2025-04-25-上交所科创板-苏州东微半导体股份有限公司2024年年度报告_258页_1mb

苏州东微半导体股份有限公司2024年年度报告总结

公司概况

• 公司代码：688261
• 公司简称：东微半导
• 公司全称：苏州东微半导体股份有限公司
• 法定代表人：龚轶
• 注册地址：江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号纳米城东南区65栋
• 办公地址：与注册地址一致
• 公司网址：http://www.orientalsemi.com/
• 电子信箱：enquiry@orientalsemi.com

核心内容

财务表现

• 营业收入：10.03亿元，同比增长3.12%
• 归属于上市公司股东的净利润：4,023.51万元，同比下降71.27%
• 扣除非经常性损益的净利润：231.93万元，同比下降98.06%
• 经营活动产生的现金流量净额：-8,831.32万元，同比下降225.18%
• 归属于上市公司股东的净资产：28.997亿元，同比增长1.31%
• 总资产：30.999亿元，同比增长2.93%
• 基本每股收益：0.33元，同比下降71.05%
• 研发投入占比：7.55%，同比下降1.19个百分点

利润分配与回购

• 2024年度利润分配预案：每10股派发现金红利0.3955元，共计派发4,828.92万元，占净利润的12.00%
• 股份回购金额：1,308.75万元，占净利润的44.53%

主要观点

经营情况

• 公司在2024年保持了主要产品高压超级结MOSFET销量的同比上升，整体销售规模有所增加。
• 受全球经济不确定性及竞争加剧影响，产品销售价格下降，导致毛利率降低，盈利能力受到一定影响。
• 公司积极优化产品组合策略，进行工艺平台迭代升级，持续拓展市场。

技术与研发

• 公司持续推进主营产品技术迭代与产品升级，包括高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET、TGBT、SiC MOSFET等。
• SiC MOSFET产品已实现量产，第四代产品进入送样验证阶段，预计2025年批量供货。
• 650V/750V/1200V的第四代SiC MOSFET研发成功，性能处于国内领先水平。
• 公司自研新一代产品生命周期管理系统，以提升研发效率。
• 研发团队持续进行技术改进和工艺优化，推动产品性能提升。

供应链与生产

• 公司采用Fabless模式，将晶圆制造、封装、测试等环节外包。
• 与上游晶圆制造厂商（如华虹半导体、粤芯半导体）及封测厂商保持稳定合作关系，保障产能供应。
• 定期进行技术回顾和业务回顾，确保产品质量和交付能力。

销售模式

• 公司采用“经销加直销”模式，与经销商及终端客户建立稳定合作关系。
• 长期合作客户签订框架合作协议，提供全方位服务。
• 产品需通过严格的质量认证测试，形成长期稳定的合作关系。

关键信息

行业情况

• 所处行业：功率半导体细分领域，属于“计算机、通信和其他电子设备制造业”（C39）
• 全球市场：2024年全球功率半导体市场规模预计增长至522亿美元，其中功率IC占54.8%，功率分立器件占30.1%
• 中国市场：预计2024年市场规模达到206亿美元，占全球约38%
• 行业特点：
  • 功率半导体器件依赖技术和工艺改进，不追求极致线宽，不遵循摩尔定律
  • IDM与Fabless模式并存，技术迭代与产能供给同步发展
  • 多细分场景需求日益多元，依赖特色工艺平台的定制化能力

技术门槛

• 功率半导体研发涉及器件结构、晶圆制造工艺、封装测试等多领域技术
• 超级结MOSFET、高性能IGBT、SiC MOSFET等产品技术门槛较高
• 需持续跟踪国际先进技术，提出创新器件结构，实现性能提升

公司地位

• 公司是国内领先的高性能功率半导体厂商之一
• 在超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET、TGBT、SiC MOSFET等领域具备技术优势
• 产品已应用于5G基站电源、数据中心电源、新能源汽车、光伏逆变器、储能等多个领域

风险提示

• 全球经济增长不确定性、市场竞争加剧、需求低迷、新增产能无法消化等可能对公司盈利能力产生影响
• 公司未能及时应对市场变化可能导致业绩下滑
• 前瞻性研发投入及市场拓展对经营业绩产生一定影响

产品结构与应用领域

• 主要产品：GreenMOS系列高压超级结MOSFET、SFGMOS及FSMOS系列中低压屏蔽栅MOSFET、TGBT系列IGBT、SiC二极管及SiC MOSFET
• 应用领域：
  • 工业级：5G基站电源、数据中心电源、新能源汽车直流充电桩、UPS电源、光伏逆变器、储能等
  • 消费级：PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器等
  • 车规级：新能源汽车车载充电机、动力电池保护板等
• 产品结构：公司产品涵盖高压、中低压、车规级等多个方向，产品种类丰富，覆盖多个应用场景

其他信息

• 公司董事会及监事会确认年度报告内容真实、准确、完整
• 天健会计师事务所出具标准无保留意见的审计报告
• 报告期内公司未发生被控股股东非经营性占用资金、违反规定决策程序对外提供担保等事项
• 公司持续关注可持续发展，践行ESG理念，完善环境管理体系

未来展望

• 公司将继续专注于高性能功率半导体领域，推动技术创新
• 持续拓展国内外市场，增强客户粘性
• 保持研发投入，加快第三代半导体产品（如SiC MOSFET）的推广
• 优化产品结构，提升市场竞争力，拓展更多应用场景

附注

• 报告中涉及的未来计划为前瞻性陈述，不构成实质承诺
• 报告中列示的非经常性损益项目及金额，已按相关法规披露
• 公司对各产品进行详细的介绍，包括技术特点、应用场景及市场表现