍存，包括下游晶圆厂扩产不及预期、国际供应链干扰与技术更新带来的挑战。总体来看，堆叠互联技术在先进封装中持续演进，对设备企业科技创新提出更高要求。

风险提示：

1. 晶圆厂扩产不及预期
2. 供应链安全风险
3. 技术开发风险