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存储芯片：自主可控推升政策空间，大数据及NAND FLASH拉动存储爆发

核心内容

存储芯片作为半导体行业的重要组成部分，与数据紧密相关，是信息安全的关键。随着大数据、物联网等新兴产业的发展，存储芯片的市场需求持续增长，其战略意义日益凸显。全球存储芯片总产值约800亿美元，其中DRAM市场占比最大，约为457亿美元，NAND FLASH约306亿美元，NOR FLASH约33亿美元。

主要观点

• 存储与安全紧密相关：存储芯片关乎国家信息安全，尤其是存储控制芯片，是信息存储安全的“咽喉”。目前，我国存储芯片几乎100%依赖进口，自主可控成为政策推升的根本原因。
• 存储芯片国产化任务艰巨：存储芯片具有技术差距大、行业集中度高、周期性强、资金投入大等特性，国内单一企业难以突破。国家意志推动下，国内多家企业已开始布局存储芯片产业。
• NAND FLASH前景广阔：SSD替代HHD是长期趋势，将带动NAND FLASH市场需求爆发。3D NAND FLASH技术的发展为中国厂商提供了弯道超车的机会。
• DRAM市场稳中有升：移动端和企业端应用需求增长，DRAM市场整体需求呈现稳中有升态势。中国厂商参与有望打破现有格局。
• 投资建议：存储芯片作为半导体基础芯片，战略意义重大。建议重点关注紫光国芯、深科技、华天科技、长电科技、通富微电等企业。

关键信息

存储芯片市场概况

• 全球存储芯片总产值约800亿美元，其中DRAM市场占比457亿美元，NAND FLASH市场占比306亿美元，NOR FLASH市场占比33亿美元。
• 2015年，大陆DRAM采购规模约120亿美元，NAND FLASH采购规模约66.7亿美元，占全球供货量的21.6%和29.1%。

存储芯片四大特性

1. 技术差距大：中国厂商在NAND FLASH、DRAM制造技术上基本缺失，需依赖技术授权。
2. 行业集中度高：全球DRAM市场由三星、SK Hynix、Micron三家占据约90%份额。
3. 周期性强：存储产业受扩产、减产影响巨大，存在周期性波动。
4. 资金投入大：存储芯片制造需巨额投资，如三星2015年资本支出达151亿美元。

中国厂商布局

• 紫光国芯：2015年定增募集800亿元，600亿元投入存储芯片工厂，未来5年将投资300亿美元主攻存储器芯片制造。
• 武汉新芯：2016年启动存储器基地项目，5年内投资240亿美元，预计2018年量产，2020年实现月产能30万片。
• 福建晋华：与联电合作开发32纳米制程的利基型DRAM，投资370亿元。
• 合肥：联手兆基科技投资460亿元建设DRAM工厂，预计2018年下半年量产。
• 深科技：收购沛顿科技，成为国内存储封测领域的领军企业，技术国际一流，深度受益存储芯片国产化。

NAND FLASH与SSD

• NAND FLASH是SSD的核心组件，占SSD总成本的70%-80%。
• SSD替代HHD是长久趋势，尤其在数据中心、大数据、云计算等场景中需求显著。
• 2015年全球NAND FLASH出货容量约80EB，其中约1/3用于SSD，即26EB。
• SSD市场预计以40.7%的复合增长率增长，到2022年市场规模将达2295亿美元。

3D NAND FLASH

• 3D NAND FLASH技术是解决NAND FLASH容量与成本瓶颈的重要手段。
• 三星、Toshiba、SanDisk、Intel、Micron等厂商已开始量产3D NAND FLASH。
• 中国厂商若能整合跨领域人才和技术，有望在3D NAND FLASH领域实现弯道超车。

DRAM市场与国产化

• DRAM市场由三星、SK Hynix、Micron三家企业主导，占据90%市场份额。
• 中国厂商通过投资建设DRAM工厂，如紫光、武汉新芯、福建晋华、合肥兆基科技等，有望打破现有格局。
• DRAM市场需求稳中有升，主要受益于移动端和企业端应用增长。

投资策略

• 首推深科技：深科技旗下沛顿科技在存储封测领域技术领先，是国际知名企业金士顿和美光的长期合作伙伴，拥有强大的产能和市场份额。
• 关注紫光国芯：作为存储芯片产业领导者，紫光国芯在国家政策支持下，持续推进存储芯片制造项目。
• 其他相关标的：兆易创新、浪潮集团、华天科技、长电科技、通富微电、七星电子、上海新阳等。

政策建议

• 技术合作：积极寻求与国际存储技术领先企业合作，引进并消化吸收核心技术。
• 人才支持：引进经验丰富的存储芯片人才，如紫光集团拟引进台湾DRAM教父高启全。
• 系统整合：统筹存储芯片发展全局，避免资源浪费。
• 产业链配套：加强设计、制造、设备、封测等产业链环节的国产化建设。

图表与数据

• 图1：存储芯片发展路线图
• 图2：存储芯片工艺技术路线图
• 图3：2014年DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH产值占比
• 图4：三星、SK Hynix、Micron等巨头采用IDM模式
• 图5：存储介质和存储控制芯片是存储信息安全的关键
• 图6：我国存储芯片与国外制造工艺对比
• 图7：2014Q4 NAND FLASH厂商结构
• 图8：2015Q2 DRAM厂商结构
• 图9：2008-2014年存储市场厂商集中度提升
• 图10：4-5家竞争格局+扩产/减产，导致存储产业巨幅波动
• 图11：2015年存储占半导体产业的支出最高，达38%
• 图12：2015年存储厂商资本支出明显上升
• 图13：半导体存储技术美国专利演变态势
• 图14：主流存储器技术美国专利领先申请人情况
• 图15：2014年NAND FLASH下游应用情况
• 图16：HHD（机械硬盘）
• 图17：SSD（固态硬盘）
• 图18：短期SSD价格高企，普及应用难度较大
• 图19：过去3年SSD价格下降了一半
• 图20：华为FusionServer RH8100V3采用SSD
• 图21：SSD助力数据中心高性能、低功耗
• 图22：2010年后WDC和Seagate收入下滑
• 图23：1976-2014年机械硬盘出货情况
• 图24：2014-2017年笔记本电脑SSD渗透率持续提高
• 图25：NAND FLASH在SSD中的应用
• 图26：预计2022年全球SSD市场规模或达2295亿美元
• 图27：智能手机中各种Memory的集成形式
• 图28：苹果和三星历代旗舰手机的最大ROM不断提升
• 图29：近2年eMMC市场平均价格下降一半
• 图30：3D解决NAND FLASH产品的极限困境
• 图31：存储厂商开始全面向3D NAND转型
• 图32：2014年DRAM下游应用结构
• 图33：移动和企业市场比例将增加
• 图34：电脑用DRAM（DDR）性能不断提升
• 图35：手机/平板用DRAM（LPDDR）性能不断提升
• 图36：2005-2015年DRAM全球市场规模
• 图37：2015Q3单季度DRAM市场情况
• 图38：存储产业整合不断，DRAM厂商数量大幅减少
• 图39：DRAM的投资占其销售额的比重不断下降

总结

存储芯片作为信息存储安全的关键，其国产化成为国家战略重点。随着大数据、SSD替代HHD等趋势，NAND FLASH和DRAM市场需求持续增长。中国厂商通过技术合作、人才引进、产业链整合等方式，有望在存储芯片领域实现突破，特别是在3D NAND FLASH领域，有机会实现弯道超车。深科技、紫光国芯、兆易创新等企业是当前存储芯片国产化的重点标的。