全球AI供应链与内存超级周期_6页_373kb

大摩闭门会总结：全球AI供应链与内存超级周期

一、台积电产能与AI需求

台积电3nm/9nm制程产能不足，前端晶圆制造受限，非核心客户产能需调整，否则2025年AI芯片生产将承压。t-glass材料短缺预计至2027年缓解，2025年存在晶圆与载板供应隐忧。云服务商资本开支强劲，但AI投资依赖真实需求增长（Token output逐季上升）。

二、AI芯片动态

• AWS Training芯片：Training 3项目订单稳定，Training 2逐步退市。
• Google TPU V7/V8：2026年需求达300万颗，V8项目由联发科量产，节奏待测试进度。
• Meta MTI项目：国产封装技术门槛过高，Meta封装成本压力大，评级维持中性。

三、中国大陆晶圆厂进展

中芯国际设备瓶颈低于预期，国产GPU产量有望翻倍，但低阶制程（华虹半导体）长期展望偏弱。三星、SK海力士财报显示AI为存储产业核心驱动力。

四、内存超级周期开启

AI带动全品类价格回升，2026年产能已基本被预订。SK海力士2026年盈利预期上调至10万韩元/股。

• NAND/DRAM：价格短期或涨逾3倍，高容量NAND涨幅达40–50%。
• HBM与CoWoS：OpenAI、AMD等大型AI部署已触发约629K片/月晶圆需求，台积电产能充足。

五、Niche Memory市场变化

• DDR4：因AI交换机需求激增，供需驱动逆转，短期缺货导致3–4倍溢价。
• MLC NAND：三星已停止消费级产品，低端设备转向台湾厂商，但缺口难以填补。
• NOR Flash：苹果AirPods拉动需求，华邦电新增产能2027年QSRO上市，短期供需仍紧。

六、关键数据与投资建议

• CoWoS预订：2025年预订量约685K，AMD取代NVIDIA成主要上修对象。
• 内存周期：价格修复空间显著（NAND涨117%/DRAM涨86%），股价高点可能超前于周期峰值。

结论

AI浪潮驱动供应链全面革新，从前端芯片到材料端均存在结构性瓶颈，内存厂商估值具上行空间，建议超配三星及行业核心标的。