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苏州东微半导体股份有限公司2022年半年度报告总结

公司基本信息

• 公司名称：苏州东微半导体股份有限公司
• 简称：东微半导
• 股票代码：688261
• 法定代表人：龚轶
• 注册地址：苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20幢515室
• 办公地址：苏州工业园区东长路88号2.5产业园三期N2栋5层
• 公司网址：http://www.orientalsemi.com/
• 电子信箱：enquiry@orientalsemi.com

核心财务指标

主要业务与产品

公司主营高性能功率器件的研发与销售，产品涵盖MOSFET和IGBT等，主要应用于工业级与消费级领域。

MOSFET产品

• 高压超级结MOSFET：GreenMOS系列，具有低导通电阻、低栅极电荷、静态与动态损耗低，适用于新能源汽车、数据中心电源、光伏逆变器等领域。
• 中低压屏蔽栅MOSFET：包括SFGMOS与FSMOS系列，具有高工艺一致性、低开关损耗、高可靠性等优点，适用于电动工具、智能机器人、新能源汽车电机控制等。
• 超级硅MOSFET：具有高速开关和低动态损耗特性，适用于快速充电器、数据中心电源、光伏逆变器等。
• Hybrid-FET器件：结合IGBT与MOSFET优点，具有高导通电流密度和快速开关能力，适用于新能源汽车、光伏逆变器等。

IGBT产品

• TGBT系列IGBT：基于Tri-gate器件结构，具有低导通压降、高可靠性、自保护等优势，已实现1200V及1350V等多个电压平台的量产，适用于新能源汽车电驱系统、直流充电桩、储能逆变器等。

技术研发与创新

公司持续进行核心技术的研发与创新，形成了一系列具有自主知识产权的工艺与产品。

核心技术

• 深沟槽超级结MOSFET设计及工艺技术
• 多层外延超级结MOSFET设计及工艺技术
• 中低压屏蔽栅MOSFET设计及工艺技术
• 超级硅MOSFET设计及工艺技术
• Tri-gate IGBT设计及工艺技术
• Hybrid-FET器件设计及工艺技术
• 第三代半导体SiC功率器件研发

技术成果

• 公司在2022年上半年实现多个技术突破，包括：
  • 第三代高压超级结MOSFET实现大规模出货
  • 第四代超级结MOSFET实现批量生产
  • 新一代TGBT技术成功开发并开始批量验证
  • SiC功率器件研发取得阶段性成果
  • Hybrid-FET技术进入产业化阶段
  • 第四代半导体Ga2O3功率器件完成初期调研与研发布局

研发投入

• 费用化研发投入：20,725,751.99元，同比增长25.60%
• 研发投入占比：占营业收入的4.45%，同比下降0.69个百分点
• 研发人员：44人，占公司总人数的44.90%
• 研发人员学历结构：
  • 博士研究生：3人（6.82%）
  • 硕士研究生：12人（27.27%）
  • 本科：21人（47.73%）
  • 专科：8人（18.18%）

核心竞争力

1. 强大的研发能力：公司核心技术达到国内领先甚至国际先进水平，具有自主知识产权。
2. 丰富的产品规格：覆盖多个电压平台，满足不同应用场景需求。
3. 全球终端客户基础：与国内外多个行业龙头客户建立长期合作关系。
4. 稳定的供应商关系：与晶圆制造、封装测试等上游厂商建立了深度合作，保障产能。
5. 经验丰富的管理团队：联合创始人龚轶、王鹏飞等具有丰富的半导体研发与管理经验。

风险提示

• 公司已对可能面临的风险进行披露，建议投资者关注相关风险。
• 报告未涉及重大风险事项，也未发生被控股股东占用资金或违规担保等情形。

知识产权

• 本期新增：
  • 发明专利：13项申请，16项获得
  • 实用新型专利：1项申请，1项获得
  • 其他：53项申请，18项获得
• 累计知识产权：
  • 发明专利：131项申请，54项获得
  • 实用新型专利：3项申请，2项获得
  • 其他：173项申请，44项获得

总结

苏州东微半导体股份有限公司在2022年上半年表现出强劲的业绩增长，营业收入与净利润均实现显著提升。公司专注于高性能功率器件的研发与销售，产品覆盖MOSFET与IGBT等多个领域，广泛应用于新能源汽车、数据中心、光伏、通信等多个行业。公司核心技术具有自主知识产权，研发投入持续增长，研发团队经验丰富，具备较强的市场竞争力与创新能力。同时，公司积极布局第三代半导体技术，为未来发展奠定坚实基础。