2021-10-27-上交所-苏州东微半导体股份有限公司科创板首次公开发行股票招股说明书（上会稿）_368页_6mb

报告摘要

苏州东微半导体股份有限公司首次公开发行股票并在科创板上市总结

核心内容

苏州东微半导体股份有限公司（以下简称“公司”或“发行人”）拟首次公开发行股票并在上海证券交易所科创板上市。本次发行采用Fabless模式运营，不涉及股东公开发售股份，发行后总股本不超过6,737.6367万股，其中公开发行的新股不低于25%。公司主要专注于高性能功率器件的研发与销售，产品涵盖高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET、超级硅MOSFET及TGBT等，广泛应用于新能源汽车充电桩、5G通信电源、数据中心服务器电源及消费电子等领域。

主要观点

行业地位：公司是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一，在工业级领域实现了国产化替代。
技术优势：公司拥有53项已授权专利，其中境内专利38项，境外专利15项，核心技术包括优化电荷平衡、栅极设计、自对准加工等，技术水平达到国际先进水平。
市场表现：公司2018年至2021年1-6月主营业务收入持续增长，2021年1-6月达32,082.43万元，净利润达5,180.53万元，研发人员占比46%。
研发方向：公司持续投入新型MOSFET、IGBT等功率器件技术开发，未来将重点拓展高性能功率半导体产品，提升产品动态性能、稳定性及市场竞争力。
募集资金用途：募集资金将用于超级结与屏蔽栅功率器件产品升级及产业化、新结构功率器件研发及产业化、研发工程中心建设及科技与发展储备资金，总计拟投入93,869.10万元。
风险提示：公司面临市场竞争、供应商集中度、下游需求波动、毛利率波动、产品结构单一、新产品研发不及预期及人员规模较小等风险，需审慎应对。

关键信息

一、发行概况

发行股票类型：人民币普通股（A股）
发行股数：不超过1,684.4092万股（行使超额配售选择权之前）
发行后总股本：不超过6,737.6367万股
发行方式：采用向网下投资者配售与网上定价发行相结合的方式
承销方式：余额包销方式
保荐机构：中国国际金融股份有限公司
拟上市交易所：上海证券交易所科创板

二、财务数据

项目	2021年1-6月	2020年度	2019年度	2018年度
营业收入（万元）	32,082.43	30,878.74	19,604.66	15,283.52
归属于母公司净利润（万元）	5,180.53	2,768.32	911.01	1,297.43
研发投入占营业收入比例	5.14%	5.18%	6.13%	10.49%
资产负债率（合并）	7.69%	4.28%	7.25%	7.03%
综合毛利率	26.38%	14.93%	17.85%	26.75%

三、主要产品及应用

主要产品：
- GreenMOS系列高压超级结MOSFET
- SFGMOS系列及FSMOS系列中低压屏蔽栅MOSFET
- 超级硅MOSFET
- TGBT（Tri-gate IGBT）
应用领域：
- 工业级应用：新能源汽车直流充电桩、5G基站电源、数据中心服务器电源、工业照明电源等
- 消费级应用：PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器等

四、风险因素

市场竞争风险：公司市场份额较低，尤其在高性能工业及汽车相关应用领域，面临国外厂商竞争压力。
供应商集中度风险：公司主要依赖少数供应商，若产能紧张或价格上涨，可能影响产品出货量和毛利率。
下游需求波动风险：公司业绩增长依赖新能源汽车、5G通信、光伏等下游行业，若行业增速放缓或下滑，将影响公司业绩。
毛利率波动风险：公司毛利率波动较大，受产品售价、成本及结构变化影响，未来可能持续波动。
产品结构单一风险：公司主要收入来源为MOSFET产品，占比超过99%，若需求放缓将影响公司营收和盈利能力。
新产品研发不及预期风险：研发周期长、投入大，若研发进度不达预期，可能影响公司竞争力。
人员规模较小风险：公司员工数量较少，若发生大规模人员流失，将影响日常运营和业务拓展。

五、科创属性与上市标准

符合科创板上市标准：预计市值不低于10亿元，最近一年净利润为正且营业收入不低于1亿元。
符合科创属性指标：
- 研发投入占营业收入比例≥5%（公司为6.70%）
- 形成主营业务收入的发明专利≥5项（公司为22项）
- 最近三年营业收入复合增长率≥20%（公司为42.11%）
- 研发人员占比≥10%（公司为46%）

六、公司治理与承诺

公司治理：无特别表决权股份或类似安排，公司治理结构正常。
重要承诺：
- 发行人及全体董事、监事、高级管理人员承诺招股说明书无虚假记载。
- 实际控制人承诺对招股说明书内容的真实性、准确性、完整性负责。
- 保荐机构及证券服务机构承诺对制作、出具的文件无虚假记载。

七、募集资金用途

序号	募集资金投资方向	拟投入募集资金金额（万元）	拟投入资金比例
1	超级结与屏蔽栅功率器件产品升级及产业化项目	20,414.58	21.75%
2	新结构功率器件研发及产业化项目	10,770.32	11.47%
3	研发工程中心建设项目	16,984.20	18.09%
4	科技与发展储备资金	45,700.00	48.68%
合计	—	93,869.10	100.00%