20260104-浙商证券-2026年半导体设备行业策略报告_AI驱动新成长_自主可控大时代_35页_2mb
报告摘要
AI驱动新成长,自主可控大时代
核心内容概览
2026年半导体设备行业策略报告指出,行业整体处于高景气周期,AI技术的推动下全球半导体市场持续增长,预计2026年将达到7607亿美元。中国半导体设备市场受益于国内晶圆厂产能利用率提升和AI驱动下的存储超级周期,行业迎来结构性增长机会。报告重点推荐了四个景气方向,涵盖存储、光刻机、ALD设备和先进封装,强调国产替代和自主可控的重要性。
主要观点与关键信息
2025年行业复盘
- 行业表现:半导体设备指数年初至今涨幅达62.3%,显著跑赢大盘。当前估值处于28%分位点,处于历史较低水平。
- 前道设备:
- 营收持续高增长,第三季度同比增长36%。
- 利润增速结构性放缓,但部分公司如拓荆科技利润释放加速。
- 后道设备:
- 行业迎来爆发式增长,第三季度营收同比增长61%。
- 净利率显著提升,行业整体净利率达23.8%,同比增长5.6pct。
2026年行业展望
- 全球半导体市场:预计2026年全球半导体销售额同比增长9%至7607亿美元,AI驱动下存储市场将进入超级周期。
- 中国半导体设备市场:2024年占据全球42%市场份额,预计2026年继续增长。
- 行业趋势:
- AI推动全球半导体设备市场增长,尤其是先进逻辑、存储和先进封装领域。
- 2026年全球半导体设备市场同比增长9%,其中晶圆制造设备(WFE)预计增长9%至1157亿美元,测试设备增长12%至112亿美元,封装设备增长9.2%至64亿美元。
推荐四大景气方向
-
AI驱动存储超级周期:
- 存储芯片需求持续增长,尤其是3D NAND和DRAM。
- 刻蚀与薄膜沉积设备需求倍增,建议关注存储业务占比高的设备公司。
-
光刻机国产化破晓:
- 光刻机是国产化率最低的环节,2026年有望实现28nm光刻机量产。
- 国产光刻机产业链核心子系统和零部件公司将受益,如华卓精科、芯上微装等。
-
ALD设备黄金发展期:
- ALD技术从辅助工艺升级为核心工艺,应用于28nm及以上逻辑及存储领域。
- 国产厂商正迎来替代窗口期,建议关注技术领先的ALD设备公司。
-
先进封装延续摩尔定律:
- 面对制程微缩瓶颈,先进封装成为提升性能的主航道。
- AI芯片需求推动CoWoS、HBM等先进封装技术发展,带动全链条设备需求,国产设备商具备广阔替代空间。
投资建议
- 平台型龙头:北方华创。
- 细分领域龙头:中微公司(刻蚀)、拓荆科技(CVD)、微导纳米(ALD)。
- 高弹性与突破标的:芯源微(涂胶显影)、华海清科(CMP)、华峰测控/长川科技(测试)、光刻机产业链。
风险提示
- 下游扩产不及预期。
- 国产化进程低于预期。
- 美国半导体管制加剧。
- 零部件供应风险。
重点公司估值表
| 代码 | 公司 | 市值 (亿元) | 2024A归母净利润 (亿元) | 2025E归母净利润 (亿元) | 2026E归母净利润 (亿元) | 2027E归母净利润 (亿元) | 2024A营收 (亿元) | 2025E营收 (亿元) | 2026E营收 (亿元) | 2027E营收 (亿元) | 2024A PE | 2025E PE | 2026E PE | 2027E PE | 2024A PS | 2025E PS | 2026E PS | 2027E PS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 002371 | 北方华创 | 3,485 | 56.2 | 72.3 | 95.6 | 120.9 | 298 | 392 | 493 | 605 | 62 | 48 | 36 | 29 | 11.7 | 8.9 | 7.1 | 5.8 |
| 688012 | 中微公司 | 1,708 | 16.2 | 21.9 | 32.6 | 44.0 | 91 | 121 | 160 | 202 | 106 | 78 | 52 | 39 | 24.2 | 15.9 | 12.0 | 9.4 |
| 688082 | 盛美上海 | 869 | 11.5 | 16.0 | 19.7 | 23.0 | 56 | 70 | 85 | 98 | 75 | 54 | 44 | 38 | 15.5 | 12.5 | 10.3 | 8.9 |
| 688072 | 拓荆科技 | 993 | 6.9 | 10.4 | 16.6 | 23.7 | 41 | 62 | 83 | 106 | 144 | 96 | 60 | 42 | 24.2 | 15.9 | 12.0 | 9.4 |
