【研报】2020年分立器件行业功率半导体市场发展分析研究报告（19页）_1mb

文档总结

核心内容概述

本文档主要围绕功率半导体与射频芯片两大领域，分析其市场前景、技术发展趋势及国产替代机遇。同时，文档也探讨了行业景气度的提升及投资建议。

一、功率器件：下游需求多点开花，国产替代加速推进

1.1 国产替代空间广阔，地缘政治因素助推替代加速

• 市场广阔：功率半导体用于电能转换，广泛应用于消费电子、工业、新能源汽车等多个领域，市场规模从几W到几GW。
• 国产替代趋势明显：2019年全球功率半导体市场规模达403亿美元，预计2021年将达441亿美元。前十大厂商均为海外企业，国产替代空间巨大。
• 重点产品：MOSFET和IGBT是价值量最大的两个功率器件，分别占据全球分立器件和模组市场的41%和30%。
• 技术差距缩小：国内厂商在MOSFET和IGBT市场中已有一定市场份额，如华润微、斯达半导，但整体仍需进一步突破。
• 政策支持：我国政府出台多项政策扶持功率半导体产业发展，将其纳入“十三五”规划，并推动SiC和GaN等第三代半导体发展。

1.2 多因素叠加行业景气高涨，Q2以来板块业绩表现亮眼

• 行业盈利能力提升：2020年Q2以来，功率半导体行业营收和净利润同比快速增长，行业景气度显著提升。
• 8英寸晶圆产能紧张：8英寸晶圆产能紧缺，导致MOSFET等功率器件价格上涨，行业有望迎来量价齐升。
• 下游需求回暖：新能源汽车、工业自动化、变频家电、消费电子等需求增长，带动功率器件市场扩张。

1.3 投资观点：关注MOSFET/IGBT领先布局企业

• 行业高景气：功率半导体行业处于景气周期，预计将持续至2021年中。
• 重点布局企业：建议关注新洁能、斯达半导、捷捷微电、华润微、扬杰科技等企业，其在技术实力和产能弹性方面具备优势。

二、射频芯片市场广阔，模组化为未来趋势

2.1 射频前端市场持续增长，5G打开行业天花板

• 射频前端定义：射频前端是无线通信系统中负责信号传输、转换和处理的关键模块，包括射频开关、LNA、PA、滤波器等。
• 市场增长迅速：全球射频前端市场规模从2011年至2018年CAGR为13.1%，预计2019-2023年CAGR为17%。
• 5G影响：5G带来更高带宽和更多频段，使射频前端芯片价值量提升，预计2020年手机单机射频价值量达25美元。

2.2 射频前端规模增长迅速，市场集中度较高

• 市场结构：射频前端市场主要由分立器件和射频模组构成，其中射频模组占比达70%。
• 市场格局：射频前端市场由美日厂商主导，CR5达81%。国内厂商处于起步阶段，但成长空间巨大。
• 产品增长：射频开关、LNA、滤波器等产品市场预计持续增长，其中射频开关市场CAGR达16.55%，LNA市场CAGR为4.8%。

2.3 5G打开行业天花板，射频模组化是趋势

• 5G推动需求增长：5G手机需更多天线及前端器件，天线调谐开关（Tuner）需求增长显著。
• 模组化趋势：为适应5G多频段、多模式需求，射频前端将向模组化发展，如DiFEM、LFEM、FEMiD等。
• 市场预测：射频模组市场规模预计从2018年的105亿美元增长至2025年的177亿美元，CAGR为8%。

三、受益标的

卓胜微

• 行业地位：国内射频芯片龙头，技术实力强，产品覆盖广泛。
• 研发投入：持续加大研发支出，拥有多项核心技术。
• 产品布局：已实现LNA产品化，基于RF CMOS工艺，布局射频模组和5G基站射频器件。
• 未来展望：在国产替代趋势下，公司前景广阔，有望受益于行业快速发展。

四、风险提示

1. 下游需求不及预期
2. IDM企业和代工厂产能扩张进度不及预期
3. 国内疫情反复，供应链受影响
4. 新产品研发进度不及预期，盈利不及预期
5. 中美贸易摩擦加剧