基础化工行业中国化工新时代系列报告之半导体光刻胶：大陆晶圆代工厂成熟制程快速扩建，国产光刻胶企业迎来重大机遇-20220112-光大证券-47页_2mb

报告摘要

半导体工业的发展依赖于光刻技术的进步，光刻胶作为晶圆制造的核心材料，具有最高的价值含量。当前，大陆晶圆代工厂在成熟制程领域快速扩张，带动了对光刻胶等半导体材料的需求增长。同时，中美贸易摩擦加剧了对高端材料进口的限制，为国产光刻胶企业提供了突破“卡脖子”技术壁垒的机遇。

光刻技术是半导体工业发展的基石：光刻工艺的分辨率决定了集成电路的关键尺寸，是摩尔定律得以延续的重要因素。当前最先进的光刻工艺为台积电的5nm制程（2020年）和3nm制程（预计2022年投产），而大陆的中芯国际在2021年实现7nm制程突破，但仍与世界顶尖水平存在约2代技术差距。
光刻胶是半导体制造的关键材料：光刻胶分为g线、i线、KrF、ArF和EUV光刻胶，其中EUV光刻胶由日本和美国企业主导，而大陆仅实现了KrF光刻胶的量产，ArF光刻胶仍处于验证阶段，EUV光刻胶技术储备基本空白。
政策支持与行业趋势推动国产化进程：国家“十四五”规划强调“强化国家战略科技力量”，通过政策、科研专项基金、产业基金等形式支持光刻胶等关键材料发展。同时，中国大陆晶圆代工产能增速全球第一，特别是28nm及以上成熟制程产能的扩张，显著提升了对中低端光刻胶的需求。
国产光刻胶企业具备发展潜力：在政策与市场需求的双重推动下，国内光刻胶企业正逐步实现技术突破和产能扩张，包括彤程新材、晶瑞电材、南大光电和久日新材等，它们在不同领域均展现出竞争力。

光刻胶的分类与技术要求：光刻胶根据曝光后溶解度变化分为正性和负性光刻胶；根据是否使用化学放大机制分为化学放大型和非化学放大型；根据曝光光源分为g线、i线、KrF、ArF和EUV光刻胶。
光刻工艺的影响因素：分辨率（R）由光源波长（λ）、数值孔径（NA）和工艺难度系数（k）决定，公式为 $ R = k \cdot \frac{\lambda}{NA} $。通过缩短波长、提高NA、降低k值可提升分辨率。
中国大陆晶圆代工产能增长迅速：根据SIA和BCG预测，2021-2030年中国大陆晶圆代工产能增速将位居全球第一，尤其在28nm及以上成熟制程方面，将显著增加对光刻胶的需求。
光刻胶的生产与验证流程复杂：光刻胶生产以物理过程为主，涉及多种原材料的混合、溶解、过滤与分装。验证流程包括曝光测试、刻蚀测试、显影测试等，通常需要12-18个月。
国家大基金推动半导体产业发展：大基金一期和二期分别投资987.2亿元和2041.5亿元，重点支持光刻胶、光刻机、刻蚀机等关键设备和材料，加速国产替代进程。

重点推荐以下企业：

建议关注的其他相关公司包括：华懋科技、上海新阳、江化微、瑞联新材、万润股份、七彩化学、百川股份、怡达股份。

证券代码	公司名称	股价（元）	EPS（元）	PE（X）	投资评级
603650.SH	彤程新材	39.68	0.70 / 0.73 / 1.09	57 / 55 / 36	买入
300655.SZ	晶瑞电材	38.38	0.41 / 0.62 / 0.94	94 / 62 / 41	买入
300346.SZ	南大光电	45.72	0.21 / 0.39 / 0.48	214 / 118 / 95	增持
688199.SH	久日新材	41.45	1.23 / 1.32 / 2.14	34 / 31 / 19	增持