科技行业存储器大会纪要:2018年仍然供不应求;数据中心带动新型存储发展_7页-1mb
报告摘要
存储器大会纪要与行业分析总结
核心内容
本报告总结了2017年6月1日GSA举办的存储器大会内容,重点分析了存储市场供需状况、中国存储产业的发展情况以及新型存储技术对数据中心的影响。
主要观点
- 存储市场供需状况:存储颗粒供应短缺将持续至2018年,主要受服务器及移动设备需求增长影响,DRAM和NAND的需求量预计分别同比增长7.9%和20.8%。供给端方面,DRAM和NAND的出货量分别预计同比增长47.6%和47.0%,低于需求增长,表明市场仍存在供不应求的情况。
- 中国存储产业崛起:中国厂商如长江存储和兆易创新在存储技术领域有所布局,长江存储专注于3D NAND技术,兆易创新则深耕DRAM和NorFlash。预计2018年下半年长江存储将推出32层MLC产品,若其成功量产,将有效缓解市场供应短缺。
- 新型存储技术发展:新型存储技术(如PCM、MRAM、FRAM、ReRAM等)在性能、能耗等方面各有优势,未来将与主流存储技术(DRAM和NAND)协同发展,而非互相取代。这些技术的发展将为数据中心提供更强的支撑。
- 行业前景与投资建议:报告建议关注中国存储产业的发展,特别是DRAM及3D NAND的产品路线及量产情况。中国存储产业的崛起将有助于打破行业寡占局面,为下游客户提供更多选择。
关键信息
存储市场供需预测
- DRAM需求增长:2017年同比增长50.0%,2018年同比增长7.9%。
- NAND需求增长:2017年同比增长55.9%,2018年同比增长20.8%。
- DRAM供给增长:2017年同比增长47.6%,2018年供给增长预期低于需求增长。
- NAND供给增长:2017年同比增长47.0%,同样低于需求增长。
中国存储厂商布局
- 长江存储:在武汉发展3D NAND技术,计划在2018年下半年推出32层MLC产品。
- 兆易创新:在合肥专注于DRAM和NorFlash技术。
- 政策与资本支持:中国厂商在存储产业的发展受到政府及产业基金的资本与政策支持。
新型存储技术特性对比
| 技术类型 | 单元面积(F²) | 电压(V) | 读取时间(ns) | 写入时间(ns) | 留存时间(y) | 写入次数 | 写入能耗(J/bit) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DRAM | 6F² | <1V | ~10ns | ~10ns | ~64ms | >1E16 | ~10fJ |
| NAND (3D) | <4F² | >10V | ~10us | 100us-1ms | >10y | >1E4 | ~10fJ |
| MRAM | 6~50F² | <1.5V | <10ns | <10ns | >10y | >1E15 | ~0.1pJ |
| PCM | 4~30F² | <3V | <10ns | ~50ns | >10y | >1E9 | ~10pJ |
| ReRAM | 4~12F² | <3V | <10ns | <10ns | >10y | >1E6~1E12 | ~0.1pJ |
中国存储市场新建产线情况
| 公司 | 地点 | 产品 | 晶圆尺寸 | 开始生产时间 | 完成时间 | 产量/月 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 福建晋华 | 福建 | DRAM | 12" | 2016 | 2H18 | 60k |
| 长江存储 | 南京 | DRAM | 12" | TBD | TBD | TBD |
| 长江存储 | 武汉 | 3D NAND | 12" | 2016 | TBD | 300k |
| 兆易创新 | 合肥 | DRAM/Flash | 12" | TBD | TBD | TBD |
| 三星 | 西安 | 3D NAND (Phase 2) | 12" | TBD | TBD | TBD |
全球半导体市场收入规模拆分
| 类别 | 2015年(十亿美元) | 2016年(十亿美元) | 市占率 | 同比增长 | 中国主要厂商 |
|---|---|---|---|---|---|
| 存储 | - | - | - | - | - |
| DRAM | 49 | 45 | 12.0% | -7% | 澜起科技、华鑫、ISSI |
| NAND Flash | 33 | 35 | 9.0% | 5% | 长江存储、复旦微电子 |
| NOR Flash | 2 | 2 | 0.5% | -7% | 兆易创新、复旦微电子、国民技术、紫光国芯、中国电子、华虹 |
| 其他 | 2 | 1.5 | 0.4% | -8% | 复旦微电子、国民技术 |
可比公司估值表
| 股票代码 | 公司名称 | 价格(2017-06-02) | 市值(百万美元) | 2017E P/E | 2018E P/E | 2017E P/B | 2018E P/B | 2017E ROE | 2018E ROE |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0981.HK | 中芯国际 | 8.06 | 4,809 | 18.6 | 14.4 | 0.9 | 0.9 | 5.2 | 6.3 |
| 1347.HK | 华虹半导体 | 10.28 | 1,364 | 9.8 | 9.2 | 0.9 | 0.8 | 8.9 | 8.9 |
| 0522.HK | ASM Pacific | 116.50 | 6,103 | 19.6 | 17.4 | 4.5 | 4.1 | 25.1 | 24.7 |
| 002049.SZ | 紫光国芯 | 30.88 | 2,747 | 33.6 | n.a. | 5.0 | n.a. | 15.9 | n.a. |
投资建议
- 个股评级:中芯国际为“中性”,华虹半导体为“推荐”。
- 行业评级:科技行业为“标配”或“超配”。
- 关注点:中国存储产业的发展,特别是DRAM及3D NAND的产品路线和量产情况。
风险提示
- 中国存储产业发展不达预期。
法律声明
本报告由中金公司制作,信息来源于公开资料,不构成投资建议,也不承担相关法律责任。投资者应独立评估信息并咨询专业顾问。
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