2022-04-21-上交所-苏州东微半导体股份有限公司2021年年度报告_241页_3mb
报告摘要
苏州东微半导体股份有限公司2021年年度报告总结
公司基本信息
- 公司代码:688261
- 公司简称:东微半导
- 外文名称:Suzhou Oriental Semiconductor Company Limited
- 外文简称:Oriental Semi
- 法定代表人:龚轶
- 注册地址:苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20幢515室
- 办公地址:苏州工业园区东长路88号2.5产业园三期N2栋5层
- 邮政编码:215121
- 公司网址:http://www.orientalsemi.com/
- 电子信箱:enquiry@orientalsemi.com
财务指标概览
2021年度主要财务数据(单位:元,人民币)
| 项目 | 2021年 | 2020年 | 增长率(%) | 2019年 |
|---|---|---|---|---|
| 营业收入 | 782,091,845.56 | 308,787,414.12 | 153.28 | 196,046,605.19 |
| 归属于上市公司股东的净利润 | 146,903,706.46 | 27,683,219.46 | 430.66 | 9,110,063.42 |
| 扣除非经常性损益的净利润 | 140,506,928.84 | 20,402,633.39 | 588.67 | 8,158,093.57 |
| 经营活动产生的现金流量净额 | 130,246,075.31 | -37,485,732.18 | 不适用 | 39,057,663.83 |
| 归属于上市公司股东的净资产 | 565,793,694.48 | 418,897,956.11 | 35.07 | 160,938,734.87 |
| 总资产 | 628,572,810.01 | 437,640,219.48 | 43.63 | 173,519,259.49 |
主要财务指标
| 指标 | 2021年 | 2020年 | 增长率(%) | 2019年 |
|---|---|---|---|---|
| 基本每股收益(元/股) | 2.91 | 0.60 | 385.00 | 不适用 |
| 稀释每股收益(元/股) | 2.91 | 0.60 | 385.00 | 不适用 |
| 扣除非经常性损益后的基本每股收益(元/股) | 2.78 | 0.44 | 531.82 | 不适用 |
| 加权平均净资产收益率(%) | 29.84 | 12.66 | 增加17.18个百分点 | 5.87 |
| 扣除非经常性损益后的加权平均净资产收益率(%) | 28.54 | 9.33 | 增加19.21个百分点 | 5.25 |
| 研发投入占营业收入比例(%) | 5.30 | 5.18 | 增加0.12个百分点 | 6.13 |
营业收入增长说明
2021年度公司营业收入增长153.28%,主要得益于:
- 行业景气度提升:半导体功率器件领域需求旺盛,特别是新能源汽车、5G通信、数据中心服务器等应用领域。
- 产能扩大:公司持续扩大生产能力和研发投入,提升产品性能与市场竞争力。
- 产品结构优化:产品组合进一步优化,带动整体业绩增长。
- 客户拓展:与多个头部厂商建立稳定合作关系,如比亚迪、英搏尔、华为等。
产品与技术进展
1. 高压超级结MOSFET产品
- 2021年公司继续扩展基于GreenMOS技术平台的产品规格,产品性能进一步提升。
- 第四代GreenMOS高压超级结MOSFET技术开发成功,预计2022年开始批量供货。
- 公司产品广泛应用于新能源汽车充电桩、通信电源、数据中心服务器电源、光伏逆变器等领域。
- 产品系列包括标准通用系列、S系列(EMI优化)、E系列(EMI性能平衡)、Z系列(集成快恢复体二极管)。
2. 中低压屏蔽栅MOSFET产品
- 2021年公司25V-30V低压超高速屏蔽栅MOSFET开发成功并开始量产。
- 150V与250V电压规格技术开发顺利进行。
- 产品涵盖25V-150V工作电压,广泛应用于电动工具、同步整流、锂电保护等领域。
- 产品系列包括SFGMOS(低Vth系列、高Vth系列)和FSMOS(高电流密度、低功耗、高可靠性)。
3. 超级硅MOSFET产品
- 公司自主研发的超级硅MOSFET产品性能对标氮化镓器件,突破了传统硅基器件的速度瓶颈。
- 应用于新能源汽车充电桩、通信电源、工业照明电源、快速充电器等领域。
4. Tri-gate IGBT产品
- 公司基于自主专利技术开发的Tri-gate IGBT产品,工作电压范围为600V-1350V,工作电流为15A-120A。
- 已实现批量出货,包括低导通压降、电机驱动、软恢复二极管、逆导、高速等系列。
- 产品在光伏逆变器、储能、充电桩、电机驱动等领域获得广泛应用。
经营模式
公司采用Fabless(无晶圆厂)模式,专注于芯片设计、研发和销售,将晶圆制造、封装测试等环节外包给专业厂商。
1. 研发模式
- 公司研发流程包括需求汇总、立项评估、设计开发、试制、测试验证等。
- 建立了《产品开发管理程序》,并采用产品生命周期管理系统进行开发管控。
- 与晶圆厂深度合作,共同研发,优化工艺以提升产品性能。
2. 采购与生产模式
- 采购内容包括定制化晶圆制造、封装测试服务及实验室设备。
- 晶圆代工厂商包括华虹半导体、粤芯半导体等,封装测试厂商亦为行业知名企业。
3. 销售模式
- 采用“经销加直销”模式,与经销商及终端客户建立合作关系。
- 建立完善的客户管理制度,对长期客户签订框架协议并提供全方位服务。
4. 管理模式
- 采用矩阵式管理,提升技术能力与市场响应速度。
- 通过关键绩效指标管理和综合评分制,明确职责与目标。
行业情况与发展趋势
1. 行业发展阶段与特点
- 公司所处行业为功率半导体细分领域,主要应用于工业及汽车相关领域。
- 行业以技术与工艺改进为核心,重点发展新材料如SiC和GaN。
- 行业呈现IDM与Fabless模式并存,技术迭代与产能供给同步发展的趋势。
2. 产品技术门槛
- 超级结MOSFET、高性能IGBT、高性能SGT MOSFET等产品技术门槛较高。
- 需要综合掌握器件结构、制造工艺、封装测试等多领域技术。
3. 行业地位与竞争力
- 公司是国产高性能功率器件的领先企业之一,拥有国内领先的技术专利。
- 高压超级结MOSFET产品销售收入占比达72.70%,具备进口替代潜力。
4. 未来发展趋势
- 技术进步:新型器件结构与工艺将加速产品迭代,如沟槽MOSFET将替代部分平面MOSFET,屏蔽栅MOSFET将进一步替代沟槽MOSFET。
- 第三代半导体材料:SiC和GaN将逐步在高温、高压、高功率领域取代传统硅基器件。
- 集成化与模块化:功率器件将向更高集成度发展,提升性能并降低成本。
- 市场拓展:新能源汽车、5G基站等新兴市场对高性能功率器件需求将持续增长,公司将在这些领域扩大市场份额。
总结
东微半导作为一家技术驱动型半导体企业,专注于高性能功率器件的研发与销售,产品涵盖MOSFET和IGBT等关键器件。公司通过不断的技术创新与产品迭代,持续扩大市场份额,并在多个工业及汽车应用领域取得显著进展。在Fabless模式下,公司与晶圆代工厂、封测厂商保持良好合作,保障产品稳定供应。同时,公司积极拓展海外市场,增强全球竞争力。未来,随着新能源、5G等行业的快速发展,公司有望在高性能功率器件领域持续增长。
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