电子行业深度报告-AI拉动景气度向上叠加业绩拐点-存储板块成长动能充足-东吴证券_24页_1mb

存储行业深度分析报告摘要

核心观点

• 存储产品价格自2023年第四季度触底反弹，DRAM、NAND芯片及Wafer价格持续上涨，进入涨价上行通道，下游需求回暖叠加AI催动高附加值产品供给，板块成长动能充足。
• 风险因素包括价格传导不及预期、宏观经济动荡、核心厂商减产力度不足或下游复苏不及预期。

1. 价格趋势分析

• DRAM市场：价格自2023Q4起回升明显，eTT、DDR4产品现货和合约价环比涨幅明显，头部厂商持续减产控制供给，未来缺货行情有望延续涨价趋势。
• NAND市场：2023H2大厂减产力度加大，合约价和现货价同步上涨，供给端减产+需求端复苏推动量价齐升。
• Wafer市场：Flash Wafer价格涨幅显著，原厂去库存及减产力度持续体现。
• 预测：TrendForce预计，2024Q1 NAND合约价季涨幅达18%-23%，DRAM季涨幅13%-18%，未来价格有望进一步提升。

2. 下游需求与增长推动

• 终端需求：智能手机、可穿戴设备、PC等产品需求逐步恢复，存储芯片需求有所改善。IDC数据显示全球AI服务器出货量在2023年高速增长。
• AI领域：AI对算力要求提升，推动高附加值产品HBM需求爆发式增长，预计HBM在2026年市场规模达3862亿美元。DDR5渗透率持续提升，对价格上涨构成支撑。

3. 投资建议

• 主线一：业绩反弹标的：佰维存储（毛利率环比提升显著）、德明利（扭亏为盈）、江波龙（营收破百亿，扭亏）、普冉股份。
• 主线二：国产化替代标的：重点布局HBM研发和AI算力存储国产厂商，包括佰维存储、朗科科技、香农芯创、万润科技、同有科技、澜起科技等。

4. 风险提示

• 存储市场供需平衡被打破可能带来价格波动风险。
• 宏观经济变动（如美联储加息）对行业复苏有较大影响。
• 头部厂商减产或结束、下游需求不及预期将增加市场压力。

免责声明：投资者应参考完整研究报告中的风险提示及投资策略，市场有风险，投资需谨慎。