电子化学品系列报告之一:电子特气:未来已来,成长可期_42页_1mb
报告摘要
电子特气:未来已来,成长可期
核心内容概述
电子特气是半导体制造过程中不可或缺的关键材料,广泛应用于清洗、沉积、光刻、刻蚀、离子注入、外延等工艺流程,被誉为半导体材料的“粮食”和“源”。随着全球半导体产业向中国大陆转移,以及贸易摩擦对国产替代的推动,国内电子特气市场正迎来快速增长期,预计未来将保持10%以上的复合年增长率。然而,目前全球电子特气市场高度集中,主要由五家国际巨头垄断,国内企业虽在部分产品上实现技术突破,但整体国产化率仍较低,仅约15%。
主要观点
- 半导体产业转移:全球半导体产能正在向中国转移,中国已成为全球最大的半导体市场,未来3年将迎来晶圆厂密集投产,带动电子特气需求快速上升。
- 国产替代加速:国内企业在三氟化氮、超纯氨、锗烷等关键电子特气品种上取得技术突破,国产化率逐步提升,部分产品已实现进口替代。
- 市场空间广阔:电子特气在晶圆制造成本中占比约14%,是仅次于硅片的第二大材料,市场规模持续扩大。
- 企业布局加速:国内主要电子特气企业如昊华科技、雅克科技、华特气体、南大光电、金宏气体等正在通过扩产和新建产能来抢占市场,部分非上市企业也有望加速上市。
关键信息
市场规模与增长
- 2019年我国电子特气市场规模约为140亿元,预计到2024年将达到230亿元。
- 电子特气全球市场集中度高,五家国际公司占据约91%的市场份额。
- 国内电子特气市场增长迅速,2018年同比增长16.1%,未来增长潜力巨大。
主要特气品种及应用
| 工艺 | 所需特气 |
|---|---|
| 清洗 | Cl2、ClF3、NF3、C2H6、SF6、HCl等 |
| 沉积 | NH3、N2O、TEOS、SiH4、NO、WF6 |
| 光刻 | Ar、F2、Ne、Kr、He等 |
| 刻蚀 | NF3、C4F8、COS、CF4、C3F6、HF、CH3F、SiF4、SF6、BF3等 |
| 离子注入 | BF3、B2H4、AsH、TEB、TEPO、PH3 |
| 外延 | HCl、SiH2Cl2、SiHCl3等 |
国内主要企业及其产能
| 公司 | 主要产品 | 现有产能 | 拟在建产能 |
|---|---|---|---|
| 派瑞特气 | 三氟化氮、六氟化钨 | 6000吨/年 | 9000吨/年(预计2020年投产) |
| 昊华科技 | 六氟化硫、四氟化碳 | 2000吨/年 | 3000吨/年(预计2021年投产) |
| 华特气体 | 六氟乙烷、八氟丙烷 | 350吨/年 | 100吨/年 |
| 金宏气体 | 超纯氨、氧化亚氮 | 8500吨/年 | 3000吨/年 |
| 南大光电 | 磷烷、砷烷、三氟化氮 | 52.5吨/年 | 2300吨/年 |
| 博纯材料 | 锗烷、磷烷、砷烷 | 80吨/年 | 10吨/年 |
| 同辉气体 | 氧化亚氮、锗烷 | 20000吨/年 | 10000吨/年(已投产) |
| 硅烷科技 | 硅烷 | 3600吨/年 | 15000吨/年(预计2020年投产) |
| 博瑞中硝 | 六氟化钨、三氟化氮 | 400吨/年 | 2000吨/年(预计2021年投产) |
风险提示
- 技术突破不确定性:部分高技术壁垒的特气品种尚未实现国产化,技术突破可能影响国产化进程。
- 客户认证与更换风险:客户集中度高,认证周期长,更换供应商意愿低,国内企业进入难度较大。
- 产能投建进度风险:部分企业扩产计划可能受政策、资金等影响,产能建设进度低于预期将影响业绩。
- 新增产能消化风险:部分产品国产化率较高,新增产能可能难以被下游客户充分消化。
结论
电子特气作为半导体制造的重要组成部分,受益于产业转移和国产替代的双重驱动,市场前景广阔。国内企业在部分关键品种上取得突破,未来有望实现全面国产化替代。随着各企业在扩产和产能建设方面的积极布局,行业竞争格局将逐步变化,部分企业有望成长为行业龙头。然而,技术突破、客户认证、产能建设及产能消化仍是影响行业发展的关键因素。
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