| 688120 | 华海清科 | 552 | 10.2 | 12.8 | 16.4 | 20.3 | 34 | 46 | 58 | 72 | 54 | 43 | 34 | 27 | 16.2 | 12.0 | 9.5 | 7.7 |
| 603690 | 至纯科技 | 119 | 0.2 | 1.4 | 2.6 | 3.4 | 36 | 33 | 38 | 43 | 506 | 85 | 46 | 35 | 3.3 | 3.6 | 3.1 | 2.8 |
| 300567 | 精测电子 | 239 | -1.0 | 2.1 | 3.5 | 5.6 | 26 | 33 | 41 | 51 | -244 | 116 | 67 | 43 | 9.3 | 7.3 | 5.8 | 4.7 |
| 688147 | 微导纳米 | 323 | 2.3 | 3.1 | 4.3 | 5.8 | 27 | 28 | 31 | 36 | 143 | 105 | 76 | 56 | 12.0 | 11.6 | 10.4 | 9.0 |
| 688361 | 中科飞测 | 549 | -0.1 | 1.6 | 4.1 | 6.3 | 14 | 21 | 30 | 42 | -4,764 | 334 | 136 | 87 | 39.8 | 26.7 | 18.2 | 13.0 |
| 600641 | 先导基电 | 162 | 1.1 | 1.8 | 2.6 | 3.6 | 6 | 14 | 19 | 25 | 76 | 50 | 40 | 32 | 27.8 | 11.6 | 8.4 | 6.6 |
| 688037 | 芯源微 | 303 | 2.0 | 2.0 | 3.7 | 6.0 | 18 | 20 | 27 | 35 | 150 | 154 | 82 | 51 | 17.3 | 14.9 | 11.4 | 8.7 |
| 688200 | 华峰测控 | 255 | 3.3 | 5.1 | 6.4 | 8.1 | 9 | 13 | 16 | 19 | 76 | 50 | 40 | 32 | 28.1 | 20.3 | 16.0 | 13.1 |
| 300604 | 长川科技 | 627 | 4.6 | 10.3 | 13.6 | 17.4 | 36 | 50 | 65 | 82 | 137 | 61 | 46 | 36 | 17.2 | 12.4 | 9.6 | 7.7 |
| 603061 | 金海通 | 87 | 0.8 | 1.9 | 2.7 | 3.7 | 4 | 7 | 9 | 11 | 111 | 47 | 32 | 23 | 21.3 | 12.8 | 9.7 | 7.6 |
重点公司制程与技术进展
| 公司 | 设备类型 | 当前制程及先进制程研发进展 |
|---|---|---|
| 北方华创 | 刻蚀、薄膜沉积 | 14nm薄膜沉积设备实现量产应用 |
| 中微公司 | 刻蚀、薄膜沉积 | 65nm到5nm设备应用,128层3D NAND量产 |
| 拓荆科技 | PECVD、SACVD、ALD | 28nm量产,14nm/10nm验证中 |
| 微导纳米 | 薄膜沉积 | HKMG、柱状电容器、TSV等工艺开发 |
| 华海清科 | CMP | 28nm及以上制程量产,128层3D NAND量产 |
| 芯源微 | Track | 28nm及以上制程全覆盖 |
| 盛美上海 | 清洗 | 28nm及DRAM 19nm技术节点应用 |
| 至纯科技 | 清洗 | 28nm湿法工艺需求满足 |
| 万业企业 | 离子注入 | 28nm低能大束流设备商业化 |
| 精测电子 | 量检测 | 28nm FEOL和14nm BEOL节点设备应用 |
| 中科飞测 | 量检测 | 28nm及以上设备量产,2x nm设备验证中 |
2026年行业趋势
- 存储超级周期:AI驱动下,NAND和DRAM需求持续增长,国内厂商加速扩产。
- 光刻机国产化:28nm光刻机有望实现量产,带动光刻机产业链发展。
- ALD技术升级:从辅助工艺变为关键工艺,国产厂商迎来替代窗口。
- 先进封装崛起:通过系统级集成提升芯片性能,推动CoWoS、HBM等技术发展。
风险提示
- 下游扩产不及预期。
- 国产化进程低于预期。
- 美国半导体管制加剧。
- 零部件供应风险。
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